A comparative study of ultraviolet emission with peak wavelengths around 350 nm from oxidized porous silicon and that from SiO2 powder

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 12, 1996, Pages 1689-1691

  Qin, G G ^a,b   Lin, J ^a   Duan, J Q ^a   Yao, G Q ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b INTERNATIONAL CENTRE FOR MATERIALS PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001559359     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117029     Document Type: Review

References (30)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. M. S. Brandt, H. D. Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, and M. Cardona, Solid State Commun. 81, 307 (1992).
3. C. Tsai, K.-H. Li, D. S. Kinosky, R.-Z. Qian, T.-C. Tsu, J. T. Irby, S. K. Banerjee, A. F. Tasch, J. C. Campell, B. K. Hance, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 60, 1700 (1992).
4. S. M. Prokes, O. J. Glembocki, V. M. Bermudez, R. Kaplan, L. E. Friedersdorf, and P. C. Searson, Phys. Rev. B 45, 13788 (1992).
5. M. B. Robinson, A. C. Dillon, D. R. Haynes, and S. M. George, Appl. Phys. Lett. 61, 1441 (1992).
6. F. Koch, V. Petrova, T. Muschik, A. Nikolov, and V. Gavrilenko, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 283, 197 (1993).
7. S. M. Prokes, Appl. Phys. Lett. 62, 3244 (1993).
8. G. G. Qin and Y. Q. Jia, Solid State Commun. 86, 559 (1993).
9. T. Ito, T. Ohta, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1 (1992).
10. X. Zhao, O. Schoenfeld, Y. Aoyagi, and T. Sugano, Appl. Phys. Lett. 65, 1290 (1994).
11. J. Lin, L. Z. Zhang, B. R. Zhang, B. Q. Zong, and G. G. Qin, J. Phys. Condens. Matter. 6, 565 (1994).
12. A. J. Kontkiewicz, A M. Kontkiewicz, J. Siejka, S. Sen, G. Nowak, A. M. Hoff, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachchi, and J. Lagowski, Appl. Phys. Lett. 65, 1436 (1994).
13. T. Suzuki, T. Sakai, L. Zhang, and Y. Nishiyama, Appl. Phys. Lett. 66, 215 (1995).
14. J. Lin, G. Q. Yao, J. Q. Duan, and G. G. Qin, Solid State Commun. 97, 221 (1996).
15. A. R. Silin, L. N. Skuja, and A. V. Shendrik, Fiz. i Khim. Stekla 4, 405 (1978).
16. L. N. Skuja and A. R. Silin, Physica A 56, K11 (1979).
17. J. H. Stathis and M. A. Kastner, Phys. Rev. B 35, 2972 (1987).
18. C. Itoh, T. Suzu, and N. Itoh, Phys. Rev. B 41, 3794 (1990).
19. N. Nishikawa, T. Shiroyama, R. Nakamura, Y. Ohiki, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. B 45, 586 (1992).
20. T. Kanashima, M. Okuyama, and Y. Hamakawa, Appl. Surf. Sci. 79/80, 321 (1994).
21. L. S. Liao, X. M. Bao, X. Q. Zheng, N. S. Li, and N. B. Min, Appl. Phys. Lett. 68, 850 (1996).
22. D. Dong, E. A. Irene, and D. R. Young, J. Electrochem. Soc. 125, 819 (1978).
23. F. Rochet, G. Dufour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perriere, E. Fogarassy, A. Slaoui, and M. Froment, Phys. Rev. B 37, 6468 (1988).
24. B. H. Augustine, E. A. Irene, Y. J. He, K. J. Price, L. E. McNeil, K. N. Christensen, and D. M. Mahler, J. Appl. Phys. 78, 4020 (1995).
25. A. G. Cullis, L. T. Canham, G. M. Williams, P. W. Smith, and O. D. Dosser, J. Appl. Phys. 75, 493 (1994).
26. J. Lin, L. Z. Zhang, Y. M. Huang, B. R. Zhang, and G. G. Qin, Appl. Phys. Lett. 64, 3283 (1994).
27. G. G. Qin, in Porous Silicon, edited by Z. C. Feng and R. Tsu (World Scientific, Singapore, 1994), p. 195.
28. A. Roy, K. Jayaram, and A. K. Sood, Solid State Commun. 89, 229 (1994).
29. L. Z. Zhang, B. Q. Zong, B. R. Zhang, Z. H. Xu, J. Q. Li, and G. G. Qin, J. Phys. Condens. Matter. 7, 697 (1995).
30. D. W. Cooke, B. L. Bennet, E. H. Farnum, W. L. Hults, K. E. Sickafus, J. F. Smith, J. L. Smith, T. N. Taylor, P. Tiwari, and A. M. Portis, Appl. Phys. Lett. 68, 1663 (1996).