Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 4, 2003, Pages 2319-2324

  Hierro, A ^a   Ulloa, J M ^a   Chauveau, J M ^b   Trampert, A ^b   Pinault, M A ^c   Tournie E ^c,d   Guzman A ^a   Sanchez Rojas J L ^a,e   Calleja, E ^a  

^a UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^c CRHEA CNRS   (France)

^d UNIV MONTPELLIER   (France)

^e UNIVERSITY OF CASTILLA LA MANCHA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; INDIUM; INTERFACES (MATERIALS); LIGHT EMISSION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

LOCALIZATION STATES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0042424610     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1591416     Document Type: Article

References (24)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. G. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott, and R. L. Naone, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
3. S. Sato and S. Satoh, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 5, 707 (1999).
4. G. Steinle, H. Riechert, and A. Yu. Egorov, Electron. Lett. 2, 93 (2001).
5. M. O. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7, 149 (2001).
6. I. A. Buyanova, W. M. Chen, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 3781 (1999).
7. E. Torunié, M.-A. Pinault, and A. Guzmán, Appl. Phys. Lett. 80, 4148 (2002).
8. P. L. Klar, H. Grüning, J. Koch, S. Schäfer, K. Volz, W. Stolz, W. Heimbrodt, A. M. Kamal Said, A. Lindsay, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
9. I. A. Buyanova, W. M. Chen, and C. W. Tu, Semicond. Sci. Technol. 17, 815 (2002).
10. M. Kondow and T. Kitatani, Semicond. Sci. Technol. 17, 746 (2002).
11. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000).
12. I. A. Buyanova, G. Pozina, P. N. Hai, N. Q. Thinh, J. P. Bergman, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 77, 2325 (2000).
13. S. R. Kurtz, J. K. Klem, A. A. Allerman, R. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
14. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
15. E. Tournié, M. A. Pinault, M. Laügt, J. M. Chaveau, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 1845 (2003).
16. E. G. Bithell and W. M. Stobbs, Philos. Mag. A 60, 39 (1989).
17. V. Grillo, M. Albrecht, T. Remmele, H. P. Strunk, A. Yu. Eogorov, and H. Riechert, J. Appl. Phys. 90, 3792 (2001).
18. J.-M. Chauveau, A. Trampert, M.-A. Pinault, E. Tournié, K. Du, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 251, 383 (2003).
19. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 79, 3404 (2001).
20. R. Asomoza, V. A. Elyukhin, and R. Pena-Sierra, Appl. Phys. Lett. 81, 1785 (2002).
21. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
22. J. M. Ulloa, J. L. Sánchez-Rojas, A. Hierro, J. M. G. Tijero, and E. Tournié, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. (accepted for publication).
23. P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2613 (2001).
24. K. Kim and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2609 (2001).