Growth of crystalline zinc oxide thin films by fine-channel-mist chemical vapor deposition

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 6 PART 1, 2008, Pages 4669-4675

  Kawaharamura, Toshiyuki ^a   Nishinaka, Hiroyuki ^a   Fujita, Shizuo ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

A plane sapphire; Mist CVD; Optical properties; Single crystalline; ZnO

Indexed keywords

ACETIC ACID; ACIDS; AIR POLLUTION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COLD STORAGE; COMPRESSED AIR; CORUNDUM; COST EFFECTIVENESS; CRYSTALLINE MATERIALS; CURVE FITTING; ELECTRIC PROPERTIES; EMISSION SPECTROSCOPY; METALLIC FILMS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OFFSHORE OIL WELL PRODUCTION; OPTICAL FILMS; OPTICAL PROPERTIES; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SOLIDS; THICK FILMS; THIN FILMS; VAPORS; ZINC; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

A-PLANE; A-PLANE SAPPHIRE; APPLICATION FIELDS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS; EDGE EMISSIONS; GROWTH CONDITIONS; GROWTH TECHNIQUES; HALF MAXIMUMS; HEAVY LOADS; MIST CVD; MULTI-FUNCTIONAL; OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; OPTIMIZED CONDITIONS; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; ROCKING CURVES; ROTATIONAL DOMAINS; SINGLE CRYSTALLINE; WATER SOLUTIONS; X-RAY DIFFRACTIONS; ZINC OXIDE THIN FILMS; ZNO; ZNO THIN FILMS;

OXIDE FILMS;

EID: 55049089332     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.4669     Document Type: Article

References (59)

