Structural analysis of life tested 1.3 μm quantum dot lasers

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 1, 2008, Pages

  Beanland, R ^a,d   Sanchez A M ^b   Childs, D ^a,c   Groom, K M ^c   Liu, H Y ^c   Mowbray, D J ^c   Hopkinson, M ^c  

^a Bookham Technology plc   (United Kingdom)

^b Campus Universitario de Puerto Real   (Spain)

^c UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

^d Integrity Scientific Ltd   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC RESISTANCE; ELECTROLUMINESCENCE; LASER OPTICS; STRUCTURAL ANALYSIS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CURRENT DENSITIES; QUANTUM DOT LASERS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 38149032510     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2827451     Document Type: Article

References (26)

1. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, and N. A. Maleev, Quantum Dot Lasers (Oxford University Press, Oxford, 2003).
2. J. Stangl, V. Holy, and G. Bauer, Rev. Mod. Phys. RMPHAT 0034-6861 10.1103/RevModPhys.76.725 76, 725 (2004).
3. M. Grundmann, Physica E (Amsterdam) PELNFM 1386-9477 10.1016/S1386- 9477(99)00041-7 5, 167 (1999).
4. M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Annu. Rev. Mater. Res. ARMRCU 1531-7331 10.1146/annurev.matsci.34.082103.133534 34, 181 (2004).
5. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutierrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1776631 85, 704 (2004); I. R. Sellers, H. Y. Liu, K. M. Groom, D. T. Childs, D. Robbins, T. J. Badcock, M. Hopkinson, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20046692 40, 1412 (2004); H. Y. Liu, D. T. Childs, T. J. Badcock, K. M. Groom, I. R. Sellers, M. Hopkinson, R. A. Hogg, D. J. Robbins, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, IEEE Photonics Technol. Lett. IPTLEL 1041-1135 10.1109/LPT.2005.846948 17, 1139 (2005).
6. P. L. Galindo, S. Kret, A. M. Sanchez, J. -Y. Laval, A. Yáez, J. Pizarro, E. Guerrero, T. Ben, and S. I. Molina, Ultramicroscopy ULTRD6 0304-3991 10.1016/j.ultramic.2007.01.019 107, 1186 (2007).
7. R. Beanland, Ultramicroscopy ULTRD6 0304-3991 10.1016/j.ultramic.2004.09. 003 102, 115 (2005).
8. J. Zou, X. Z. Liao, D. J. H. Cockayne, and Z. M. Jiang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1506414 81, 1996 (2002).
9. K. Stewart, M. Buda, J. Wong-Leung, L. Fu, C. Jagadish, A. Stiff-Roberts, and P. Bhattacharya, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1609634 94, 5283 (2003).
10. J. F. Chen, R. S. Hsiao, W. D. Huang, Y. H. Wu, L. Chang, J. S. Wang, and J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2212064 88, 233113 (2006).
11. J. S. Wang, J. F. Chen, J. L. Huang, P. Y. Wang, and X. J. Guo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1323735 77, 3027 (2000).
12. J. F. Chen, R. S. Hsiao, Y. P. Chen, J. S. Wang, and J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2081132 87, 141911 (2005).
13. P. G. Piva, R. D. Goldberg, I. V. Mitchell, D. Labrie, R. Leon, S. Charbonneau, Z. R. Wasilewski, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.127065 77, 624 (2000).
14. C. Ribbat, R. Sellin, M. Grundmann, D. Bimberg, N. A. Sobolev, and M. C. Carmo, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20010118 37, 174 (2001).
15. S. Mazzucato, D. Nardin, M. Capizzi, A. Polimeni, A. Frova, L. Seravalli, and S. Franchi, Mater. Sci. Eng., C MSCEEE 0928-4931 10.1016/j.msec.2005.06.025 25, 830 (2005).
16. M. B. Huang, J. Zhu, and S. Oktyabrsky, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B NIMBEU 0168-583X 10.1016/S0168-583X(03)01516-7 211, 505 (2003).
17. S. Oktyabrsky, M. Lamberti, V. Tokranov, G. Agnello, and M. Yakimov, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2037872 98, 053512 (2005).
18. M. Fukuda, IEEE J. Lightwave Technol. 6, 1488 (1988), and references therein. 0733-8724
19. T. Kallstenius, A. Landstedt, U. Smith, and P. Granestrand, IEEE J. Quantum Electron. IEJQA7 0018-9197 10.1109/3.890284 36, 1312 (2000).
20. E. Yu. Lundina, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maksimov, I. N. Kayander, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Tech. Phys. TEPHEX 1063-7842 10.1134/1.1538744 48, 131 (2003).
21. S. S. Mikhrin, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, D. A. Livshits, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, I. I. Novikov, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/20/5/002 20, 340 (2005).
22. R. L. Sellin, C. Ribbat, D. Bimberg, F. Rinner, H. Konstanrer, M. T. Kelemen, and M. Mikulla, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20020602 38, 883 (2002).
23. I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, and A. Zhukov, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20053336 41, 1330 (2005).
24. Z. I. Kazi, T. Egawa, M. Umeno, and T. Jimbo, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1375010 90, 5463 (2001).
25. Z. Mi, J. Yang, P. Bhattacharya, and D. L. Huffaker, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20063582 42, 121 (2006).
26. H. Y. Liu, S. L. Liew, T. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, S. K. Ray, T. L. Choi, K. M. Groom, B. Stevens, F. Hasbullah, C. Y. Jin, M. Hopkinson, and R. A. Hogg, Appl. Phys. Lett. 89, 073113 (2006). 0003-6951