Light emission from nanoscale Si/Si oxide materials

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 10, Issue 3, 2010, Pages 1584-1595

  Qin, G G ^a,b   Ran, G Z ^b   Sun, K ^b   Xu, H J ^c  

^a SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

^c BEIJING UNIVERSITY OF CHEMICAL TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

Electroluminescence; Nanosilicon; Photoluminescence; Si photonics

Indexed keywords

ELECTROLUMINESCENCE PROPERTIES; LIGHT EMITTING MATERIALS; LUMINESCENCE CENTERS; LUMINESCENCE PROPERTIES; NANO SCALE; NANO-SILICON; OXIDE MATERIALS; POROUS SI; SI OXIDE; SI PHOTONICS; SI-BASED; SI-PARTICLE;

ELECTROLUMINESCENCE; LIGHT EMISSION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; POROUS SILICON; SILICON COMPOUNDS;

LIGHT;

EID: 77954960386     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2010.2033     Document Type: Review

References (71)

1. A. Liu, R. Jones, L. Liao, D. Samara-Rubio, D. Rubin, O. Cohen, R. Nicolaescu, and M. Paniccia, Nature 427, 615 (2004).
2. G. T. Reed and A. P. Knights, Silicon Photonics: An Introduction, Wiley, Chichester, Hoboken, NJ (2004).
3. L. Pavesi and D. J. Lockwood, Silicon Photonics, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2004).
4. L. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
5. W. X. Zhu, Y. X. Gao, L. Z. Zhang, J. C. Mao, B. R. Zhang, J. Q. Duan, and G. G. Qin, Superlattices and Microstruct. 12, 409 (1992).
6. M. A. Tischler, R. T. Collins, J. H. Stathis, and J. C. Tsang, Appl. Phys. Lett. 60, 639 (1992).
7. J. C. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Hérino, M. Ligeon, F. Muller, and R. Romestain, R. M. Macfarlane, Phys. Rev. B 45, 14171 (1992).
8. J. Q. Duan J. C. Mao, L. Z. Zhang, B. R. Zhang, and G. G. Qin, J. Infrared Millim. Wave 11, 401 (1992).
9. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzó, and F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
10. B. Gelloz and N. Koshida, J. Appl. Phys. 88, 4319 (2000).
11. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2379 (1990).
12. J. P. van der Ziel, R. Dingle, R. C. Miller, W. Wiegmann, and W. A. Nordland, Jr., Appl. Phys. Lett. 26, 463 (1975).
13. D. J. DiMaria, J. R. Kirtley, E. J. Pakulis, D. W. Dong, T. S. Kuan, F. L. Pesavento, T. N. Theis, and J. A. Cutro, J. Appl. Phys. 56, 401 (1984).
14. X. L. Zheng, W. Wang, and H. C. Chen, Appl. Phys. Lett. 60, 986 (1992).
15. Y. Kanemitsu, K. Suzuki, H. Uto, Y. Masumoto, T. Matsumoto, S. Kyushin, K. Higuchi, and H. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 61, 2448 (1992).
16. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, T. Matsumoto, T. Futagi, and H. Mimura, Phys. Rev. B 48, 2827 (1993).
17. G. G. Qin, H. Z. Song, B. R. Zhang, J. Lin, J. Q. Duan, and G. Q. Yao, Rev. B 54, 2548 (1996).
18. I. M. Chang and Y. F. Chen, Appl. Phys. 82, 3514 (1997).
19. L. Canham, Properties of Porous Si, INSPEC, London (1997), p. 247.
20. G. G. Qin and Y. Q. Jia, Solid State Commun. 86, 559 (1993).
21. W. L. Wilson, P. F. Szajowski, and L. E. Bras, Science 262, 1242 (1993).
22. Y. H. Xie, M. S. Hybertsen, W. L. Wilson, S. A. Ipri, G. Carver, W. L. Brown, E. Dons, B. E. Weir, A. R. Kortan, G. P. Watson, and A. J. Liddle, Phys. Rev. B 49, 5386 (1994).
23. S. M. Prokes, Appl. Phys. Lett. 62, 3244 (1993).
24. S. Godefroo, M. Hayne, M. Jivanescu, A. Stemans, M. Zacharias, O. I. Lebedev, G. Van Tendeloo, and V. V. Moshachalkov, Nat. Nanotechnol. 3, 174 (2008).
25. M. Hayne, J. Maes, S. Bersier, M. Henini, L. Muller-Kirsch, R. Heitz, D. Bimberg, and V. V. Moshchalkov, Physica B 346-347, 421 (2004).
26. S. N. Walck and T. L. Reinecke, Phys. Rev. B 57, 9088 (1998).
27. A. G. Cullis, L. T. Canham, G. M. Williams, P. W. Smith, and O. D. Dosser, J. Appl. Phys. 75, 501 (1994).
28. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
29. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Faucher, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
30. G. Qin and G. G. Qin, J. Appl. Phys. 82, 2572 (1997).
31. G. Qin, G. G. Qin, and S. H. Wang, J. Appl. Phys. 85, 6738 (1999).
32. G. G. Qin and Y. J. Li, Phys. Rev. B 68, 085309 (2003).
