Nanoscale lateral epitaxial overgrowth of GaN on Si (111)

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 19, 2005, Pages 1-3

  Zang, K Y ^a   Wang, Y D ^a   Chua, S J ^a   Wang, L S ^b  

^a SINGAPORE MIT ALLIANCE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODES; APPROXIMATION THEORY; COALESCENCE; EPITAXIAL GROWTH; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PLASMA ETCHING; SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DISLOCATIONS; NANOSCALE LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH; PORE DIAMETER; PORE SPACING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 27644552694     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2126138     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1059 (1997).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mat-Sushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
3. A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Blasing, K. Fehse, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 80, 3670 (2002).
4. K. S. Stevens, M. Kinniburgh, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 66, 3518 (1995).
5. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
6. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
7. S. Tanaka, Y. Kawaguchi, and N. Sawaki, M. Hibino, and K. Hiramatsu, Appl. Phys. Lett. 76, 2701 (2000).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemeto, M. Sano, and K. Chocho, Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond. S-1, 444 (1997); S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemeto, M. Sano, and K. Chocho, Proc. Int. Conf. on Nitride Semicond. S-1, 444 (1997); S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
10. Z. Mao, S. McKernan, C. B. Carter, W. Yang, and S. A. McPherson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.13 (1999).
11. H. Amarchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
12. Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L966 (1998).
13. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1017 (2002).
14. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. D. Hersee, and S. R. J. Bruech, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3514 (2000).
15. D. Zubia and S. D. Hersee, J. Appl. Phys. 85, 6492 (1999).
16. A. Alizadeh, P. Sharma, S. Ganti, S. F. Leboeuf, and L. Tsakalakos, J. Appl. Phys. 95, 8199 (2004).
17. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. R. J. Brueck, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 76, 858 (2000).
18. A. Sagar, C. D. Lee, R. M. Feenstra, C. K. Inoki, and T. S. Kuan, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1812 (2003).
19. K. Y. Zang, S. J. Chua, L. S. Wang, and C. V. Thompson, Phys. Status Solidi C 1610-1634 0, 2067 (2003); L. S. Wang, K. Y. Zang, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett., 85, 5881 (2004).
20. K. Y. Zang, S. J. Chua, L. S. Wang, and C. V. Thompson, Phys. Status Solidi C 1610-1634 0, 2067 (2003); L. S. Wang, K. Y. Zang, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett., 85, 5881 (2004).
21. L. Liang, S. K. Hong, N. Kouklin, R. Beresford, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1604175 83, 1752 (2003); J. Liang, H. Chik, A. Yin, and J. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
22. L. Liang, S. K. Hong, N. Kouklin, R. Beresford, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1604175 83, 1752 (2003); J. Liang, H. Chik, A. Yin, and J. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
23. Y. D. Wang, S. J. Chua, M. S. Sander, P. Chen, S. Tripathy, and C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 85, 816 (2004).