Detailed characterization of contact resistance, gate-bias-dependent field-effect mobility, and short-channel effects with microscale elastomeric single-crystal field-effect transistors

Advanced Functional Materials

Volumn 19, Issue 5, 2009, Pages 763-771

  Reese, Colin ^a   Bao, Zhenan ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; SINGLE CRYSTALS;

COMMERCIAL APPLICATIONS; CRYSTAL FIELDS; DEVICE MODELS; DEVICE PHYSICS; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; FIELD-EFFECT MOBILITIES; MICRO-SCALE; MULTIPLE CHANNELS; ORGANIC CIRCUITS; ORGANIC ELECTRONIC MATERIALS; ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS; SHORT-CHANNEL EFFECTS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 62149126688     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200801019     Document Type: Article

References (45)

1. a) C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
2. b) Organic Field-Effect Transistors, Vol. 128, CRC Press, Taylor and Francis, Boca Raton, FL 2007.
3. c) E. A. Katz, Adv. Mater. 2006, 18, 247.
4. C. Reese, M. Roberts, M.-M. Ling, Z. Bao, Mater. Today 2004, 7, 20.
5. A. C. Mayer, S. R. Scully, B. E. Hardin, M. W. Rowell, M. D. McGehee, Mater. Today 2007, 10, 28.
6. a) H. Klauk, U. Zschieschang, J. Pflaum. M. Halik, Nature 2007, 445, 745.
7. b) G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. Van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. Van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B. H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. Van Rens, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2004, 3, 106.
8. http://www.sonystyle.com/oled, Sony Corporation, 2008.
9. C. Reese, Z. Bao J. Mater. Chem. 2006, 16, 329.
10. [7] G. Horowitz, P. Lang, M. Mottaghi, H. Aubin, Adv. Func. Mater. 2004, 14, 1069.
11. a) D. W. Li, E. J. Borkent, R. Nortrup, H. Moon, H. Katz, Z. N. Bao, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 042105.
12. b) M. M. Ling, Z. N. Bao, Chem. Mater. 2004, 16, 4824.
13. J. H. Cho, D. H. Kim, Y. Jang, W. H. Lee, K. Ihm, J.-H. Han, S. Chung, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 132101.
14. R. Ruiz, A. Papadimitratos, A. C. Mayer, G. G. Malliaras, Adv. Mater. 2005, 17, 1795.
15. R. Schroeder, L. A. Majewski, M. Grell, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3201.
16. a) D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, M. S. Shur, J. Appl. Phys. 2006, 100, 024509.
17. b) K. S. Lee, T. J. Smith, K. C. Dickey, J. E. Yoo, K. J. Stevenson, Y.-L. Loo, Adv. Func. Mater. 2006, 16, 2409.
18. a) L. Torsi, A. Dodabalapur, L. J. Rothberg, A. W. P. Fung, H. E. Katz, Science 1996, 272, 1462.
19. b) G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, Synth. Met. 2001, 122, 185.
20. P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 2004, 96, 7312.
21. P. V. Pesavento, K. P. Puntambekar, C. D. Frisbie, C. M. John, P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 2006, 99, 094504.
22. G. Horowitz, in Organic Electronics, (Ed: K. Hagen), Wiley VCH, Weinheim, Germany 2006, 1.
23. W. R. Silveira, J. A. Marohn, Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 116104.
24. Y. Luo, F. Gustavo, J.-Y. Henry, F. Mathevet, F. Lefloch, M. Sanquer, P. Rannou, B. Grévin, Adv. Mater. 2007, 19, 2267.
25. A. Molinari, I. Gutierrez, I. N. Hulea, S. Russo, A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 212103/1.
26. J. N. Haddock, X. Zhang, S. Zheng, Q. Zhang, S. R. Marder, B. Kippelen, Org. Electron. 2006, 7, 45.
27. C. Reese, W.-J. Chung, M.-M. Ling, M. Roberts, Z. Bao, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 202108.
28. C. Reese, Z. Bao, Adv. Mater. 2007, 19, 4535.
29. a) V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers, M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 2004, 93.
30. b) M.-M. Ling, C. Reese, A. Briseno, Z. Bao, Synth. Met. 2007, 157, 257.
31. c) R. Zeis, C. Besnard, T. Siegrist, C. Schlockermann, X. Chi, C. Kloc, Chem. Mater. 2006, 18, 244.
32. C. Reese, Z. Bao, J. Appl. Phys. 2008, in press.
33. G. Horowitz, R. Hajlaoui, H. Bouchriha, R. Bourguiga, M. Hajlaoui, Adv. Mater. 1998, 10, 923.
34. a) N. Koch, A. Elschner, J. Schwartz. A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2281.
35. b) I. G. Hill, A. Rajagopal, A. Kahn, Y. Hu, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 662.
36. S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, Wiley, New York 2002.
37. a) V. C. Sundar, J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, J. A. Rogers, Science 2004, 303, 1644.
38. b) R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, V. Podzorov, Phys. Stat. Sol. A 2004, 201, 1302.
39. c) I. N. Hulea, S. Russo, A. Molinari, A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 113512/1.
40. d) J. Zaumseil, K. W. Baldwin, J. A. Rogers, J. Appl. Phys. 2003, 93, 6117.
41. e) M. J. F. Panzer, C. D. Frisbie, in Organic Field-Effect Transistors, Vol. 128 (Eds: Z. Bao, J. Locklin), CRC Press, Boca Raton 2007.
42. f) K. P. Puntambekar, P. V. Pesavento, C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5539.
43. g) R. J. Chesterfield, J. C. McKeen, C. R. Newman, C. D. Frisbie, P. C. Ewbank, K. R. Mann, L. L. Miller, J. Appl. Phys. 2004, 95, 6396.
44. h) H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. S. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, T. N. Jackson, Solid State Electron 2003, 47, 297.
45. C. Kloc, P. G. Simpkins, T. Siegrist, R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 1997, 182, 416.