1. X.-L. Guo, J.-H. Choi, H. Tabata, and T. Kawai: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L177.
2. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, and H. Hosono: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5720.
3. D.-K. Hwang, S.-H. Kang, J.-H. Lim, E.-J. Yang, J.-Y. Oh, J.-H. Yang, and S.-J. Park; Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 222101.
4. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S.-F. Chichibu, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L643.
5. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen: J. Cryst. Growth 225 (2001) 110.
6. Q. A. Xu, J. W. Zhang, X. R. Ju, X. D. Yang, and X. Hou: J. Cryst. Growth 289 (2006) 44.
7. Y. Kamada, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L857.
8. K. Yasui, N. V. Phuong, Y. Kuroki, M. Takata, and T. Akahane: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 684.
9. S.-H. K. Park, J.-J. Lee, C.-S. Hwang, and H. Y. Chu: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L242.
10. T. Minami, T. Miyata, Y. Ohtani, and Y. Mochizuki: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L409.
11. S. Sasa, M. Ozaki, K. Koike, M. Yano, and M. Inoue: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 053502.
12. H. Tampo, K. Matsubara, A. Yamada, H. Shibata, P. Fons, M. Yamagata, H. Kanie, and S. Niki: J. Cryst. Growth 301-302 (2007) 358.
13. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1624.
14. Y. Ohya, T. Kume, and T. Ban: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 1919.
15. B. J. Norris, J. Anderson, J. F. Wager, and D. A. Keszler: J. Phys. D 36 (2003) L105.
16. J. Nishii, F. M. Mossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, T. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L347.
17. J. Nishii, A. Ohtomo, K. Ohtani, H. Ohno, and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L1193.
18. M. Bender, E. Fortunato, P. Nunes, 1. Ferreira, A. Marques, R. Martins, N. Katsarakis, V. Cimalla, and G. Kiriakidis: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L435.
19. H. T. Wang, B. S. Kang, F. Ren, L. C. Tien, P. W. Sadik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and J. Lin: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 243503.
20. C. S. Rout, A. R. Raju, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao: Solid State Commun. 138 (2006) 136.
21. S. Kandasamy, W. Wlodarski, A. Holland, S. Nakagomi, and Y. Kokubun: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 064103.
22. S. W. Kim, H. K. Park, M. S. Yi, N. M. Park, J. H. Park, S. H. Kim, S. L. Maeng, C. J. Choi, and S. E. Moon; Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 033107.
23. K. Hirano, M. Fujita, M. Sasajima, T. Kosaka, and Y. Horikoshi: J. Cryst. Growth 301-302 (2007) 370.
24. T. Moriyama and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7919.
25. T. Ohashi, K. Yamamoto, A. Nakamura, T. Aoki, and J. Temmyo: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2516.
26. S. Y. Kuo, F. I. Lai, W. C. Chen, C. P. Cheng, H. C. Kuo, and S. C. Wang: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3662.
27. L. Vayssiers: Adv. Mater. 15 (2003) 464.
28. Q. Li, V. Kumar, Y. Li, H. Zhang, T. J. Marks, and R. P. H. Chang: Chem. Mater. 17 (2005) 1001.
29. T. Yogo, T. Nakafuku, M. Kachi, W. Sakamoto, and S. Hirano: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 6033.
30. S. Major, A. Banerjee, and K. L. Chopra: Thin Solid Films 108 (1983) 333.
31. A. F. Aktaruzzaman, G. L. Sharma, and L. K. Malhotra: Thin Solid Films 198 (1991) 67.
32. K. T. R. Reddya, H. Gopalaswamya, P. J. Reddya, and R. W. Miles: J. Cryst. Growth 210 (2000) 516.
33. B. J. Lokhande. P. S. Patil, and M. D. Uplane: Physica B 302-303 (2001) 59.
34. M. de la L. Olvera, A. Maldonado, R. Asomoza, O. Solorza, and D. R. Acosta: Thin Solid Films 394 (2001) 241.
35. M. T. Htay, Y. Hashimoto, and K. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 440.
36. Y. Kamada, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 957 (2007) K07-27.
37. J. G. Lu, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, and S. Fujita: J. Cryst. Growth 299 (2007) 1.
38. J. G. Lu, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita: Chem. Phys. Lett. 441 (2007) 68.
39. J. G. Lu, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, and S. Fujita: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 262107.
40. T. Kawaharamura, H. Nishinaka, K. Kametani, Y. Masuda, M. Tanigaki, and S. Fujita: Zairyo 55 (2006) 153 [in Japanese].
41. F. H. Leiter, H. Alves, D. Pfisterer, N. G. Romanov, D. M. Hofmann, and B. K. Meyer: Physica B 340-342 (2003) 201.
42. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 403.
43. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2625.
44. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B. C. Shin: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 221910.
45. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 943.
46. S. H. Eorn, Y. M. Yu, Y. D. Choi, and C. S. Kim: J. Cryst. Growth 284 (2005) 166.
47. S. F. Chichibu, T. Sota, P. J. Föns, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki: Phys. Status Solidi A 192 (2002) 171.
48. D. C. Raynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsh, and B. Cantwell: Phys. Rev. B 57 (1998) 12151.
49. Y. Sun, J. B. Ketterson, and G. K. L. Wong: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2322.
50. L. Schneider, S. Halm, G. Bacher, A. Roy, and F. E. Krius: Phys. Status Solidi C 3 (2006) 1014.
51. Y. P. Varshni: Physica 34 (1967) 149.
52. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1635.
53. J. F. Wang, D. Masugata, C. B. Oh, A. Omino, S. Seto, and M. Isshiki: Phys. Status Solidi A 193 (2002) 251.
54. S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, K. Tamura, Y. Segawa, T. Sota, and H. Koinuma: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2860.
55. S. F. Chichibu, T. Sota, P. J. Föns, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L935.
56. T. Makino, Y. Segawa, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 022101.
57. K. Ellmer and R. Mientus: Thin Solid Films 516 (2008) 4620.
58. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove: Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 2552.
59. K. Nakahara, T. Tanage, H. Takasu, P. Föns, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, R. Hunger, and S. Niki: Tech. Rep. IEICE ED 2000-175/CPM 2000-114 (2000) [in Japanese].