Experimental relation between stranski-krastanov growth of DIP/F 16CoPc heterostructures and the reconstruction of the organic interface

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 11, 2009, Pages 4234-4239

  De Oteyza, Dimas G ^a,b,c,d   Barrena, Esther ^a,b,c,d   Zhang, Yi ^a,b,c,d   Krauss, Tobias N ^a,b,c,d   Turak, Ayse ^a,b,c,d   Vorobiev, Alexei ^a,b,c,d   Dosch, Helmut ^a,b,c,d  

^a DONOSTIA INTERNATIONAL PHYSICS CENTER DIPC   (Spain)

^b MAX PLANCK INSTITUTE FOR INTELLIGENT SYSTEMS   (Germany)

^c UNIVERSITY OF STUTTGART   (Germany)

^d EUROPEAN SYNCHROTRON RADIATION FACILITY   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABRUPT CHANGES; CONTROLLED GROWTHS; HETEROSTRUCTURES; INTERFACIAL LAYERS; MORPHOLOGICAL TRANSITIONS; ORGANIC HETEROJUNCTIONS; ORGANIC INTERFACES; STRANSKI-KRASTANOV GROWTHS; THERMAL ACTIVATIONS; THRESHOLD TEMPERATURES;

COBALT; CRYSTALS; RESTORATION;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 65249180090     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp809512a     Document Type: Article

References (67)

