High-k dielectrics and metal gates for future generation memory devices

ECS Transactions

Volumn 19, Issue 1, 2009, Pages 29-40

  Kittl, J A ^a   Opsomer, K ^a   Popovici, M ^a   Menou, N ^a   Kaczer, B ^a   Wang, X P ^a   Adelmann, C ^a   Pawlak, M A ^a   Tomida, K ^a   Rothschild, A ^a   Govoreanu, B ^a   Degraeve, R ^a   Schaekers, M ^a   Zahid, M ^a   Delabie, A ^a   Meersschaut, J ^a   Polspoel, W ^a   Clima, S ^a   Pourtois, G ^a   Knaepen, W ^b   Detavernier, C ^b   Afanas'ev, V V ^c   Blomberg, T ^d   Pierreux, D ^e   Swerts, J ^e   Fischer, P ^e   Maes, J W ^e   Manger, D ^f   Vandervorst, W ^a   Conard, T ^a   Franquet, A ^a   Favia, P ^a   Bender, H ^a   Brijs, B ^a   Van Elshocht, S ^a   Jurczak, M ^a   Van Houdt, J ^a   Wouters, D J ^a   more..

^a IMEC   (Belgium)

^b GHENT UNIVERSITY   (Belgium)

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

^d ASM Microchemistry Oy   (Finland)

^e ASM BELGIUM   (Belgium)

^f Qimonda   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; ASPECT RATIO; ATOMIC LAYER DEPOSITION; BARIUM COMPOUNDS; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE; DIELECTRIC MATERIALS; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; ENERGY GAP; FLASH MEMORY; LOGIC GATES; METAL INSULATOR BOUNDARIES; METALS; MIM DEVICES; NIOBIUM COMPOUNDS; PEROVSKITE; STRONTIUM TITANATES;

AGGRESSIVE SCALING; CONFORMAL DEPOSITION; DEPOSITION OF METALS; DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY; EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; FUTURE GENERATIONS; HIGH ASPECT RATIO; METAL INSULATOR METAL CAPACITOR (MIM);

HIGH-K DIELECTRIC;

EID: 74249100320     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3118928     Document Type: Conference Paper

References (28)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
2. J. Robertson, Eur. J. Appl. Phys., 28, 265 (2004).
3. D. G. Schlom, J. H. Haeni, MRS Bulletin, March 2002, 198 (2002).
4. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, J. Appl. Phys., 102, 081301 (2007).
5. M. Houssa, L. Pantisano, L. A. Ragnarsson. R. Degraeve, T. Schram, G. Pourtois, S. De Gendt, G. Groeseneken, M. Heyns, Mat. Sci. & Eng. R, 51, 37 (2006).
6. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, L. Colombo, Appl. Phys. Lett., 80, 3183 (2002).
7. D. Roy, S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett., 62, 1056 (1993).
8. C. S. Hwang, S. O. Park, C. S. Kang, H. J. Cho, H. K. Kang, S. T. Ahn, M. Y. Lee, Jap. J. Appl. Phys., 34, 5178 (1995).
9. C. S. Hwang, Mater. Sci. and Eng. B, 56, 178 (1998).
10. C. S. Hwang, S. Park, H. J. Cho, C. S. Kang, H. K. Kang, S. I. Lee, M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 67, 2819 (1995).
11. M. Vehkamäki, T. Hatanpää, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, Electrochem. and Solid-State Lett., 2, 504 (1999).
12. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, E. Rauhalaand, J. Keinonen, Chem. Vapor Deposition, 7, 75 (2001).
13. J-H. Ahn, J-Y. Kim, S-W. Kang, J-H. Kim, and J-S. Roh, Appl. Phys. Lett. 91, 062910(2007).
14. O. S. Kwon, S. W. Lee, J. H. Han, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 154(6), G127 (2007).
15. S. W. Lee, O. S. Kwon, J. H. Han, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 92, 222903 (2008).
16. D-S. Kil, H-S. Song, K-J. Lee, K. Hong, J-H. Kim, K-S. Park, S-J. Yeom, J-S. Roh, N-J Kwak, H-C. Sohn, J-W. Kim, and S-W. Park, Symp. VLSI Tech. Dig., 2006, 38, (2006).
17. N. Menou, X.P. Wang, B. Kaczer, W. Polspoel, M. Popovici, K. Opsomer, M. A. Pawlak, W. Knaepen, C. Detavernier, T. Blomberg, D. Pierreux, J. Swerts, J. W. Maes, P. Favia, H. Bender, B. Brijs, W.Vandervorst, S. Van Elshocht, D. J. Wouters, S. Biesemans, J. A. Kittl, IEDM Tech. Dig., 2008, 929 (2008).
18. S. N. Ruddlesden and P. Popper, Acta Crystallogr., 10, 538 (1957).
19. M. Stengel, N. A. Spaldin, Nature, 443, 679 (2006).
20. D.Manger, B.Kaczer, N.Menou, S.Clima, D.J.Wouters, V.V. Afanas'ev, J. A. KM, Microelectronic Engineering (INFOS 2009), in press.
21. C. H. Lee, S. H. Hur, Y. C. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, K. Kim, Appl. Phys. Lett., 86, 152908 (2005).
22. C. H. Lee, K. I. Choi, M. K. Cho, Y. H. Song, K. C. Park, K. Kim, IEDM Tech. Dig., 2003, 613 (2003).
23. S. Mori, Y. Y. Araki, M. Sato, H. Meguro, H. Tsunoda, E. Kamiya, K. Yoshikawa, N. Arai, E. Sakagami, IEEE Trans. Electron Dev., 43, 47 (1996).
24. R. Degraeve, M. J. Cho, B. Govoreanu, B. Kaczer, M. Zahid, J. Van Houdt, M. Jurczak, IEDM Tech. Dig., 2008, 775 (2008).
25. C. Zhao, T. Witters, B. Brijs, H. Bender, O. Richard, M. Caymax, T. Heeg, J. Schubert, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett., 86, 132903 (2005).
26. B. Govoreanu, R. Degraeve, J. A. KM, M. Zahid, M. Cho, B. Kaczer, M. Jurczak, J. Van Houdt, Microelectronic Engineering (INFOS 2009), in press.
27. B. Govoreanu, D. Wellekens, L. Haspeslagh, D.P. Brunco, J. De Vos, D. Ruiz Aguado, P. Blomme, K. van der Zanden, J. Van Houdt, Solid-State Electronics, 52, 557 (2008).
28. C. Adelmann, S. Van Elshocht, A. Franquet, T. Conard, O. Richard, H. Bender, P. Lehnen, S. De Gendt, Appl. Phys. Lett., 92, 112902 (2008).