Low dimensional nanostructured InGaN multi-quantum wells by selective area heteroepitaxy

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 6, Issue SUPPL. 2, 2009, Pages

  Keyan, Zang ^a   Yadong, Wang ^b   Jin, Chua Soo ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b SINGAPORE MIT ALLIANCE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODIC ALUMINIUM OXIDE; AVERAGE DIAMETER; CONTROLLABLE SIZE; CRYSTAL QUALITIES; ETCHING MASKS; GAN NANORODS; GAN TEMPLATE; HETEROEPITAXIAL GROWTH; HETEROEPITAXY; HIGH DENSITY; INGAN/GAN; LIGHT EXTRACTION; LOW DEFECT DENSITIES; LOW DIMENSIONAL; METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MULTIPLE QUANTUM WELLS; MULTIQUANTUM WELLS; NANO-POROUS; NANO-STRUCTURED; SELECTIVE AREAS;

DEFECT DENSITY; ELECTROMAGNETIC INDUCTION; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NANORODS; PLASMA ETCHING; SILICON COMPOUNDS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 79551501174     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200880777     Document Type: Article

References (41)

1. S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000).
2. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
3. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001).
4. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. J. Gmitter, and A. Scherer, Appl. Phys. Lett. 63, 2174 (1993).
5. T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004).
6. D. Zubia and S. D. Hersee, J. Appl. Phys. 85, 6492 (1999).
7. A. Alizaden, P. Sharma, S. Ganti, S. F. LeBoeuf, and L. Tsakalakos, J. Appl. Phys. 95, 8199 (2004).
8. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
9. S. Luryi and E. Suhir, Appl. Phys. Lett. 49, 140 (1986).
10. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1017 (2002).
11. E. Ertekin, P. A. Greaney, D. C. Chrzan, and T. D. Sands, J. Appl. Phys. 97, 114325 (2005).
12. A. A. Kerchak, D. J. Ripin, S. Fan, P. Rakich, J. D. Joannopoulos, E. P. Ippen, G. S. Petrich, and L. A. Kolodziejski, Appl. Phys. Lett. 78, 563 (2001).
13. Chia-Hsin Chao, S. L. Chuang, and Tzong-Lin Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 091116 (2006).
14. Z. Duan and C.M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 122, 188 (2000).
15. C. Chen, C. Yeh, C. Chen, M. Yu, H. Liu, J. Wu, K. Chen, L. Chen, J. Peng, and Y. Chen, J. Am. Chem. Soc. 123, 2791 (2001).
16. J.C. Johnson, H. Choi, K. P. Knutsen, R. D. Schaller, P. Yang, and R. J. Saykally, Nature Mater. 1, 106 (2002).
17. Z. Zhang, Fang Qian, D. Wang, and C. M. Lieber, Nano Lett. 3, 343 (2003).
18. G. Cheng, A. Kolmakov, Y. Zhang, M. Moskovits, R. Munden , M. A. Reed, G. Wang, D. Moses, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 83, 1578 (2003).
19. H. Kim, Y. Cho, H. Lee, S. I. Kim, S. R. Ryu, D. Y. Kim, T. W. Kang, and K. S. Chung, Nano Lett. 4, 1059 (2004).
20. Y. S. Park, C. M. Park, C. J. Park, H. Y. Cho, S. J. Lee, T. W. Kang, S. H. Lee, J. Oh, K. Yoo, and M. Son, Appl. Phys. Lett. 88, 192104 (2006)
21. P. Deb, H. Kim, V. Rawat, M. Oliver, S. Kim, M. Marshall, E. Stach, and T. Sands, Nano Lett. 5, 1847 (2005).
22. S. D. Hersee, X. Sun, and X. Wang, Nano Lett. 6, 1808 (2006).
23. P. Deb, H. Kim, Y. Qin, R. Lahiji, M. Oliver, R. Reifenberger, and T. Sands, Nano Lett. 6, 2893 (2006).
24. K. Y. Zang, Y. D. Wang, S. J. Chua, and L. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 193106 (2005).
25. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, S. Tripathy, H. L. Zhou, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 88, 211908 (2006).
26. Y. Wang, K. Zang, S. Chua, M. S. Sander, S. Tripathy, and C.G. Fonstad, J. Phys. Chem. B 110, 11081 (2006).
27. K. Y. Zang and S. J. Chua, Phys. Status Solidi C 6, 1585 (2008).
28. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
29. Q. K. K. Liu, A. Hoffmann, H. Siegle, A. Kaschner, C. Thomsen, J. Christen, and F. Bertram, Appl. Phys. Lett. 74, 3122 (1999).
30. B. Gil, O. Briot, and R.-L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
31. C. B. Soh, B. Wang, S. J. Chua, V. K. X. Lin, R. J. N. Tan, and S. Tripathy, Nanotechnology 19, 405303 (2008).
32. L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, C. Miskys, F. Scholz, and J. Off, Appl. Phys. Lett. 76, 577 (1999).
33. H.-S. Chen, C.-F. Lu, D.-M. Yeh, C.-F. Huang, J.-J. Huang, and C.-C. Yang, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 1041 (2006).
34. J. Ristic, E. Calleja, A. Trampert, S. Fernandez-Garrido, C. Rivera, U. Jahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 94, 146102 (2005).
35. Y. Sun, Y.-H. Cho, H.-M. Kim, and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 87, 093115 (2005).
36. J. B. Jeon, B. C. Lee, Yu. M. Sirenko, K. W. Kim, and M. A. Littlejohn, J. Appl. Phys. 82, 386 (1997).
37. T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
38. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 87, 231901 (2005).
39. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, Sg. Fujita, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 85, 3122 (2004).
40. M. Funato, T. Kotani, T. Kondou, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 88, 261920 (2006).
41. R. Krishnan, H. Q. Hguyen, C. V. Thompson, W. K. Choi, and Y. L Foo, Nanotechnology 16, 841 (2005).