1. Forrest, S. R. Nature 2004, 428, 911.
2. Kelley, T. W.; Balde, P. F.; Gerlach, C.; Ender, D. E.; Muyres, D.; Haase, M. A.; Vogel, D. E.; Theiss, S. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4413.
3. Yang, F.; Shtein, M.; Forrest, S. R. Nat. Mater. 2005, 4, 37.
4. Ma, W.; Yang, C.; Gong, X.; Lee, K.; Heeger, A. J. Adv. Func. Mater. 2005, 15, 1617.
5. Hoppe, H.; Sariciftci, N. S. J. Mater. Res. 2004, 19, 1924.
6. Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; Da Silva Filho, D. A.; Bredas, J.- L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
7. Koch, N. ChemPhysChem 2007, 8, 1438.
8. Puntambekar, K. P.; Pesavento, P. V.; Frisbie, C. D. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5539.
9. Nichols, J. A.; Gundlach, D. J.; Jackson, T. N. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2366.
10. Müller, K.; Goryachko, A.; Burkov, Y.; Schwiertz, C.; Ratzke, M.; Köble, J.; Reif, J.; Schmeisser, D. Synth. Met. 2004, 146, 377.
11. Yang, S. Y.; Shin, K.; Park, C. E. Adv. Func. Mater. 2005, 15, 1806.
12. Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
13. Veres, J.; Ogier, S.; Lloyd, G.; de Leeuw, D. Chem. Mater. 2004, 16, 4543.
14. Chiesa, M.; Bürgi, L.; Kim, J.-S.; Shikler, R.; Friend, R. H.; Sirringhaus, H. Nano Lett. 2005, 5, 559.
15. Liu, A.; Zhao, S.; Rim, S.-B.; Wu, J.; Könemann, M.; Erk, P.; Peumans, P. Adv. Mater. 2008, 20, 1065.
16. Wang, H.; Wang, J.; Huang, H.; Yan, X.; Yan, D. Org. Electron 2006, 7, 369.
17. Coffey, D. C.; Ginger, D. S. Nat. Mater. 2006, 5, 735.
18. Ho, P. K. H.; Kim, J.-S.; Burroughes, J. H.; Becker, H.; Li, S. F. Y.; Brown, T. M.; Cacialli, F.; Friend, R. H. Nature 2000, 404, 481.
19. Duhm, S.; Heimel, G.; Salzmann, I.; Glowatzki, H.; Johnson, R. L.; Vollmer, A.; Rabe, J. P.; Koch, N. Nat. Mater. 2008, 7, 326.
20. Chen, W.; Chen, S.; Huang, H.; Qi, D. C.; Gao, X. Y.; Wee, A. T. S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 063308.
21. Chen, W.; Huang, H.; Chen, S.; Gao, X. Y.; Wee, A. T. S. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 5036.
22. Chen, W.; Huang, H.; Chen, S.; Chen, L.; Zhang, H. L.; Gao, X. Y.; Wee, A. T. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 114102.
23. Koller, G.; Berkebile, S.; Krenn, J. R.; Netzer, F. P.; Oehzelt, M.; Haber, T.; Resel, R.; Ramsey, M. G. Nano Lett. 2006, 6, 1207.
24. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Osso, J. O.; Sellner, S.; Dosch, H. Chem. Mater. 2006, 18, 4212.
25. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Sellner, S.; Osso, J. O.; Dosch, H. Surf. Sci. 2007, 601, 4117.
26. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Sellner, S.; Osso, J. O.; Dosch, H. Thin Solid Films 2008, 516, 7525.
27. Heutz, S.; Jones, T. S. J. Appl. Phys. 2002, 92, 3039.
28. Yim, S.; Heutz, S.; Jones, T. S. Phys. Rev. B 2003, 67, 165308.
29. Heutz, S.; Cloots, R.; Jones, T. S. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3938.
30. Sullivan, P.; Jones, T. S.; Ferguson, A. J.; Heutz, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 233114.
31. Campione, M. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 16178.
32. Yang, J.; Wang, T.; Wang, H.; Zhu, F.; Li, G.; Yan, D. J. Phys. Chem. B 2008, 112, 3132.
33. Wang, H.; Zhu, F.; Yang, J.; Geng, Y.; Yan, D. Adv. Mater. 2007, 19, 2168.
34. Wang, H.; Song, D.; Yang, J.; Yu, B.; Geng, Y.; Yan, D. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 253510.
35. de Oteyza, D. G.; Krauss, T. N.; Barrena, E.; Sellner, S.; Dosch, H.; Osso, J. O. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 243104.
36. Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; Sellner, S.; Dosch, H.; Osso, J. O.; Struth, B. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 076102.
37. Hipps, K. W.; Scudiero, L.; Barlow, D. E.; Cooke, M. P. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 2126.
38. Hipps, K. W.; Scudiero, L.; Barlow, D. E. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 2903.
39. Peisert, H.; Knupfer, M.; Schwieger, T.; Fuentes, G. G.; Olligs, D.; Fink, J.; Schmidt, T. J. Appl. Phys. 2003, 93, 9683.
40. Brinkmann, H.; Kelting, C.; Makarov, S.; Tsaryov, O.; Schnurpfeil, G.; Wöhrle, D.; Schlettwein, D. Phys. Stat. Sol. A 2008, 205, 409.
41. Koch, N.; Vollmer, A.; Duhm, S.; Sakamoto, Y.; Suzuki, T. Adv. Mater. 2007, 19, 112.
42. Sakamoto, Y.; Suzuki, T.; Kobayashi, M.; Gao, Y.; Fukai, Y.; Inoue, Y.; Sato, F.; Tokito, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 8138.
43. Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; Da Silva Filho, D. A.; Bredas, J.- L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
44. Parratt, L. G. Phys. Rev. 1954, 95, 359.
45. Krause, B.; Dürr, A. C.; Schreiber, F.; Dosch, H.; Seeck, O. H. J. Chem. Phys. 2003, 119, 3429.
46. Schiefer, S.; Huth, M.; Dobrinevski, A.; Nickel, B. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 10316.
47. Vlieg, E. J. Appl. Crystallogr. 1997, 30, 532.
48. Horcas, I.; Fernández, R.; Gómez-Rodríguez, J. M.; Colchero, J.; Gómez-Herrero, J.; Baró, A. M. Rev. Sci. Instrum. 2007, 78, 013705.
49. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Sellner, S.; Ossó, J. O.; Dosch, H. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 16618.
50. The distance between layers of lying down F16CoPc is expected to be comparable to that found for F16CuPc (3.14 Å).24
51. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Ossó, J. O.; Sellner, S.; Dosch, H. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 15052.
52. de Oteyza, D. G.; Barrena, E.; Ossó, J. O.; Dosch, H.; Meyer, S.; Pflaum, J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 183504.
53. While this height is smaller than that expected from our X-ray reflectivity measurements, we ascribe the discrepancy to a deviation in the growth temperature calibration of the different growth chambers used for the AFM and the X-ray experiments.
54. Durr, A. C.; Koch, N.; Kelsch, M.; Ruhm, A.; Ghijsen, J.; Johnson, R. L.; Pireaux, J.-J.; Schwartz, J.; Schreiber, F.; Dosch, H.; Kahn, A. Phys. Rev. B 2003, 68, 115428.
55. Zhang, X. N.; Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; Dosch, H. Surf. Sci. 2007, 601, 2420.
56. Zhang, X. N.; Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; De Souza, E.; Dosch, H. J. Appl. Phys. 2008, 104, 104308.
57. Barrena, E.; de Oteyza, D. G.; Dosch, H.; Wakayama, Y. ChemPhysChem 2007, 8, 1915.
58. de Oteyza, D. G.; Silanes, I.; Ruiz-Osés, M.; Barrena, E.; Doyle, B. P.; Arnau, A.; Dosch, H.; Wakayama, Y.; Ortega, J. E. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 259.
59. The changes in the DIP (21 L) peak intensities respond to deviations in the DIP coverage of the different samples. The peak shift towards lower q| values at higher temperatures arises from thermal expansion.
60. Nabok, D.; Puschnig, P.; Ambrosch-Draxl, C.; Werzer, O.; Resel, R.; Smilgies, D.-M. Phys. Rev. B 2007, 76, 235322.
61. Yoshiba, H.; Inaba, K.; Sato, N. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 181930.
62. Yuan, Q.; Mannsfeld, S. C. B.; Tang, M. L.; Toney, M. F.; Luning, J.; Bao, Z. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 3502.
63. Yuan, Q.; Mannsfeld, S. C. B.; Tang, M. L.; Roberts, M.; Toney, M. F.; DeLongchamp, D. M.; Bao, Z. Chem. Mater. 2008, 20, 2763.
64. Salzmann, I.; Duhm, S.; Heimel, G.; Rabe, J. P.; Koch, N.; Oehzelt, M.; Sakamoto, Y.; Suzuki, T. Langmuir 2008, 24, 7294.
65. Krauss, T. N.; Barrena, E.; Zhang, X. N.; de Oteyza, D. G.; Major, J.; Dehm, V.; Würthner, F.; Cavalcanti, L. P.; Dosch, H. Langmuir 2008, 24, 12742.
66. Mabis, A. J. Acta Crystallogr. 1962, 15, 1152.
67. Hoshino, A.; Isoda, S.; Kobayashi, T. J. Cryst. Growth 1991, 115, 826.