Epitaxial growth of yttrium-stabilized HfO2 high-k gate dielectric thin films on Si

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 2, 2003, Pages 912-915

  Dai, J Y ^a   Lee, P F ^a   Wong, K H ^a   Chan, H L W ^a   Choy, C L ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; EPITAXIAL GROWTH; HAFNIUM COMPOUNDS; PULSED LASER DEPOSITION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

IMPEDANCE ANALYZERS;

THIN FILMS;

EID: 0042267310     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1585116     Document Type: Article

References (22)

1. D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. Evans-Lutterodt, and G. Timp, Nature (London) 399, 758 (1999).
2. C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and B. Balland, Mater. Sci. Eng., R 22, 269 (1998).
3. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
4. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug, and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
5. M. Balog, M. Schieber, S. Patai, and M. Michman, J. Cryst. Growth 17, 298 (1972).
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
7. L. Kang, B. H. Lee, W. J. Qi, Y. Jeon, R. Nieh, S. Gopalan, K. Onishi, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 21, 181 (2000).
8. J. M. Finder, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, and V. S. Kaushik, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2139 (2000).
9. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm, Science 293, 468 (2001).
10. S. J. Wang, C. K. Ong, S. Y. Xu, P. Chen, W. C. Tjiu, J. W. Chai, A. C. H. Huan, W. J. Yoo, J. S. Lim, W. Feng, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 78, 1604 (2001).
11. S. J. Wang and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 80, 2541 (2002).
12. H. Ikeda, S. Goto, K. Hoda, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 2476 (2002).
13. R. M. Wallace and G. Wilk, MRS Bull. 27, 192 (2002).
14. P. D. Kirsch, C. S. Kang, J. Lozano, J. C. Lee, and J. G. Ekerdt, J. Appl. Phys. 91, 4353 (2002).
15. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Kubota, and M. Niwa, Appl. Phys. Lett. 81, 2053 (2002).
16. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
17. K. P. Bastos, J. Moris, L. Miotti, R. P. Pezzi, G. V. Scares, I. J. R. Baumvol, R. I. Hegde, H. H. Tseng, and P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett. 81, 1669 (2002).
18. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81, 472 (2002).
19. V. Cosnier, G. Theret, and B. Andre, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2267 (2001).
20. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W.-J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
21. S. Zaima, N. Wakai, T. Yamauchi, and Y. Yasuda, J. Appl. Phys. 74, 6703 (1993).
22. J. V. Seiple and J. P. Pelz, Phys. Rev. Lett. 73, 999 (1994).