Effect of ion doping with donor and acceptor impurities on intensity and lifetime of photoluminescence from SiO 2 films with silicon quantum dots

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 8, Issue 2, 2008, Pages 780-788

  Mikhaylov, A N ^a,b   Tetelbaum, D I ^a,b   Burdov, V A ^a   Gorshkov, O N ^a   Belov, A I ^a   Kambarov, D A ^a   Belyakov, V A ^a   Vasiliev, V K ^a,b   Kovalev, A I ^b   Gaponova, D M ^c  

^a LOBACHEVSKY STATE UNIVERSITY OF NIZHNY NOVGOROD   (Russian Federation)

^b Surface Phenomena Researches Group   (Russian Federation)

^c INSTITUTE FOR PHYSICS OF MICROSTRUCTURES   (Russian Federation)

Author keywords

Ion doping; Ion irradiation; Shallow impurities; Silicon dioxide; Silicon quantum dots; Theory of radiative recombination; Time resolved photoluminescence

Indexed keywords

ION DOPING; SHALLOW IMPURITIES; SILICON QUANTUM DOTS; THEORY OF RADIATIVE RECOMBINATION; TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE;

ION BOMBARDMENT; PASSIVATION; PHOSPHORUS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICA;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

ION; QUANTUM DOT; SILICON DIOXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; LUMINESCENCE; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PHOTOCHEMISTRY;

IONS; LUMINESCENT MEASUREMENTS; NANOTECHNOLOGY; PHOTOCHEMISTRY; QUANTUM DOTS; SILICON DIOXIDE;

EID: 42549100000     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2008.A067     Document Type: Conference Paper

References (40)

1. P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C. J. Oton, G. Vijaya Prakash, and L. Pavesi, J. Phys.: Condens. Matter. 14, 8253 (2002).
2. L. Pavesi, Materials Today 1, 18 (2005).
3. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
4. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, and M. Guzzi, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
5. G. A. Kachurin, A. F. Leier, K. S. Zhuravlev, I. E. Tyschenko, A. K. Gutakovski, V. A. Volodin, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Semiconductors 32, 1222 (1998).
6. G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, V. A. Volodin, V. G. Kesler, A. F. Leier, and M.-O. Ruault, Semiconductors 36, 647 (2002).
7. B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J. A. Moreno, J. R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, and A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi, Nucl. Instr. Meth. B 216, 213 (2004).
8. A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, A. I. Belov, and S. V. Morozov, Vacuum 78, 519 (2005).
9. J. Linnros, N. Lalic, A. Galeckas, and V. Grivickas, J. Appl. Phys. 86, 6128 (1999).
10. D. I. Tetelbaum, I. A. Karpovich, M. V. Stepikhova, V. G. Shengurov, K. A. Markov, and O. N. Gorshkov, Surface Investigation 14, 601 (1998).
11. D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, S. A. Trushin, D. G. Revin, D. M. Gaponova, and W. Eckstein, Nanotechnology 11, 295 (2000).
12. D. I. Tetelbaum, S. A. Trushin, V. A. Burdov, A. I. Golovanov, D. G. Revin, and D. M. Gaponova, Nucl. Instr. Meth. B 174, 123 (2001).
13. D. I. Tetelbaum, S. A. Trushin, A. N. Mikhaylov, V. K. Vasil'ev, G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, and D. M. Gaponova, Physica E 16, 410 (2003).
14. D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, V. A. Burdov, S. A. Trushin, A. N. Mikhaylov, D. M. Gaponova, S. V. Morozov, and A. I. Kovalev, Phys. Sol. State 46, 17 (2004).
15. G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. G. Kesler, A. K. Gutakovsky, A. G. Cherkov, A. V. Bublikov, and D. I. Tetelbaum, Nucl. Instr. Meth. B 222, 497 (2004).
16. M. Fujii, K. Toshikiyo, Y. Takase, Y. Yamaguchi, and S. Hayashi, J. Appl. Phys. 94, 1990 (2003).
17. M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase, K. Ninomiya, and S. Hayash, Appl. Phys. Lett. 85, 1158 (2004).
18. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto, C. Urakawa, and H. Ohta, J. Appl. Phys. 87, 1855 (2000).
19. N. N. Gerasimenko, A. V. Dvurechenskii, S. I. Romanov, and L. S. Smirnov, Sov. Phys. Semicond. 6, 1692 (1972).
20. G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, K. S. Zhuravlev, and M.-O. Ruault, Semiconductors 35, 1182 (2001).
21. B. H. Augustine. E. A. Irene, Y. J. He, K. J. Price, L. E. McNeil. K. N. Christensen, and D. M. Maher, J. Appl. Phys. 78, 4020 (1995).
22. M. Lannoo. C. Delerue, and G. Allan, J. Lum. 70. 170 (1996).
23. D. I. Tetelbaum, V. A. Burdov, A. N. Mikhaylov, and S. A. Trushin, Proc. SPIE 5023, 186 (2002).
24. G. A. Kachurin, V. A. Volodin, D. I. Tetel'baum, D. V. Marin, A. F Leer, A. K. Gutakovski, A. G. Cherkov, and A. N. Mikhaylov, Semiconductors 39, 552 (2005).
25. R. Tohmon, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Sasagane, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. B 39, 1337 (1989).
26. L. Skuja, J. Non-Cryst. Sol. 149, 77 (1992).
27. V. B. Sulimov and V. O. Sokolov, J. Non-Cryst. Sol. 191, 260 (1995).
28. H. Nishikawa, T. Shiroyama, R. Nakamura, Y. Ohki, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. B 45, 586 (1992).
29. F. Meinardi and A. Paleari, Phys. Rev. B 58, 3511 (1998).
30. H. Hosono, Y. Abe. D. L. Kinser, R. A. Weeks, K. Mutta, and H. Kawazoe. Phys. Rev. B 46. 11445 (1992).
31. M. Ya. Valakh, V. A. Yukhimchuk, V. Ya. Bratus', A. A. Konchits, P. L. F. Hemment, and T. Komoda, J. Appl. Phys. 85, 168 (1999).
32. K. Kajihara, L. Skuja, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 79, 1757 (2001).
33. L.-S. Liao, X.-M. Bao, X.-Q. Zheng, N.-S. Li, and N.-B. Min. Appl. Phys. Lett. 68, 850 (1996).
34. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki. Y. Kurata, and S. Hasegawa. J. Appl. Phys. 83. 2228 (1998).
35. L. X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 81, 661 (2002).
36. N. Daldosso, M. Luppi, S. Ossicini, E. Degoli, R. Magri, G. Dalba, P. Fornasini, R. Grisenti, F. Rocca, L. Pavesi, S. Boninelli, F. Priolo, C. Spinella, and F. Iacona, Phys. Rev. B 68, 085327 (2003).
37. G. A. Kachurin, S. G. Yanovskaya, M.-O. Ruault, A. K. Gutakovski, K. S. Zhuravlev, O. Kaitasov, and H. Bernas. Semiconductors 34, 965 (2000).
38. C. Garcia, B. Garrido, P. Pellegrino, R. Ferre, J. A. Moreno, J. R. Morante, L. Pavesi, and M. Cazzanelli, Appl. Phys. Lett. 82, 1595 (2003).
39. V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).
40. W. Kohn and J. M. Luttinger. Phys. Rev. 98, 915 (1955).