33. X. X. Wang, J. G. Zhang, L. Ding, B. W. Cheng, W. K. Ge, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Phys. Rev. B 72, 195313 (2005).
34. H. J. Xu and X. J. Li, Opt. Express 16, 2933 (2008).
35. A. G. Cullis, L. T. Canham, G. M. Williams, P. W. Smith, and O. D. Dosser, J. Appl. Phys. 75, 493 (1994).
36. G. G. Qin, X. S. Liu, S. Y. Ma, J. Lin, G. Q. Yao, X. Y. Lin, and K. X. Lin, Phys. Rev. B 55, 12876 (1997).
37. G. G. Qin, J. Lin, J. Q. Duan, and G. Q. Yao, Appl. Phys. Lett. 69, 1689 (1996).
38. G. G. Qin, Mater. Res. Bull. 33, 1857 (1998).
39. O. Savchyn, F. R. Ruhge, P. G. Kik, R. M. Todi, K. R. Coffey, H. Nukala, and H. Heinrich, Phys. Rev. B 76, 195419 (2007).
40. A. Ritcher, P. Steiner, F. Kozlowski, and W. Lang, IEEE Electron Device Lett. 12, 691 (1991).
41. N. Koshida and H. Koyama, Appl. Phys. Lett. 60, 347 (1992).
42. A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Ligeon and F. Muller, Appl. Phys. Lett. 59, 304 (1991).
43. L. T. Canham, W. Y. Leong, M. I. J. Beale, T. I. Cox, and L. Taylor, Appl. Phys. Lett. 61, 2563 (1992).
44. P. M. M. C. Bressers, J. W. J. Knapen, E. A. Meulenkamp, and J. J. Kelly, Appl. Phys. Lett. 61, 108 (1992).
45. A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, and J. C. Vial, Phys. Rev. Lett. 71, 637 (1993).
46. H. Kandeko, P. J. French, and R. F. Wolffenbuttel, J. Lumin. 57, 101 (1993).
47. G. G. Qin, Y. M. Huang, L. Z. Zhang, B. Q. Zong, and B. R. Zhang, Superlatt. Microstruct. 16, 387 (1994).
48. G. G. Qin, A. P. Li, B. R. Zhang, and B. C. Li, J. Appl. Phys. 78, 2006 (1995).
49. G. G. Qin, A. P. Li, and Y. X. Zhang, Phys. Rev. B 54, RIII22 (1996).
50. S. Y. Ma, B. R. Zhang, G. G. Qin, Z. C. Ma, W. H. Zong, and X. T. Meng, Mater Res. Bull. 32, 1427 (1997).
51. G. F. Bai, A. P. Li, Y. X. Zhang, Y. K. Sun, S. Y. Ma, G. G. Qin, Z. C. Ma, and W. H. Zong, Phys. Low Dimension Structures 1, 127 (1998).
52. L. S. Liao, X. M. Bao, N. S. Li, X. Q. Zheng, N. B. Min, Solid State Commun. 97, 1039 (1996).
53. J. Yuan and D. Haneman, J. Appl. Phys. 86, 2358 (1999).
54. J. Yuan, D. Haneman, I. Andrienko, R. Siegele, and P. Evans, Semicond. Sci. Technol. 13, 615 (1998).
55. L. Heikkila, T. Kuusela, and H. P. Hedman, J. Appl. Phys. 89, 2179 (2001).
56. X. M. Wu, Y. M. Dong, L. J. Zhuge, C. N. Ye, N. Y. Tang, Z. Y. Ning, W. G. Yao, and Y. H. Yu, Appl. Phys. Lett. 78, 4121 (2001).
57. M. J. Lu, X. M. Wu, and W. G. Yao, Mat. Sci. Eng. B 100, 152 (2003).
58. G. G. Qin, Y. Q. Wang, Y. P. Qiao, and B. R. Zhang, Z. C. Ma, and W. H. Zong, Appl. Phys. Lett. 74, 2182 (1999).
59. G. G. Qin, Y. Chen, G. Z. Ran, B. R. Zhang, S. H. Wang, G. Qin, Z. C. Ma, W. H. Zong, and S. F. Ren, J. Phys.: Condens. Matter. 13, 11751 (2001).
60. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 71, 1198 (1997).
61. L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta, K. D. Hirschman, P. M. Fauchet, K. L. Moore, and D. G. Hall, Appl. Phys. Lett. 70, 1790 (1997).
62. G. Z. Ran, Y. Chen, W. C. Qin, J. S. Fu, Z. C. Ma, H. Lu, J. Qin, W. H. Zong, and G. G. Qin, J. Appl. Phys. 90, 5835 (2001).
63. Y. Chen, G. Z. Ran, L. Dai, B. R. Zhang, G. G. Qin, Z. C. Ma, and W. H. Zong, Appl. Phys. Lett. 80, 2496 (2002).
64. D. Pacifcia, A. Irrera, G. Franzo, M. Miritello, F. Iacona, and F. Priolo, Physica E 16, 331 (2003).
65. A. Irrera, G. Franzo, F. Iacona, A. Canino, G. Di Stefano, D. Sanfilippo, A. Piana, P. G. Fallica, and F. Priolo, Physica E 38, 181 (2007).
66. M. E. Castagna, S. Coffa, M. Monaco, L. Caristia, A. Messina, R. Mangano, and C. Bongiorno, Physica E 16, 547 (2003).
67. J. M. Sun, W. Skorupa, T. Dekorsy, M. Helm, and A. N. Nazarov, Opt. Mat. 27, 1050 (2005).
68. A. Nazarov, J. M. Sun, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Appl. Phys. Lett. 86, 151914(2006).
69. F. Iacona, D. Pacifici, A. Irrera, M. Miritello, G. Franzo, F. Priolo, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P. G. Fallica, Appl. Phys. Lett. 81, 3242 (2002).
70. K. Sun, W. J. Xu, B. Zhang, L. P. You, G. Z. Ran, and G. G. Qin, Nanotechnology 19, 105708 (2008).
71. A. V. Anikeenko and N. N. Medvedev, Phys. Rev. Lett. 98, 235504 (2007).