H2O-and O3-based atomic layer deposition of high- κ dielectric films on GeO2 passivation layers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 10, 2009, Pages

  Delabie, A ^a   Alian, A ^a   Bellenger, F ^a   Caymax, M ^a   Conard, T ^a   Franquet, A ^a   Sioncke, S ^a   Van Elshocht, S ^a   Heyns, M M ^a,b   Meuris, M ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEGREE OF INTERMIXING; ELECTRICAL QUALITY; ENABLING TECHNIQUES; FORMING GAS; INTERFACE STATE DENSITY; INTERFACIAL LAYER; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; PASSIVATION LAYER; PROCESS CONDITION;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ATOMS; DIELECTRIC DEVICES; DIELECTRIC FILMS; GERMANIUM; HAFNIUM; PASSIVATION; PLATINUM; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR DEVICES;

PHASE INTERFACES;

EID: 69649092395     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3200902     Document Type: Article

References (37)

1. M. Bohr, R. Chau, T. Ghani, and K. Mistry, IEEE Spectrum, 44, 29 (2007).
2. J. Mitard, B. De Jaeger, F. E. Leys, G. Hellings, K. Martens, G. Eneman, D. P. Brunco, R. Loo, D. Shamiryan, T. Vanderweyer, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2008, 873.
3. M. Houssa, B. De Jaeger, A. Delabie, S. Van Elshocht, V. Afanasiev, J. Autran, A. Stesmans, M. Meuris, and M. Heyns, J. Non-Cryst. Solids, 351, 1902 (2005).
4. M. Caymax, S. Van Elshocht, M. Houssa, A. Delabie, T. Conard, M. Meuris, M. M. Heyns, A. Dimoulas, S. Spiga, M. Fanciulli, Mater. Sci. Eng., B, 135, 256 (2006).
5. J. R. Weber, A. Janotti, P. Rinke, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett., 91, 142101 (2007).
6. C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, P. C. McIntyre, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 1509 (2006).
7. A. Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou, N. Boukos, M. Houssa, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett., 86, 032908 (2005).
8. K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett., 85, 52 (2004).
9. V. Craciun, I. W. Boyd, B. Hutton, and D. Williams, Appl. Phys. Lett., 75, 1261 (1999).
10. A. Molle, N. K. Bhuiyan, G. Tallirada, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 89, 083504 (2006).
11. M. Perego, G. Scarel, M. Fanciulli, I. L. Fedushkin, and A. A. Skatova, Appl. Phys. Lett., 90, 162115 (2007).
12. Y. Fukuda, T. Ueno, S. Hirono, and S. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 6981 (2005).
13. H. Matsubara, T. Sasadu, M. Takenaka, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett., 93, 032104 (2008).
14. P. Tsipas, S. N. Volkos, A. Sotiropoulos, S. F. Galata, G. Mavrou, D. Tsoutsou, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, C. Marchiori, and J. Fompeyrine, Appl. Phys. Lett., 93, 082904 (2008).
15. A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, T. Conard, S. Van Elshocht, M. Caymax, M. Heyns, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett., 91, 082904 (2007).
16. F. Bellenger, M. Houssa, A. Delabie, V. Afanasiev, T. Conard, M. Caymax, M. Meuris, K. De Meyer, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 155, G33 (2008).
17. M. Caymax, M. Houssa, G. Pourtois, F. Bellenger, K. Martens, A. Delabie, and S. Van Elshocht, Appl. Surf. Sci., 254, 6094 (2008).
18. D. Kuzum, T. Krishnamohan, A. J. Pethe, A. K. Okyay, Y. Oshima, Y. Sun, J. P. McVittie, P. A. Pianetta, P. C. McIntyre, and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett., 29, 328 (2008).
19. T. J. Grassman, S. R. Bishop, and A. C. Kummel, Surf. Sci., 602, 2373 (2008).
20. J. Broqvist, J. F. Binder, and A. Pasquarello, Appl. Phys. Lett., 94, 141911 (2009).
21. S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, G. Scarel, S. Ferrari, G. Seguini, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 87, 112904 (2005).
22. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, A. Delabie, F. Bellenger, M. Houssa, and M. Meuris, Appl. Phys. Lett., 92, 022109 (2008).
23. S. Baldovino, S. Spiga, G. Scarel, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 91, 172905 (2007).
24. S. Baldovino, A. Molle, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 93, 242105 (2008).
25. M. Houssa, G. Pourtois, M. Caymax, M. Meuris, M. M. Heyns, V. Afanas'ev, and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett., 93, 161909 (2008).
26. D. Schmeisser, R. D. Schnell, A. Bogen, F. J. Himpsel, D. Reiger, G. Landgren, and J. F. Morar, Surf. Sci., 172, 455 (1986).
27. D. P. Brunco, A. Dimoulas, N. Boukos, M. Houssa, T. Conard, K. Martens, C. Zhao, F. Bellenger, M. Caymax, M. Meuris, J. Appl. Phys., 102, 024104 (2007).
28. P. Mack, R. G. White, J. Wolstenholme, and T. Conard, Appl. Surf. Sci., 252, 8270 (2006).
29. J. R. Hauser and K. Ahmed, in International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, p. 235 (1998).
30. R. Castagne and A. Vapaille, Surf. Sci., 28, 157 (1971).
31. B. Onsia, T. Conard, S. De Gendt, M. Heyns, I. Hoflijk, P. Mertens, M. Meuris, G. Raskin, S. Sioncke, I. Teerlinck, Solid State Phenom., 103-104, 27 (2005).
32. A. Delabie, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, B. Onsia, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. M. Heyns, J. Appl. Phys., 97, 064104 (2005).
33. A. Delabie, A. Alian, F. Bellenger, G. Brammertz, D. P. Brunco, M. Caymax, T. Conard, A. Franquet, M. Houssa, S. Sioncke, ECS Trans., 15 (10), 671 (2008).
34. J. F. Scott, Phys. Rev. B, 1, 3488 (1970).
35. A. Delabie, M. Caymax, B. Brijs, D. P. Brunco, T. Conard, E. Sleeckx, S. Van Elshocht, L.-Å. Ragnarsson, S. De Gendt, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 153, F180 (2006).
36. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
37. M. Eriksson, A. Salomonsson, I. Lundstrom, D. Briand, and A. E. Abom, J. Appl. Phys., 98, 034903 (2005).