The CL emission observation of the InGaN/GaN MQWs V shaped pits with different superlattices underlayers

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

Volumn 5, Issue 6, 2008, Pages 1639-1641

  Lai, W C ^a   Huang, Y S ^a   Yen, Y W ^a   Sheu, J K ^a   Hsueh, T H ^a   Kuo, C H ^b   Chang, S J ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INGAN/GAN; INGAN/GAN MQWS; INGAN/GAN MULTI-QUANTUM WELL; LIGHT OUTPUT; PIT DENSITY; PIT DEPTHS; SAMPLE SURFACE; STRAINED LAYER SUPERLATTICE; UNDERLAYERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SUPERLATTICES;

NITRIDES;

EID: 67649147086     PISSN: 18626351     EISSN: 16101642     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssc.200778559     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976 (1999).
2. M. P. Mack, A. C. Abare, M. Hansen, P. Kozodoy, S. Keller, U. Mishra, L. A. Coldren, and S. P. DenBaars, J. Cryst. Growth 189/190, 837 (1998).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. I. Ngahama, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
4. N. Sharma, P. Thomas, D. Tricker, and C. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 77, 1274 (2000).
5. X. W. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mach, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
6. H. K. Cho, J. Y. Lee, C. S. Kim, G. M. Yang, N. Sharma, and C. Humphreys, J. Cryst. Growth 231, 466 (2001).
7. J. Northrup, L. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
8. P. Q. Miraglia, E. A. Preble, A. M. Roskowski, S. Einfeldt, S. H. Lim, Z. Liliental-Weber, and R. F. Davis, Thin Solid Films 437, 140 (2003).
9. S. Keller, S. F. Chichibu, M. S. Minsiky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, J. Cryst. Growth 195, 258 (1998).
10. A. Hangleiter, F. Hitzel, C. Netzel, D. Fuhrmann, U. Rossow, G. Ade, and P. Hinze, Phys. Rev. Lett. 95, 127402 (2005).
11. H. L. Tsai, T. Y. Wang, J. R. Yang, C. C. Chuo, J. T. Hsu, M. Ceh, and M. Shiojiri, J. Appl. Phys. 101, 023521 (2007).
12. H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)
13. J. R. Gong, C. W. Huang, S. F. Tseng, T. Y. Lin, K. M. Lin, W. T. Liao, Y. L. Tsai, B. H. Shi, and C. L. Wang, J. Cryst. Growth 260, 73 (2004).
14. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 8, 744 (2002).
15. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 8, 278 (2002).
16. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin, and J. C. Ke, IEEE J. Quantum Electron. 39, 1439 (2003).
17. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).
18. C. Huh, K. S. Lee, E. J. Kang, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 93, 9383 (2003).
19. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1447 (2004).