Effect of nitrogen plasma power on defect levels in Ni/n-GaN Schottky diodes grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 107, Issue 5, 2010, Pages

  Arehart, A R ^a   Poblenz, C ^b   Speck, J S ^b   Ringel, S A ^a  

^a The Ohio State University   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARRHENIUS; BAND GAPS; BEAM FLUXES; DEEP LEVEL; DEEP LEVEL OPTICAL SPECTROSCOPY; DEEP-LEVEL DEFECTS; DEFECT LEVELS; ENERGY LEVEL; NITROGEN PLASMAS; NITROGEN SOURCES; NITROGEN SPECIES; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMA DAMAGE; PLASMA POWER; RF PLASMA; SCHOTTKY DIODES;

CRYSTAL GROWTH; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; DEFECTS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; IONIZATION OF GASES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; NITROGEN; POINT DEFECTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

NITROGEN PLASMA;

EID: 77949723956     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3309778     Document Type: Article

References (30)

1. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikman, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 7 (2004).
2. L. Shen, T. Palacios, C. Poblenz, A. Corrion, A. Chakraborty, N. Fichtenbaum, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 214 (2006).
3. M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, Appl. Phys. Express 1, 021103 (2008).
4. R. Chu, C. Poblenz, M. H. Wong, S. Dasgupta, S. Rajan, Y. Pei, F. Recht, L. Shen, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Express 1, 061101 (2008).
5. R. Chu, L. Shen, N. Fichtenbaum, Z. Chen, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 29, 303 (2008).
6. R. L. Coffie, Ph.D. thesis, University of California, Santa Barbara, 2003.
7. A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, S. Heikman, S. Keller, and U. K. Mishra, Electron. Lett. 40, 73 (2004).
8. T. H. Myers, M. R. Millecchia, A. J. Ptak, K. S. Ziemer, and C. D. Stinespring, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1654 (1999).
9. A. J. Ptak, M. R. Millecchia, T. H. Myers, K. S. Ziemer, and C. D. Stinespring, Appl. Phys. Lett. 74, 3836 (1999).
10. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000).
11. A. Hierro, D. Kwon, S. A. Ringel, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 76, 3064 (2000).
12. A. R. Arehart, A. Corrion, C. Poblenz, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 93, 112101 (2008).
13. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 80, 805 (2002).
14. A. R. Arehart, A. Corrion, C. Poblenz, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi C 5, 1750 (2008).
15. G. Lucovsky, Solid State Commun. 3, 299 (1965).
16. A. Chantre, G. Vincent, and D. Bois, Phys. Rev. B 23, 5335 (1981).
17. A. M. Armstrong, Ph.D. thesis, The Ohio State University, 2006.
18. A. Hierro, Ph.D. thesis, The Ohio State University, 2001.
19. A. Armstrong, A. Arehart, D. Green, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi C 2, 2411 (2005).
20. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 56, R10020 (1997).
21. A. Armstrong, A. R. Arehart, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 84, 374 (2004).
22. Evans Analytical Group, Application Note 370 (2007).
23. A. R. Arehart, C. Poblenz, B. Heying, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, MRS Symposia Proceedings (Materials Research Society, Pittsburgh, 2003), Vol. 789, p. Y9.8.
24. N. Newman, J. Cryst. Growth 178, 102 (1997).
25. M. A. L. Johnson, C. Yu, W. C. Boney, J. W. Hughes, J. F. Cook, H. Jr, B. J. Schetzina, and J. A. Zhao, in MRS Symposia Proceedings, edited by, T. D. M. F. A. Ponce, I. Akasaki, and, B. A. Mone, (Materials Research Society, Pittsburgh, 1996).
26. A. J. Ptak, K. S. Ziemer, M. R. Millecchia, C. D. Stinespring, and T. H. Myers, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.10 (1999).
27. Z.-Q. Fang, D. C. Look, and L. Polenta, J. Phys.: Condens. Matter 14, 13061 (2002).
28. A. Hierro, M. Hansen, L. Zhao, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi B 228, 937 (2001).
29. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi B 228, 309 (2001).
30. Z.-Q. Fang, D. C. Look, X.-L. Wang, J. Han, F. A. Khan, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 82, 1562 (2003).