Effect of ion dose and annealing mode on photoluminescence from SiO2 implanted with Si ions

Semiconductors

Volumn 32, Issue 11, 1998, Pages 1222-1228

  Kachurin, G A ^a   Leier A F ^a   Zhuravlev, K S ^a   Tyschenko, I E ^a   Gutakovskii A K ^a   Volodin, V A ^a   Skorupa, W ^b   Yankov, R A ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

^b INSTITUTE OF ION BEAM PHYSICS AND MATERIALS RESEARCH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347029481     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187595     Document Type: Article

References (26)

1. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
2. H. A. Atwater, K. V. Shcheglov, S. S. Wong, K. J. Vahala, R. S. Rlagan, M. I. Brongersma, and A. Polman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 321, 363 (1994).
3. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, and N. Itoh, J. Appl. Phys. 75, 7779 (1994).
4. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G. F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, and M. Guzzi, Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995).
5. W. Skorupa, R. A. Yankov, I. E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 68, 2410 (1996).
6. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 122, 571 (1997).
7. G. A. Kachurin, K. S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, A. F. Leier, I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 583 (1997).
8. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, W. Skorupa, R. A. Yankov, K S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, and A. F. Leier, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 730 (1997) [Semiconductors 31, 626 (1997)].
9. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, W. Skorupa, R. A. Yankov, K S. Zhuravlev, N. A. Pazdnikov, V. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, and A. F. Leier, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 730 (1997) [Semiconductors 31, 626 (1997)].
10. T. Shimizu-Iwayama, Y. Terao, A. Kamiya, M. Takeda, S. Nakao, and K. Saitoh, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 112, 214 (1996).
11. F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nikolov, and V. Gavrilenko, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 283, 197 (1993).
12. G. G. Qin, Y. M. Huang, J. Lin, L. Z. Zhang, B. Q. Zong, and B. R. Zhang, Solid State Commun. 94, 607 (1995).
13. S. Bota, B. Garrido, J. R. Morante, A. Baraban, and P. P. Konorov, Solid-State Electron. 34, 355 (1996).
14. I3L.-S. Liao, X.-M. Bao, N. S. Li, X.-Q. Zheng, and N.-B. Min, J. Lumin. 68, 199 (1996).
15. E. Neufeld, S. Wang, R. Apetz, Ch. Bechal, R. Carias, C. W. White, and D. K. Thomas, Proc. E-MRS 1996 Spring Meeting (Strasbourg, 1996).
16. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, A. Gambhir, L. F. Di Mauro, and C. E. Bottani, J. Appl. Phys. 79, 8660 (1996).
17. T. Komoda, J. Weber, K. P. Homewood, P. L. F. Hemment, and B. J. Sealy, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 120, 93 (1996).
18. L. A. Nesbit, Appl. Phys. Lett. 46, 38 (1985).
19. E. Wendler, U. Herrmann, W. Wesh, and H. H. Dunken, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 116, 332 (1996).
20. S. Veprek, Z. Iqbal, and F.-A. Sarott, Philos. Mag. B 45, 137 (1982).
21. Y. Maeda, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995).
22. R. R. Kunz, P. M. Nitishin, H. R. Clark, M. Rotschild, and B. Ahem, Appl. Phys. Lett. 67, 1766 (1995).
23. A. N. Goldstein, Appl. Phys. A, 62, 33 (1996).
24. X.-M. Bao and H.-Q. Yang, Appl. Phys. Lett. 63, 2246 (1993).
25. J. C. Barbour, D. Dimos, T. R. Guilinger, M. J. Kelly, and S. S. Tsao, Appl. Phys. Lett. 59, 2088 (1991).
26. A. J. Kenyon, P. F. Trwoga, C. W. Pitt, and G. Rehm, J. Appl. Phys. 79, 9291 (1996).