Growth of InxGa1-xAs quantum dots by metal-organic chemical vapor deposition on Si substrates and in GaAs-based lasers

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 11, 2001, Pages 5463-5468

  Kazi, Zaman Iqbal ^a,b   Egawa, Takashi ^a   Umeno, Masayoshi ^a,c   Jimbo, Takashi ^a  

^a NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

^c CHUBU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039565588     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1375010     Document Type: Article

References (28)

1. H. K. Choi, J. P. Mattia, G. W. Turner, and B. Y. Tsaur, IEEE Electron Device Lett. 9, 512 (1988).
2. H. Shichijo, R. Matyi, A. H. Taddiken, and Y. C. Kao, IEEE Trans. Electron Devices 37, 548 (1990).
3. T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, IEEE Photonics Technol. Lett. 4, 612 (1992).
4. T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, IEICE Trans. Electron. E76-C, 106 (1993).
5. G. N. Nasserbakht, J. W. Adkisson, B. A. Wooly, J. S. Harris, and T. I. Kamis, IEEE J. Solid-State Circuits 28, 622 (1993).
6. I. Hayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 266 (1993).
7. H. B. Kroemer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 67, 3 (1986).
8. R. L. Hartman and A. R. Hartman, Appl. Phys. Lett. 23, 147 (1973).
9. T. Kamejima, K. Ishida, and J. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 16, 233 (1977).
10. A. R. Goodwin, P. A. Kirkby, I. G. Davies, and R. S. Baulcomb, Appl. Phys. Lett. 34, 647 (1979).
11. T. Egawa, A. Ogawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1552 (1998).
12. M. Akiyama, Y. Kawarada, and K. Kaminishi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L843 (1984).
13. W. T. Masselink, T. Henderson, J. Klem, R. Fischer, P. Pearah, H. Morcok, M. Hafich, P. D. Wang, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 45, 1309 (1984).
14. R. Fischer, D. Neuman, H. Zabel, H. Morcok, C Choi, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 48, 1223 (1986).
15. G. M. Metze, H. K. Choi, and B. Y. Tsaur, Appl. Phys. Lett. 45, 1107 (1984).
16. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charase, and G. Leroux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
17. P. R. Berger, K. Chang, P. Bhattacharya, J. Singh, and K. K. Bajaj. Appl. Phys. Lett. 53, 684 (1988).
18. K. K. Linder, J. Philips, O. Qasaimeh, X. F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, and J. C. Jiang, Appl. Phys. Lett. 74, 1355 (1999).
19. E. P. O'Reilly, Semicond. Sci. Technol. 4, 121 (1989).
20. H. Shoji, K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, T. Uchida, and H. Ishikawa, IEEE Photonics Technol. Lett. 7, 1385 (1995).
21. T. Egawa, Y. Hasegawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 791 (1992).
22. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995).
23. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and V. M. Ustinov, Surf. Sci. 352-354, 117 (1996).
24. D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csutak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238 (1999).
25. J. J. Coleman and K. J. Beernink, J. Appl. Phys. 75, 1879 (1994).
26. E. Yablonovitch and E. O. Kane, J. Lightwave Technol. 4, 504 (1986).
27. I. Suemune, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1149 (1991).
28. Y. Hasegawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 2994 (1995).