Fabrication and characterization of GaN-based LEDs grown on nanopatterned sapphire substrates

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 205, Issue 7, 2008, Pages 1719-1723

  Gao, Haiyong ^a   Yan, Fawang ^a   Zhang, Yang ^a   Li, Jinmin ^a   Zeng, Yiping ^a   Wang, Guohong ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GREAT-ER; INJECTION CURRENTS; LIGHT OUTPUT POWERS; METAL ORGANIC; PLUG EFFICIENCIES; SAPPHIRE SUBSTRATES;

CORUNDUM; ELECTROMAGNETIC WAVES; FABRICATION; GALLIUM NITRIDE; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ORGANIC CHEMICALS; ORGANIC COMPOUNDS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); ORGANOMETALLICS; PHOTORESISTS; PLASMA DIODES; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SUBSTRATES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 54249145624     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200723540     Document Type: Article

References (24)

1. A. Kadira, T. Ganguli, R. Kumar, M. R. Gokhale, A. P. Shah, S. Ghosh, B. M. Arora, and A. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 91, 111913 (2007).
2. S. Loughin, R. H. French, W. Y. Ching, Y. N. Xu, and G. A. Slack, Appl. Phys. Lett. 63, 1182 (1993).
3. M. S. Oh, M. K. Kwon, I. K. Park, S. H. Baek, S. J. Park, S. H. Lee, and J. J. Jung, J. Cryst. Growth 289, 107 (2006).
4. X. Hu, J. Deng, J. P. Zhang, A. Lunev, Y. Bilenko, T. Katona, M. S. Shur, R. Gaska, M. Shatalov, and A. Khan, phys. stat. sol. (a) 203, 1815 (2006).
5. Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, K. Deguchi, T. Yamada, and T. Muka, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1084 (2006).
6. Z. H. Feng, Y. D. Qi, Z. D. Lu, and K. M. Lau, J. Cryst. Growth 272, 327 (2004).
7. T. V. Cuong, H. S. Cheong, H. G. Kim, H. Y. Kim, C. H. Hong, E. K. Suh, H. K. Cho, and B. H. Kong, Appl. Phys. Lett. 90, 131107 (2007).
8. S. Gradeeak, P. Stadelmann, V. Wagner, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 85, 4648 (2004).
9. S. Einfeldt, A. M. Roskowski, E. A. Preble, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 80, 953 (2002).
10. K. Hiramatsu, K. Nishiyama, M. Onishi, H. Mizutani, M. Narukawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. lyechika, and T. Maeda, J. Cryst. Growth 221, 316 (2000).
11. J. Bai, T. Wang, P. J. Parbrook, and A. G. Cullis, Appl. Phys. Lett. 89, 131925 (2006).
12. R. H. Hornga, W. K. Wang, S. C. Huang, S. Y. Huang, S. H. Lin, C. F. Lin, and D. S. Wuu, J. Cryst. Growth 298, 219 (2007).
13. S. D. Hersee, D. Zubia, X. Sun, R. Bommena, M. Fairchild, S. Zhang, D. Burckel, A. Frauenglass, and S. R. J. Brueck, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1017 (2002).
14. K. Y. Zang, Y. D. Wang, S. J. Chuaa, and L. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 193106 (2005).
15. T. S. Ko, T. C. Wang, R. C. Gao, Y. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, S. C. Wang, and H. G. Chen, Appl. Phys. Lett. 90, 013110 (2007).
16. R. I. Barabash, C. Roder, G. E. Ice, S. Einfeldt, J. D. Budai, O. M. Barabash, S. Figge, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 100, 053103 (2006).
17. H. Y. Gao, F. W. Yan, Y. Zhang, J. M. Li, Y. P. Zeng, and G. H. Wang, Solid-State Electron. 52, 962 (2008).
18. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 284 (2002).
19. M. G. Cheonga, E. K. Suh, and H. J. Lee, J. Lumin. 99, 265 (2002).
20. Y. J. Lee, H. C. Kuo, T. C. Lu, B. J. Su, and S. C. Wang, J. Electrochem. Soc. 153, G1106 (2006).
21. D. S. Wuu, W. K. Wang, K. S. Wen, S. C. Huang, S. H. Lin, S. Y. Huang, C. F. Lin, and R. H. Horng, Appl. Phys. Lett. 89, 161105 (2006).
22. H. Y. Lee, K. H. Pan, C. C. Lin, Y. C. Chang, F. J. Kao, and C. T. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 1280 (2007).
23. W. C. Peng and Y. C. S. Wu, Appl. Phys. Lett. 89, 041116 (2006).
24. T. X. Lee, K. F. Go, T.Y. Chung, and C. C. Sun, Proc. SPIE 6473, 64731P (2007).