Nitrogen-doped ZnO thin films grown on glass substrates by atomic layer deposition using NH 3 as a doping source

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 1, 2011, Pages 391-395

  Lee, Doo Hyong ^a   Kim, Hee Soo ^a   Noh, Seung Jeong ^a  

^a Dankook University   (South Korea)

Author keywords

Atomic layer deposition; Crystallinity; Electrical property; Grain size; Nitrogen doped ZnO; Surface morphology; ZnO

Indexed keywords

CRYSTALLINITIES; ELECTRICAL PROPERTY; GRAIN SIZE; NITROGEN-DOPED; ZNO;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL ORIENTATION; GRAIN SIZE AND SHAPE; METALLIC FILMS; NITROGEN; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; SURFACE MORPHOLOGY; ZINC OXIDE;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 84863012378     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.3254     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. S. J. Lim, S. Kwon, and H. Kim, Thin Solid Films 516, 1523(2008).
2. D. S. Lee, J. H. Lee, J. Luo, Y. Fu, W. I. Milne, S. Maeng, M. Y. Jung, S. H. Park, and H. C. Yoon, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 7181(2009).
3. N. K. Singh, N. Tripathi, S. Rath, and S. Annapoorni, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5608(2009).
4. J. A. Kim, I. K. Kim, T. W. Kim, J. H. Moon, and J. H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 5485(2008).
5. M. Scharrer, X. Wu, A. Yamilov, H. Cao, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 86, 151113(2005).
6. A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys. 58, 132(1999).
7. A. Yamada, B. Sang, and M. Konagai, Appl. Surf. Sci. 112, 216(1997).
8. D. H. Lee, S. R. Kwon, S. K. Lee, and S. J. Noh, J. Kor. Vac. Soc. 18, 296(2009).
9. C. W. Zou, X. D. Yan, J. Han, R. Q. Chen, W. Gao, and J. Metson, Appl. Phys. Lett. 94, 171903(2009).
10. Y. Nakano, T. Morikawa, R. Ohwaki, and Y. Taga, Appl. Phys. Lett. 88, 172103(2006).
11. Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, R. Mu, D. X. Zhao, and J. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 92, 052106(2008).
12. H. C. Cheng, C. F. Chen, and C. Y. Tsay, Appl. Phys. Lett. 90, 012113(2007).
13. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733(2003).
14. M. S. Oh, K. Lee, K. H. Lee, S. H. Cha, J. M. Choi, B. H. Lee, M. M. Sung, and S. Im, Adv. Funct. Mater. 19, 726(2009).
15. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541(2004).
16. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117(2003).
17. S. J. Lim, S. J. Kwon, H. Kim, and J. S. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183517(2007).
18. J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lim, J. H. Yang, and S. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 93, 223505(2008).
19. E. Bellingeri, D. Marre, I. Pallecchi, L. Pellegrino, and A. S. Siri, Appl. Phys. Lett. 86, 012109(2005).
20. D. K. Hwang, H. S. Kim, J. H. Lim, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 151917(2005).
21. J. Xu, R. Ott, Adrian S. Sabau, Z. Pan, F. Xiu, J. Liu, J. M. Erie, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 92, 151112(2008).
22. F. Friedrich and N. H. Nickel, Appl. Phys. Lett. 91, 111903(2007).
23. N. H. Nickel, F. Friedrich, J. F. Rommeluere, and P. Galtier, Appl. Phys. Lett. 87, 211905(2005).
24. X. Li, B. Keyes, S. Asher, S. B. Zhang, S. H. Wei, T. J. Coutts, S. Kimpijumnong, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 86, 122107(2005).
25. L. Dunlop, A. Kursumovic, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 93, 172111(2008).
26. C. Lee, S. Y. Park, J. Lim, and H. W. Kim, Mater. Lett. 61, 2495(2007).
27. J. I. Langford and A. J. C. Wilson, J. Appl. Cryst. 11, 102(1978).
28. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikow, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301(2005).