P-doped 1.3 yum InAs/GaAs quantum-dot laser with a low threshold current density and high differential efficiency

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 7, 2006, Pages

  Liu, H Y ^a   Liew, S L ^a   Badcock, T ^a   Mowbray, D J ^a   Skolnick, M S ^a   Ray, S K ^a   Choi, T L ^a   Groom, K M ^a   Stevens, B ^a   Hasbullah, F ^a   Jin, C Y ^a   Hopkinson, M ^a   Hogg, R A ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; LEAKAGE CURRENTS; PHOSPHORUS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SPONTANEOUS EMISSION; THRESHOLD VOLTAGE;

DIFFERENTIAL EFFICIENCY; SPACER LAYERS; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33747516392     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2336998     Document Type: Article

References (18)

1. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 2758 (2002);
2. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 3277 (2002).
3. S. Fathpour, Z. Mi, P. Bthattacharya, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, and N. N. Ledentsov, Appl. Phys. Lett. 85, 5164 (2004);
4. Z. Mi, P. Bhattacharya, and S. Fathpour, Appl. Phys. Lett. ibid. 86, 153109 (2005).
5. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutiérrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
6. H. Y. Liu, D. T. Childs, T. J. Badcock, K. M. Groom, I. R. Sellers, M. Hopkinson, R. A. Hogg, D. J. Robbins, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1139 (2005).
7. L. F. Lester, A. Stintz, H. Li, T. C. Newell, E. A. Pease, B. A. Fuchs, and K. J. Malloy, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 931 (1999).
8. H. Y. Liu, M. Hopkinson, C. N. Harrison, M. J. Steer, R. Firth, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 93, 2931 (2003).
9. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. A. Semenova, Yu. M. Shemyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, J. Cryst. Growth 251, 729 (2003).
10. E. C. Le Ru, P. D. Siverns, and R. Murray, Appl. Phys. Lett. 77, 2446 (2000).
11. H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Gutiérrez, K. M. Groom, W. M. Soong, M. Hopkinson, J. P. R. David, R. Beanland, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 96, 1988 (2004).
12. D. S. Sizov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, N. V. Kryzhanovskaya, A. B. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, R. Selin, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Semiconductors 36, 1020 (2002).
13. N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, D. Bimberg, T. Maka, C. M. Sotomayor Torres, I. V. Kochnev, I. L. Krestnikov, V. M. Lantratov, N. A. Cherkashin, Yu. M. Musikhin, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 15, 604 (2000).
14. N. N. Ledentsov, U.S. Patent No. 6,653,166 (25 November 2003).
15. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 249, 416 (2003).
16. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grandmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
17. H. Y. Liu, C. M. Tey, I. R. Sellers, T. J. Badcock, R. Beanland, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and A. G. Cullis, J. Appl. Phys. 98, 083516 (2005).
18. C. L. Walker, I. C. Sandall, P. M. Smowton, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, H. Y. Liu, and M. Hopkinson, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 2011 (2005).