High-resolution measurement of the anisotropy of charge transport in single crystals

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 24, 2007, Pages 4535-4538

  Reese, Colin ^a   Bao, Zhenan ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER MOBILITY; CHARGE TRANSFER; CRYSTAL STRUCTURE; ELASTOMERS; SINGLE CRYSTALS; SOLID STATE DEVICES;

HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS; INERT ELASTOMER; MEASUREMENT CONSISTENCY;

ANISOTROPY;

EID: 37549026793     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200701139     Document Type: Article

References (32)

1. a) C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
2. b) B. K. Crone, A. Dodabalapur, R. Sarpeshkar, R. W. Filas, Y. Y. Lin, Z. Bao, J. H. O'Neill, W. Li, H. E. Katz, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5125.
3. c) H. Klauk, in Technical Digest - Int. Electron Devices Meeting 2005, 459.
4. d) G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B. H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 2004, 3, 106.
5. e) T. N. Jackson, in Symp. Proc. - Int. Semiconductor Device Research Symp. 2001, 340.
6. f) C. Reese, M. Roberts, M.-M. Ling, Z. Bao, Mater. Today 2004, 7, 20.
7. g) M. Lefenfeld, G. Blanchet, J. A. Rogers, Adv. Mater. 2003, 15, 1188.
8. h) H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, C. M. Hart, E. Cantatore, P. T. Herwig, A. J. J. M. van Breemen, D. M. de Leeuw, Nature 2001, 414, 599.
9. i) R. Bansal, IEEE Ant. Prop. Mag. 2003, 45, 105.
10. j) P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase. T. W. Kelley, D. V. Muyres, S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964.
11. k) R. Rotzoll, S. Mohapatra, V. Olariu, R. Wenz, M. Grigas, K. Dimmler, O. Shchekin, A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 123502/1.
12. a) C. Reese. Z. Bao. Mater. Today 2007, 10, 20.
13. b) R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, V. Podzorov, Phys. Status Solidi A 2004, 201, 1302.
14. C. Reese. Z. Bao, J. Mater. Chem. 2006, 16, 329.
15. C. Reese, W.-J. Chung, M.-M. Ling. M. Roberts. Z. Bao, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 202108.
16. V. C. Sundar. J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, J. A. Rogers, Science 2004, 303, 1644.
17. V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers. M. E. Gershenson. Phys. Rev. Lett. 2004, 93.
18. a) R. Zeis, C. Besnard, T. Siegrist, C. Schlockermann, X. Chi, C. Kloc, Chem. Mater. 2006, 18, 244.
19. b) M.-M. Ling. C. Reese, Z. Bao, Synth. Met. 2007, 157, 257.
20. E. Menard, V. Podzorov, S. H. Hur. A. Gaur, M. E. Gershenson, J. A. Rogers, Adv. Mater. 2004, 16, 2097.
21. V. Podzorov, S. E. Sysoev, E. Loginova, V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3504.
22. a) H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. S. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, T. N. Jackson, Solid-Stale Electron. 2003, 47, 297.
23. b) G. B. Blanchet, C. R. Fincher, M. Lefenfeld, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 296.
24. a) P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 2004, 96, 7312.
25. b) P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, Solid-State Electron. 2003, 47, 259.
26. c) J. Zaumseil, K. W. Baldwin, J. A. Rogers, J. Appl. Phys. 2003, 93, 6117.
27. a) Y. Xia, V. Kalihari, C. D. Frisbic, N. K. Oh, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 162106.
28. b) J. Y. Lee, S. Roth, Y. W. Park, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 252106/1.
29. c) E. A. Silinsh, V. Cápek, Organic Molecular Crystals, AIP, New York 1994.
30. C. Kloc, P. G. Simpkins, T. Siegrist, R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 1997, 182, 416.
31. S. M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, Wiley, New York 2002.
32. G. Horowitz, P. Lang, M. Mottaghi, H. Aubin, Adv. Funct. Mater. 2004, 14, 1069.