Bias-dependent contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 21, 2007, Pages

  Molinari, Anna ^a   Gutírrez, Ignacio ^a   Hulea, Iulian N ^a   Russo, Saverio ^a   Morpurgo, Alberto F ^a  

^a DELFT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; ELECTRIC CONDUCTANCE; GOLD; POLYCYCLIC AROMATIC HYDROCARBONS; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS;

MICROSCOPIC CARRIER INJECTION; REPRODUCIBILITY; RUBRENE; ZERO BIAS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 34249682096     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2741411     Document Type: Article

References (15)

1. M. Halik, H. Lauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M. Schütz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, and F. Stellacci, Nature (London) 431, 963 (2004).
2. G. H. Gelinck, H. Edzer, A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 3, 106 (2004).
3. See, for instance, P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, and C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1806533 96, 7312 (2004); L. Bürgi, T. J. Richards, R. R. Friend, and H. Sirringhaus, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1613369 94, 6129 (2003); D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).
4. See, for instance, P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, and C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1806533 96, 7312 (2004); L. Bürgi, T. J. Richards, R. R. Friend, and H. Sirringhaus, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1613369 94, 6129 (2003); D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).
5. See, for instance, P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, and C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1806533 96, 7312 (2004); L. Bürgi, T. J. Richards, R. R. Friend, and H. Sirringhaus, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1613369 94, 6129 (2003); D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).
6. H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols, and T. N. Jackson, Solid-State Electron. 47, 297 (2003).
7. E. J. Meijer, G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, B.-H. Huisman, D. M. de Leeuw, and T. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 82, 4576 (2003).
8. M. E. Gershenson, V. Podzorov, and A. F. Morpurgo, Rev. Mod. Phys. 78, 973 (2006).
9. I. N. Hulea, S. Russo, A. Molinari, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 88, 113512 (2006).
10. R. W. I. de Boer, T. M. Klapwijk, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1629144 83, 4345 (2003); R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, and V. Podzorov, Phys. Status Solidi A 201, 1302 (2004).
11. R. W. I. de Boer, T. M. Klapwijk, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1629144 83, 4345 (2003); R. W. I. de Boer, M. E. Gershenson, A. F. Morpurgo, and V. Podzorov, Phys. Status Solidi A 201, 1302 (2004).
12. A. F. Stassen, R. W. I. de Boer, N. N. Iosad, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1812368 85, 3899 (2004); I. N. Hulea, S. Fratini, H. Xie, C. L. Mulder, N. N. Iossad, G. Rastelli, S. Ciuchi, and A. F. Morpurgo, Nat. Mater. 5, 982 (2006).
13. A. F. Stassen, R. W. I. de Boer, N. N. Iosad, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1812368 85, 3899 (2004); I. N. Hulea, S. Fratini, H. Xie, C. L. Mulder, N. N. Iossad, G. Rastelli, S. Ciuchi, and A. F. Morpurgo, Nat. Mater. 5, 982 (2006).
14. J. Olivier, B. Servet, M. Vergnolle, M. Mosca, and G. Garry, Synth. Met. 122, 87 (2001).
15. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd (Wiley, New York, 1981), 245.