Electron trap level in a GaN nanorod p-n junction grown by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 19, 2006, Pages

  Park, Y S ^c   Park, C M ^c   Park, C J ^c   Cho, H Y ^c   Lee, Seung Joo ^c   Kang, T W ^c   Lee, S H ^a   Oh, Jae Eung ^a   Yoo, Kyung Hwa ^b   Son, Min Soo ^b  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Yonsei University   (South Korea)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; ELECTRIC CURRENT MEASUREMENT; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; ELECTRON TRAPS; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SILICA; VOLTAGE MEASUREMENT;

CURRENT-VOLTAGE CURVE; GAN; P-N JUNCTION; TEMPERATURE DEPENDENCE;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 33646700252     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2203735     Document Type: Article

References (20)

1. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
2. H. Morkoc and S. N. Mohammand, Science 267, 51 (1995).
3. C. M. Lieber, Solid State Commun. 107, 607 (1998).
4. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
5. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
6. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 79, 867 (2001).
7. Y. S. Park, C. J. Park, C. M. Park, J. H. Na, J. S. Oh, I. T. Yoon, H. Y. Cho, T. W. Kang, and J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 86, 152109 (2005).
8. M. Asghar, P. Muret, B. Beaumont, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 113, 248 (2004).
9. A. Hierro, D. Kwon, S. A. Ringel, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 76, 3064 (2000).
10. A. Chakraborty, H. Xing, M. D. Craven, S. Keller, T. Mates, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 96, 4494 (2004).
11. X. D. Chen, Y. Huang, S. Fung, C. D. Beling, C. C. Ling, J. K. Sheu, M. L. Lee, G. C. Chi, and S. J. Chang, Appl. Phys. Lett. 82, 3671 (2003).
12. G. Cheng, A. Kolmakov, Y. Zhang, M. Moskovits, R. Munden, M. Reed, G. Wang, D. Moses, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 83, 1578 (2003).
13. Y. S. Park, S. H. Lee, J. E. Oh, C. M. Park, and T. W. Kang, J. Cryst. Growth 282, 313 (2005).
14. J.-R. Kim, B.-K. Kim, I. J. Lee, J.-J. Kim, J. Kim, S. C. Lyu, and C. J. Lee, Phys. Rev. B 69, 233303 (2004).
15. Y. S. Park, C. M. Park, D. J. Fu, T. W. Kang, and J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 85, 5718 (2004).
16. Y. S. Park, J. H. Na, R. A. Tayler, C. M. Park, K. H. Lee, and T. W. Kang, Nanotechnology 17, 913 (2006).
17. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mikshra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
18. P. Hacke, H. Nakayama, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 68, 1362 (1996).
19. H. Nagai, Q. S. Zhu, Y. Yawaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 73, 2024 (1998).
20. W. Götz, N. M. Johson, and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 68, 3470 (1996).