Influence of active nitrogen species on high temperature limitations for (0001) GaN growth by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1654-1658

  Myers, T H ^a  

^a WEST VIRGINIA UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644451242     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590805     Document Type: Article

References (28)

1. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
2. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
3. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
4. J. M. Reifsnider, D. W. Gotthold, A. L. Holmes, and B. G. Streetman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1278 (1998).
5. M. A. L. Johnson, J. D. Brown, N. A. El-Masry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, H. S. Kong, and J. A. Redmond, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1282 (1998).
6. Z. Yu, S. L. Buczkowski, N. C. Giles, T. H. Myers, and M. R. Richards-Babb, Appl. Phys. Lett. 69, 2731 (1996);
7. S. L. Buczkowski, Z. Yu, M. R. Richards-Babb, N. C. Giles, T. H. Myers, and L. T. Romano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 197 (1997).
8. H. Morkoc, A. Botchkarev, A. Salvador, and B. Sverdlov, J. Cryst. Growth 150, 887 (1995).
9. H. Reichert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Straub, and H. Tews, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 149 (1997).
10. R. C. Powell, N.-E. Green, Y.-W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
11. S. Einfeldt, U. Birkle, C. Thomas, M. Fehre, H. Heinke, and D. Hommel, Mater. Sci. Eng., B 50, 12 (1997).
12. T. G. Anderson, K. Nozawa, and Y. Horikoshi, J. Cryst. Growth 175-176, 117 (1997).
13. A. R. Smith, V. Ramachandra, R. M. Feenstra, D. W. Greve, A. Ptak, T. Myers, W. Sarney, L. Salamanca-Riba, M. Shin, and M. Skowronski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 12 (1998).
14. "Characterization and modeling of an rf plasma source of active nitrogen for GaN growth," M.S. thesis in Chemical Engineering, Sumeet Kumar.
15. N. Newman, J. Cryst. Growth 178, 102 (1997);
16. N. Newman, Semiconductors and Semimetals 50 (Academic, New York, 1998), pp. 55-101.
17. M. A. L. Johnson, Zhonghai Yu, C. Boney, W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, H. Zho, B. J. Skromme, and J. A. Redmond, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 215 (1997).
18. M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
19. A. J. Ptak, K. S. Ziemer, M. R. Millecchia, C. D. Stinespring, and T. H. Myers, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.10 (1999).
20. T. H. Myers, L. S. Hirsch, L. T. Romano, and M. R. Richards-Babb, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2261 (1998).
21. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, W. J. DeSisto, and R. J. Gorman, J. Appl. Phys. 84, 1998 (1998).
22. N.-E. Lee, R. C. Powell, Y.-W. Kim, and J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2293 (1995).
23. R. Held, D. E. Crawford, A. M. Johnson, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, J. Electron. Mater. 26, 272 (1997).
24. R. P. Muller, Beckman Institute, Caltech, Pasadena, CA (private communication).
25. J. S. Speck, Materials Department, University of California - Santa Barbara, private communication.
26. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).
27. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Culbertson, and R. J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 73, 2018 (1998).
28. M. E. Bartram, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.68 (1999).