Carrier diffusion in low-dimensional semiconductors: A comparison of quantum wells, disordered quantum wells, and quantum dots

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 20, 2004, Pages

  Fiore, A ^a,c   Rossetti, M ^a   Alloing, B ^a   Paranthoen, C ^a,d   Chen, J X ^a,e   Geelhaar, L ^b   Riechert, H ^b  

^a EPFL   (Switzerland)

^b INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

^c IFN CNR   (Italy)

^d INSA DE RENNES   (France)

^e LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARTICLE; DIFFUSION; ELECTRIC CURRENT; ENERGY; LIGHT EMITTING DIODE; MATHEMATICAL ANALYSIS; QUANTUM DOT; QUANTUM YIELD; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE;

EID: 42749104081     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.205311     Document Type: Article

References (42)

1. T. A. Strand, B. J. Thibeault, and L. A. Coldren, J. Appl. Phys. 81, 3377 (1997).
2. R. L. Naone, P. D. Floyd, D. B. Young, E. R. Hegblom, T. A. Strand, and L. A. Coldren, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 706 (1998).
3. J. K. Kim, R. L. Naone, and L. A. Coldren, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 6, 504 (2000).
4. J. M. Gérard, O. Cabrol, and B. Sermage, Appl. Phys. Lett. 68, 3123 (1996).
5. P. G. Piva, R. D. Goldberg, I. V. Mitchell, D. Labrie, R. Leon, S. Charbonneau, Z. R. Wasilewski, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 77, 624 (2000).
6. C. Ribbat, R. Sellin, M. Grundmann, D. Bimberg, N. A. Sobolev, and M. C. Carmo, Electron. Lett. 37, 174 (2001).
7. M. Arzberger, G. Böhm, M.-C. Amann, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 79, 1766 (2001).
8. K. J. Luo, J. Y. Xu, H. Cao, Y. Ma, S. H. Chang, S. T. Ho, and G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett. 78, 3397 (2001).
9. A. Flore, J. X. Chen, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 81, 1756 (2002).
10. K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1728 (2000).
11. S. R. Kurtz, J. F. Klem, A. A. Allerman, R. M. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
12. H. A. Zarem, P. C. Sercel, J. A. Lebens, L. E. Eng, A. Yariv, and K. J. Vahala, Appl. Phys. Lett. 55, 1647 (1989).
13. J. R. Salcedo, A. E. Siegman, D. D. Dlott, and M. D. Fayer, Phys. Rev. Lett. 41, 131 (1978).
14. H. Hillmer, A. Forchel, S. Hansmann, M. Morohashi, E. Lopez, H. P. Meier, and K. Ploog, Phys. Rev. B 39, 10901 (1989).
15. M. S. Torre, I. Esquivias, B. Romero, K. Czotscher, S. Weisser, J. D. Ralston, E. Larkins, W. Benz, and J. Rosenzweig, J. Appl. Phys. 81, 6268 (1997).
16. H. Benisty, R. P. Stanley, and M. Mayer, J. Opt. Soc. Am. A 15, 1192 (1998).
17. Simwindows, http://www-ocs.colorado.edu/SimWindows/simwin.html
18. J. G. Simmons, "Electronic conduction through thin insulating films," in Handbook of Thin Film Technology, edited by L. I. Maissel and R. Glang (McGraw-Hill, New York, 1983).
19. E. M. Purcell, Phys. Rev. 69, 681 (1946).
20. J. M. Gérard, B. Sermage, B. Gayral, B. Legrand, E. Costard, and V. Thierry-Mieg, Phys. Rev. Lett. 81, 1110 (1998).
21. A. Fiore, U. Oesterle, R. P. Stanley, and M. Ilegems, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 1601 (2000).
22. A. Markus, A. Fiore, J. D. Ganière, U. Oesterle, J. X. Chen, B. Deveaud, M. Ilegems, and H. Riechert, Appl. Phys. Lett. 80, 911 (2002).
23. A. J. Bennett, P. N. Stavrinou, C. Roberts, R. Murray, G. Parry, and J. S. Roberts, J. Appl. Phys. 92, 6215 (2002).
24. K. Seeger, Semiconductor Physics (Springer-Verlag, Berlin, 1985).
25. W. B. Joyce, J. Appl. Phys. 53, 7235 (1982).
26. S. Y. Hu, S. W. Corzine, K.-K. Law, D. B. Young, A. C. Gossard, L. A. Coldren, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 76, 4479 (1994).
27. G. J. Letal, J. G. Simmons, J. D. Evans, and G. P. Li, IEEE J. Quantum Electron. 34, 512 (1998).
28. J. K. Kim, T. A. Strand, R. L. Naone, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 2752 (1999).
29. D. P. Popescu, P. G. Eliseev, A. Stintz, and K. J. Malloy, J. Appl. Phys. 94, 2454 (2003).
30. A. Fiore, P. Borri, W. Langbein, J. M. Hvam, U. Oesterle, R. Houdré, R. P. Stanley, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 76, 3430 (2000).
31. V. Grillo, M. Albrecht, T. Remmele, H. P. Strunk, A. Y. Egorov, and H. Riechert, J. Appl. Phys. 90, 3792 (2001).
32. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
33. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 77, 2870 (2000).
34. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (2000).
35. A. M. Mintairov, T. H. Kosel, J. L. Merz, P. A. Blagnov, A. S. Vlasov, V. M. Ustinov, and R. E. Cook, Phys. Rev. Lett. 87, 277401 (2001).
36. I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, N. Q. Thinh, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2325 (2000).
37. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Ballet, P. Duvaut, G. Rolland, and A. Million, J. Appl. Phys. 91, 5902 (2002).
38. M. Albrecht, V. Grillo, T. Remmele, H. P. Strunk, A. Y. Egorov, G. Dumitras, H. Riechert, A. Kaschner, R. Heitz, and A. Hoffmann, Appl. Phys. Lett. 81, 2719 (2002).
39. A. Pomarico, M. Lomascolo, R. Cingolani, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Semicond. Sci. Technol. 17, 145 (2002).
40. A. Hierro, J. M. Ulloa, J. M. Chauveau, A. Trampert, M. A. Pinault, E. Tournie, A. Guzman, J. L. Sanchez-Rojas, and E. Calleja, J. Appl. Phys. 94, 2319 (2003).
41. D. Fowler, O. Makarovsky, A. Patanè, L. Eaves, L. Geelhaar, and H. Riechert, Phys. Rev. B 69, 153305 (2004).
42. J. Teubert, P. J. Klar, W. Heimbrodt, K. Volz, W. Stolz, P. Thomas, G. Leibiger, and V. Gottschalch, Appl. Phys. Lett. 84, 747 (2004).