Nanoair-bridged lateral overgrowth of GaN on ordered nanoporous GaN template

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Wang, Y D ^a,b   Zang, K Y ^a,b   Chua, S J ^a,b   Tripathy, S ^c   Chen, P ^c   Fonstad, C G ^d  

^a SINGAPORE MIT ALLIANCE   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^d Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING; LATERAL OVERGROWTH; NANOPATTERNED SURFACES; STRAIN RELAXATION;

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA ETCHING; POROUS MATERIALS; SAPPHIRE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 29144480594     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2147716     Document Type: Article

References (20)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1059 (1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Hiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
4. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
5. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
6. T. M. Katona, J. S. Speck, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 81, 3558 (2002).
7. S. Luryi and E. Suhir, Appl. Phys. Lett. 49, 140 (1986).
8. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. R. J. Brueck, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 76, 858 (2000).
9. D. Zubia and S. D. Hersee, J. Appl. Phys. 85, 6492 (1999).
10. M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryganovskii, V. Ranikov, K. Mynbaev, H. Huhtinen, R. Laiho, and V. Dmitriev, Appl. Phys. Lett. 76, 1113 (2000).
11. M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryganovskii, I. Kotousova, A. S. Zubrilov, V. V. Ratnikov, V. Y. Davydov, N. I. Kuznestov, K. Mynbaev, D. V. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 14 (1999).
12. F. Yun, M. A. Reshchikov, L. He, H. Morkoc, C. K. Inoki, and T. S. Kuan, Appl. Phys. Lett. 81, 4142 (2002).
13. R. S. Qhalid, V. Adivarahan, C. Q. Chen, S. Rai, E. Kuokstis, J. W. Yang, M. Asif Khan, J. Caissie, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 84, 696 (2004).
14. T. L. Williamson, D. J. Díaz, P. W. Bohn, and R. J. Molnar, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 925 (2004).
15. I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, V. V. Zalamai, S. Langa, S. Hubbard, D. Pavlidis, and H. Foll, Appl. Phys. Lett. 83, 1551 (2003).
16. J. Liang, H. Chik, A. J. Yin, and J. M. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
17. J. Liang, S. K. Hong, N. Kouklin, R. Beresford, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 83, 1752 (2003).
18. Y. D. Wang, S. J. Chua, M. S. Sander, P. Chen, S. Tripathy, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 84, 816 (2004).
19. D. G. Zhao, S. J. Xu, M. H. Xie, S. Y. Tong, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 83, 677 (2003).
20. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Liliental, M. Rubin, and E. R. Weber, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).