Synthesis and structures of bis(2-dimethylaminoethyl)amine adducts of strontium bis(2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate) and their use in the CVD of cubic strontium-doped hafnium dioxides

Chemical Vapor Deposition

Volumn 13, Issue 8, 2007, Pages 381-388

  Luo, Bing ^a   Yu, Dan ^a   Kucera, Benjamin E ^a   Campbell, Stephen A ^a   Gladfelter, Wayne L ^a  

^a University of Minnesota   (United States)

Author keywords

Hafnium oxide; High k dielectric; Strontium oxide; Strontium precursor

Indexed keywords

ALKALINE EARTH METALS; AMINES; AMORPHOUS FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GRAVIMETRIC ANALYSIS; HAFNIUM; HAFNIUM COMPOUNDS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; ORGANIC COMPOUNDS; OXIDES; STRONTIUM; THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS; X RAY ANALYSIS;

AMINE ADDUCTS; AMORPHOUS; ATOMIC RATIOS; CONSISTENT; CVD REACTORS; DIELECTRIC CONSTANTS; DOPING; HAFNIUM DIOXIDES; HAFNIUM OXIDE; HAFNIUM OXIDE FILMS; HIGH-K DIELECTRIC; LIQUID PRECURSORS; MAXIMUM VALUES; STRONTIUM OXIDE; THERMAL STABILITIES; X-RAY DIFFRACTIONS;

OXIDE FILMS;

EID: 54949090028     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200606577     Document Type: Article

References (45)

