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Volumn 108, Issue 10, 2010, Pages

Erratum: GaN nanostructure design for optimal dislocation filtering (Journal of Applied Physics (2010) 108 (074313))

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EID: 78650262937     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3518424     Document Type: Erratum
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.