Vacancy-oxygen complexes and their optical properties in AlN epitaxial films studied by positron annihilation

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 5, 2009, Pages

  Uedono, A ^a   Ishibashi, S ^b   Keller, S ^c   Moe, C ^c   Cantu, P ^c   Katona, T M ^c   Kamber, D S ^c   Wu, Y ^c   Letts, E ^c   Newman, S A ^c   Nakamura, S ^c,d   Speck, J S ^c,d   Mishra, U K ^c   Denbaars, S P ^c,d   Onuma, T ^a,d,e   Chichibu, S F ^a,d,e  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^c Santa Barbara   (United States)

^d JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^e TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC SPECTROSCOPY; BUFFER LAYERS; DEFECTS; DOPPLER EFFECT; EMISSION SPECTROSCOPY; EPITAXIAL FILMS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; OPTICAL PROPERTIES; ORBITS; OXYGEN; PHASE INTERFACES; POSITRONS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SURFACE DEFECTS; VACANCIES; VAPORS;

ALN; ANNIHILATION RADIATIONS; CATHODOLUMINESCENCE SPECTRUM; CONCENTRATION OF; DOPPLER BROADENING SPECTRUM; EMISSION PEAKS; GAN BUFFER LAYERS; HALIDE VAPOR PHASE EPITAXIES; LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTHS; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXIES; MONOENERGETIC POSITRON BEAMS; MOVPE; OXYGEN ATOMS; VACANCY-OXYGEN COMPLEXES; VACANCY-TYPE DEFECTS; WAVE METHODS;

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

EID: 62549145337     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3079333     Document Type: Article

References (35)

1. S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B. A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, and T. Sota, Nature Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1726 5, 810 (2006).
2. M. Asif Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang, and E. Kuokstis, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 7192 (2005). 0021-4922
3. For a review, see, for example, H. Hirayama, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1899760 97, 091101 (2005).
4. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature (London) 0028-0836 10.1038/nature04760 441, 325 (2006).
5. S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck, and S. Nakamura, Mater. Sci. Forum 590, 233 (2008).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, J. Cryst. Growth 189-190, 820 (1998). 0022-0248
7. M. Hansen, P. Fini, L. Zhao, A. C. Abare, L. A. Coldren, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125808 76, 529 (2000).
8. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.155212 65, 155212 (2002).
9. Q. Zhou and M. O. Manasreh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1463703 80, 2072 (2002).
10. N. Nepal, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiangm, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1648137 84, 1090 (2004).
11. S. M. Evans, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. A. Slack, S. B. Schujman, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2173237 88, 062112 (2006).
12. T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.16676 54, 16676 (1996).
13. G. A. Slack, L. J. Schowalter, D. Morellic, and J. A. Freitas, Jr., J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)01753-0 246, 287 (2002).
14. M. Kazan, B. Ruff́, Ch. Zgheib, and P. Masri, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2137461 98, 103529 (2005).
15. E. Monroy, J. Zenneck, G. Cherkashinin, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2173622 88, 071906 (2006).
16. A. Dadgar, A. Krost, J. Christen, B. Bastek, F. Bertram, A. Krtschil, T. Hempel, J. Bläsing, U. Haboeck, and A. Hoffmann, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.046 297, 306 (2006).
17. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Solid-State Sciences (Springer-Verlag, Berlin, 1999), Vol. 127.
18. T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Sota, P. Cantu, T. M. Katona, J. F. Keading, S. Keller, U. K. Mishra, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1644041 95, 2495 (2004).
19. J. Slotte, F. Tuomisto, K. Saarinen, C. G. Moe, S. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2721132 90, 151908 (2007).
20. T. Koyama, M. Sugawara, T. Hoshi, A. Uedono, J. F. Kaeding, R. Sharma, S. Nakamura, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2748315 90, 241914 (2007).
21. F. Tuomisto, J. -M. Mäki, T. Yu. Chemekova, Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, E. N. Mokhov, A. S. Segal, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava, M. Bickermann, and B. M. Epelbaum, J. Cryst. Growth 310, 3998 (2008). 0022-0248
22. H. Ikeda, T. Okamura, K. Matsukawa, T. Sota, M. Sugawara, T. Hoshi, P. Cantu, R. Sharma, J. F. Kaeding, S. Keller, U. K. Mishra, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, T. Shibata, M. Tanaka, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, T. Koyama, T. Onuma, and S. F. Chichibu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2825577 102, 123707 (2007).
23. D. S. Kamber, Y. Wu, E. Letts, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. A. Newman, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2716068 90, 122116 (2007).
24. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort, and M. R. Ijpma, AIP Conf. Proc. 0094-243X 10.1063/1.40182 218, 171 (1991).
25. P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.50.17953 50, 17953 (1994).
26. N. A. W. Holzwarth, G. E. Matthews, R. B. Dunning, A. R. Tackett, and Y. Zeng, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.55.2005 55, 2005 (1997).
27. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.1758 59, 1758 (1999).
28. S. Ishibashi, T. Tamura, S. Tanaka, M. Kohyama, and K. Terakura, (unpublished).
29. S. Ishibashi, Mater. Sci. Forum 445-446, 401 (2004).
30. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.77.3865 77, 3865 (1996).
31. S. G. Louie, S. Froyen, and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.26.1738 26, 1738 (1982).
32. E. Boroński and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.3820 34, 3820 (1986).
33. A. Uedono, S. F. Chichibu, Z. Q. Chen, M. Sumiya, R. Suzuki, T. Ohdaira, T. Mikado, T. Mukai, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1372163 90, 181 (2001).
34. A. Uedono, K. Ito, H. Nakamori, K. Mori, Y. Nakano, T. Kachi, S. Ishibashi, T. Ohdaira, and R. Suzuki, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2798586 102, 084505 (2007).
35. A. Uedono, C. Shaoqiang, S. Jongwon, K. Ito, H. Nakamori, N. Honda, S. Tomita, K. Akimoto, H. Kudo, and S. Ishibashi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2932166 103, 104505 (2008).