1. J. S. Matthews, W. S. Recs, Jr., Adv. Inorg. Chem. 2000, 50, 173.
2. D. E. Kotecki, J. D. Baniecki, H. Shen, R. B. Laibowitz, K. L. Saenger, J. J. Lian, T. M. Shaw, S. D. Athavale, C., Cabrai, Jr., P. R. Duncombe, M. Gulsche, G. Kunkel, Y. J. Park, Y. Y. Wang, R. Wise, IBM J. Res. Develop. 1999, 43, 367.
3. H. Schroeder, A. Kingon, Nanoelectron. Infor. Technol. 2003, 539.
4. Y. Tsunemine, T. Okudaira, K. Kashihara, A. Yutani, H. Shinkawata, M. K. Mazumder, Y. Ohno, M. Yoneda, Y. Okuno, A. Tsuzumitani, H. Ogawa, Y. Mori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2004, 43, 2457.
5. G. A. Battiston, R. Gerbasi, G. Carta, F. Marchetti, C. Pettinari, A. Rodriguez, D. Barreca, C. Maragno, E. Tondello, J. Electrochem. Soc. 2006, 153, F35.
6. A. Grill, W. Kane, D. Beach, R. Laibowitz, T. Shaw, Integr. Ferroelect. 1995, 7, 75.
7. M. Kiyotoshi, K. Eguchi, Appl. Phys. Lett. 1995 ,67, 2468.
8. H. Funakubo, Y. Takeshima, D. Nagano, A. Saiki, K. Shinozaki, N. Mizutani, Thin Solid Films 1998, 334, 71.
9. R. Thomas, D. C. Dube, Ferroelectrics 1999, 225, 905.
10. J. F. Roeder, B. C., Hendrix, F. Hintermaier, D. A. Desrochers, T. H. Baum, G. Bhandari, M. Chappuis, P. C. Van Buskirk, C. Dehm, E. Fritsch, N. Nagel, H. Wendt, H. Cerva, W. Honlein, C. Mazure, J. Eur. Ceram. Soc. 1999, 19, 1463.
11. D. S. Shin, H. S. Choi, Y. T. Kim, I.-H. Choi, J. Cryst. Growth 2000, 209, 1009.
12. G. G. Condorelli, M. Favazza, C. Bedoya, A. Baeri, G. Anastasi, R. Lo Nigro, N. Menou, C. Muller, J. G. Lisoni, D. Wouters, I. L. Fragala, Chem. Mater. 2006, 18, 1016.
13. J. Brooks, H. O. Davies, T. J. Leedham, A. C. Jones, A. Steiner, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 66.
14. S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. Abdul Malik, D. J. Otway, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1993, 2883.
15. S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. A. Malik, S. A. S. Miller, J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1993, 478.
16. G. Ghandari, T. E. Glassman, D. B. Studebaker, G. Stauf, T. H. Baum, Mat. Res. Soc. Symp. Pro. 1997, 446, 327.
17. J. Woo Park, J. Tae Kim, S. Man Koo, C. G. Kim, Y. S. Kim, Polyhedron 2000, 19, 2547.
18. J. F. Roeder, T. H. Baum, S. M. Bilodeau, G. T. Slauf, C. Ragaglia, M. W. Russell, P. C. Van Buskirk, Adv. Mater. Opt. Electron. 2000, 10, 145.
19. C. Bedoya, G. G. Condorelli, A. Motta, A. Di Mauro, G. Anastasi, I. L. Fragala, J. G. Lisoni, D. Wouters, Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 269.
20. C. Bedoya, G. G. Condorelli, A. Di Mauro, G. Anastasi, I. L. Fragala, J. G. Lisoni, D. Woulers, Mater. Sci. Eng., B 2005, B118, 264.
21. B. Luo, B. E. Kucera, W. L. Gladfelter, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 2006, 4491.
22. B. Luo, B. E. Kucera, W. L. Gladfelter, Polyhedron 2006, 25, 279.
23. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
24. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. Zhu, B. J. Cho, D. L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C H. Ang, J. Z. Zheng, S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3618.
25. K. K. S. Curreem, P. F. Lee, K. S. Wong, J. Y. Dai, M. J. Zhou, J. Wang, Q. Li, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 182905/1.
26. B. J. Kennedy, C. J. Howard, B. C. Chakoumakos, Phys. Rev. B 1999, 60, 2972.
27. C. Delamarre, M. Perez y Jorba, C. R. Seances Acad. Sci., C1972, 274, 8.
28. V. V. Srdic, M. Winterer, Chem. Mater. 2003, 15, 2668.
29. S. Selvasekarapandian, M. S. Bhuvaneswari, M. Vijayakumar, C. S. Ramya, P. C. Angelo, J. Eur. Ceram. Soc. 2005, 25, 2573.
30. J. Y. Dai, P. F. Lee, K. H. Wong, H. L. W. Chan, C. L. Choy, J. Appl. Phys. 2003, 94, 912.
31. K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 102906/1.
32. E. Rauwel, C. Dubourdieu, B. Hollander, N. Rochat, F. Ducroquet, M. D. Rossell, G. Van Tendeloo, B. Pelissier, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 012902/1.
33. W. Paw, T. H. Baum, K.-C. Lam, A. L. Rheingold, Inorg. Chem. 2000, 59, 2011.
34. H. O. Davies, J. J. Brooks, A. C. Jones, T. J. Leedham, J. F. Bickley, A. Steiner, P. O'Brien, A. J. P. White, D. J. Williams, Polyhedron 2001, 20, 2397.
35. B.-J. Bae, J. T. Park, I.-H. Suh, J. Organomet. Chem. 2002, 648, 214.
36. Z. Zhang, B. Xia, W. L. Gladfelter, S. A. Campbell, J. Vac. Sci. Technol., A 2006, 24, 418.
37. J. Wang, H. P. Li, R. Stevens, J. Mater. Sci. 1992, 27, 5397.
38. Z. Zhang, M. Li, S. A. Campbell, IEEE Trans. Electron Devices 2005, 52, 1839.
39. X. Zhao, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 2002, 65, 233106/1.
40. H. Luitjes, M. Schakel, G. W. Klumpp, Synth. Commun. 1994, 24, 2257.
41. B. Luo, W. L. Gladfelter, Inorg. Chem. 2002, 41, 6249.
42. J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, P. G. Schmid, J. Vac. Sci. Technol., B 1996, 14, 1706.
43. G. E. Pynchon, E. F. Sieckmann, Phys. Rev. 1966, 143, 595.
44. D. Smith, P. Baumeister, Appl. Optics 1979, 18, 111.
45. J. R. Hauser, K. Ahmed, AIP Conf. Proceedings 1998, 449, 235.