Nanoheteroepitaxial lateral overgrowth of GaN on nanoporous Si(111)

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 14, 2006, Pages

  Zang, K Y ^b   Wang, Y D ^b   Chua, S J ^b   Wang, L S ^b   Tripathy, S ^b   Thompson, C V ^a  

^a USA   (United States)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LATERAL OVERGROWTH; PHONON BLUESHIFTS; PORE OPENINGS; THREADING DISLOCATION DENSITY;

DISLOCATIONS (CRYSTALS); GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS; RAMAN SCATTERING; REDUCTION; SEMICONDUCTING SILICON; STRESS RELAXATION; SUBSTRATES;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 33646687768     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2189114     Document Type: Article

References (20)

1. J. Blasing, A. Reiher, A. Dadgar, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 2722 (2002).
2. M.-H. Kim, Y.-C. Bang, N.-M. Park, C.-J. Choi, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 78, 2858 (2001).
3. O. Contreras, F. A. Ponce, J. Christen, A. Dadgar, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 4712 (2002).
4. Z. Mao, S. McKernan, C. B. Carter, W. Yang, and S. A. McPherson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.13 (1999).
5. H. Amarchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
6. M. Jamil, J. R. Grandusky, V. Jindal, F. Shahedipour-Sandvik, S. Guha, and M. Arif, Appl. Phys. Lett. 87, 082103 (2005).
7. Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L966 (1998).
8. E. Feltin, B. Beaumont, P. Vennágùs, M. Vaille, P. Gibart, T. Riemann, J. Christen, L. Dobos, and B. Pácz, J. Appl. Phys. 93, 182 (2003).
9. B. Beaumont, P. Vennágùs, and P. Gibart, Phys. Status Solidi B 227, 1 (2001).
10. P. Vennágùs, B. Beaumont, V. Bousquet, M. Vaille, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 87, 4175 (2000).
11. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. R. J. Brueck, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 76, 858 (2000).
12. J. Liang, S. K. Hong, N. Kouklin, R. Beresford, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 83, 1752 (2003).
13. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, IEEE J. Quantum Electron. 0018-9197 10.1109/JQE.2002.800987 38, 1017 (2002); A. Strittmatter, S. Rodt, L. Reißmann, D. Bimberg, H. Schröder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 78, 27 (2001).
14. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, IEEE J. Quantum Electron. 0018-9197 10.1109/JQE.2002.800987 38, 1017 (2002); A. Strittmatter, S. Rodt, L. Reißmann, D. Bimberg, H. Schröder, E. Obermeier, T. Riemann, J. Christen, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 78, 27 (2001).
15. L. Macht, P. R. Hageman, S. Haffouz, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 87, 131904 (2005).
16. A. Sagar, C. D. Lee, R. M. Feenstra, C. K. Inoki, and T. S. Kuan, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1812 (2003).
17. S. D. Hersee, X. Y. Sun, X. Wang, M. N. Fairchild, J. Liang, and J. Xu, J. Appl. Phys. 97, 124308 (2005).
18. Y. D. Wang, S. J. Chua, M. S. Sander, P. Chen, S. Tripathy, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 85, 816 (2004).
19. S. Tripathy, S. J. Chua, P. Chen, and Z. L. Miao, J. Appl. Phys. 92, 3503 (2002).
20. Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L966 (1998).