Controlled growth of ordered nanopore arrays in GaN

Nano Letters

Volumn 11, Issue 2, 2011, Pages 535-540

  Wildeson, Isaac H ^a   Ewoldt, David A ^a   Colby, Robert ^a   Stach, Eric A ^a   Sands, Timothy D ^a  

^a PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

GaN; Nanopore; nanorod; organometallic vapor phase epitaxy; selective area growth; transmission electron microscopy

Indexed keywords

CONTROLLED GROWTH; GAN; GAN FILM; GAN NANORODS; HIGH QUALITY; NANOPORE ARRAY; OPTICAL APPLICATIONS; ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY; SELECTIVE AREA GROWTH;

EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; NANOPORES; NANORODS; ORGANOMETALLICS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON NITRIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS;

VAPOR PHASE EPITAXY;

GALLIUM; GALLIUM NITRIDE; NANOMATERIAL;

ARTICLE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; POROSITY; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

CRYSTALLIZATION; GALLIUM; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MATERIALS TESTING; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; POROSITY; SURFACE PROPERTIES;

EID: 79851477055     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl103418q     Document Type: Article

References (34)

1. Lin, V. S. Y.; Motasharei, K.; Dancil, K. P. S.; Sailor, M. J.; Ghadiri, M. R. Science 1997, 278, 840-843
2. Li, Y. H.; Buriak, J. M. Inorg. Chem. 2006, 45, 1096-1102
3. Zang, K. Y.; Wang, Y. D.; Chua, S. J.; Wang, L. S.; Tripathy, S.; Thompson, C. V. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 141925
4. Tenne, R. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 103-111
5. Daiguji, H.; Yang, P.; Majumbar, A. Nano Lett. 2004, 4, 137-142
6. Lee, S. B.; Martin, C. R. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11850-11851
7. Mitchell, D. T.; Lee, S. B.; Trofin, L.; Li, N.; Nevanen, T. K.; Söderlund, H.; Martin, C. R. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11864-11865
8. Chen, C. C.; Liu, Y. C.; Wu, C. H.; Yeh, C. C.; Su, M. T.; Wu, Y. C. Adv. Mater. 2005, 17, 404-407
9. Gray, J. L.; Hull, R.; Floro, J. A. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2445
10. Gray, J. L.; Hull, R.; Floro, J. A. J. Appl. Phys. 2006, 100 084312-7
11. Jain, S. C.; Willander, M.; Narayan, J.; Overstraeten, R. V. J. Appl. Phys. 2000, 87, 965-1006
12. Kim, H. G.; Deb, P.; Sands, T. J. Electr. Mat. 2007, 36, 359
13. Wang, Y. D.; Zang, K. Y.; Chua, S. J.; Tripathy, S.; Chen, P.; Fonstad, C. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 251915
14. Zang, K. Y.; Wang, Y. D.; Liu, H. F.; Chua, S. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 171921
15. Wang, Y. D.; Zang, K. Y.; Chua, S. J.; Fonstad, C. G. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 241922
16. Mynbaeva, M.; Titkov, A.; Kryganovskii, A.; Ratnikov, V.; Mynbaev, K.; Huhtinen, H.; Laiho, R.; Dmitriev, V. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1113
17. Fareed, R. S. Q.; Adivarahan, V.; Chen, C. Q.; Rai, S.; Kuokstis, E.; Yang, J. W.; Khan, M. A.; Caissie, J.; Molnar, R. J. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 696
18. Carvajal, J. J.; Rojo, J. C. Cryst. Growth Des. 2009, 9, 320-326
19. Bae, S. Y.; Seo, H. W.; Park, J.; Yang, H.; Kim, B. Chem. Phys. Lett. 2003, 376, 445-451
20. Liu, B.; Bando, Y.; Tang, C.; Shen, G.; Golberg, D.; Xu, F. Appl. Phys. Lett. 2006, 88 093120
21. Liu, B.; Bando, Y.; Wang, M.; Tang, C.; Mitome, M.; Golberg, D. Nanotechnology 2009, 20, 185705-6
22. Goldberger, J.; He, R.; Zhang, Y.; Lee, S.; Yan, H.; Choi, H. J.; Yang, P. Nature 2003, 422, 599-602
23. Goldberger, J.; Fan, R.; Yang, P. Acc. Chem. Res. 2006, 39, 239-248
24. Mei, Y.; Thurmer, D. J.; Deneke, C.; Kiravittaya, S.; Chen, Y. F.; Dadgar, A.; Bertram, F.; Bastek, B.; Krost, A.; Christen, J.; Reindl, T.; Stoffel, M.; Coric, E.; Schmidt, O. G. ACS Nano 2009, 3, 1663-1668
25. Deb, P.; Kim, H.; Rawat, V.; Oliver, M.; Kim, S.; Marshall, M.; Stach, E.; Sands, T. Nano Lett. 2005, 5, 1847-1851
26. Wildeson, I. H.; Colby, R.; Ewoldt, D. A.; Liang, Z.; Zakharov, D. N.; Zaluzec, N. J.; Garcia, R. E.; Stach, E. A.; Sands, T. D. J. Appl. Phys. 2010, 108 044303-8
27. Colby, R.; Liang, Z.; Wildeson, I. H.; Ewoldt, D. A.; Sands, T. D.; Stach, E. A.; Garcia, R. E. Nano Lett. 2010, 10, 1568-1573
28. Liang, Z.; Colby, R.; Wildeson, I. H.; Ewoldt, D. A.; Sands, T. D.; Stach, E. A.; Garcia, R. E. J. Appl. Phys. 2010, 108 074313-8
29. Gibart, P. Rep. Prog. Phys. 2004, 67, 667-715
30. Inoki, C. K.; Kuan, T. S.; Lee, C. D.; Sagar, A.; Feenstra, R. M.; Koleske, D. D.; Diaz, D. J.; Bohn, P. W.; Adesida, I. J. Elect. Mat. 2003, 32, 855-860
31. Wang, X. Z.; Yu, G. H.; Lin, C. T.; Cao, M. X.; Gong, H.; Qi, M.; Li, A. Z. Solid State Commun. 2010, 150, 168-171
32. Linthicum, K.; Gehrke, T.; Thomson, D.; Carlson, E.; Rajagopal, P.; Smith, T.; Batchelor, D.; Davis, R. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 196
33. Wu, Q.; Hu, Z.; Wang, X.; Lu, Y.; Chen, X.; Xu, H.; Chen, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 10176-10177
34. Xu, B.; Lu, A. J.; Pan, B. C.; Yu, Q. X. Phys. Rev. B 2005, 71 125434-6