Interface chemistry and adhesion strength between porous SiOCH low-k film and SiCN layers

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 2, 2008, Pages

  Chang, Shou Yi ^a,c   Chang, Jien Yi ^b   Lin, Su Jien ^b,c   Tsai, Hung Chun ^b   Chang, Yee Shyi ^b  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; BOND STRENGTH (MATERIALS); DIELECTRIC FILMS; ELECTROCHEMISTRY; NANOINDENTATION; SHEAR STRESS; SILICON COMPOUNDS;

INTERFACE ADHESION ENERGY; PLASMA TREATMENTS;

MONOLAYERS;

EID: 37549050543     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2814159     Document Type: Article

References (32)

1. T. Homma, Mater. Sci. Eng., R., 23, 243 (1998).
2. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Lacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya, J. Appl. Phys., 93, 8793 (2003).
3. A. Grill and V. Patel, J. Appl. Phys., 85, 3314 (1999).
4. L. L. Chapelon, V. Arnal, M. Broekaart, L. G. Gosset, J. Vitiello, and J. Torres, Microelectron. Eng., 76, 1 (2004).
5. S. Y. Chang, T. J. Chou, Y. C. Lu, S. M. Jang, S. J. Lin, and M. S. Liang, J. Electrochem. Soc., 151, F146 (2004).
6. S. Y. Chang, S. M. Jang, S. J. Lin, and M. S. Liang, Thin Solid Films, 466, 54 (2004).
7. S. Y. Chang and Y. C. Huang, Microelectron. Eng., 83, 1940 (2006).
8. M. Fayollea, G. Passemardb, O. Louveaub, F. Fusalbab, and J. Cluzela, Microelectron. Eng., 70, 255 (2003).
9. A. V. Vairagar, Z. Gan, W. Shao,. S. G. Mhaisalkar, H. Li, K. N. Tu, Z. Chen, E. Zschech, H. J. Engelmann, and S. Zhang, J. Electrochem. Soc., 153, G840 (2006).
10. A. Humbert, L. Mage, C. Goldberg, K. Junker, L. Proenca, and J. B. Lhuillier, Microelectron. Eng., 82, 399 (2005).
11. J. Vitiello, A. Fuchsmann, L. L. Chapelon, V. Arnal, D. Barbier, and J. Torres, Microelectron. Eng., 82, 422 (2005).
12. P. Leduc, T. Farjot, M. Savoye, A. C. Demas, S. Maitrejean, and G. Passemard, Microelectron. Eng., 83, 2072 (2006).
13. A. A. Volinsky, N. R. Moody, and W. W. Gerberich, Acta Mater., 50, 441 (2002).
14. S. Y. Chang, H. L. Chang, Y. C. Lu, S. M. Jang, S. J. Lin, and M. S. Liang, Thin Solid Films, 460, 167 (2004).
15. Q. Ma, J. Mater. Res., 12, 840 (1997).
16. R. H. Dauskardt, M. Lane, Q. Ma, and N. Krishna, Eng. Fract. Mech., 61, 141 (1998).
17. W. C. Oliver and G. M. Pharr, J. Mater. Res., 7, 1564 (1992).
18. A. C. Fischer-Cripps, Nanoindentation, Springer-Verlag, New York (2002).
19. A. Gouldstone, H. J. Koh, K. Y. Zeng, A. E. Giannakopoulos, and S. Suresh, Acta Mater., 48, 2277 (2000).
20. S. Y. Chang, T. K. Chang, and Y. S. Lee, J. Electrochem. Soc., 152, C657 (2005).
21. A. A. Volinsky, J. B. Vella, and W. W. Gerberich, Thin Solid Films, 429, 201 (2003).
22. S. J. Bull, J. Phys. D, 38, R393 (2005).
23. J. B. Vella, I. S. Adhihetty, K. Junker, and A. A. Volinsky, Int. J. Fract. Mech., 120, 487 (2003).
24. J. Malzbender, J. M. J. den Toonder, A. R. Balkenende, and G. de With, Mater. Sci. Eng., R., 36, 47 (2002).
25. S. Y. Chang and Y. C. Huang, Microelectron. Eng., 84, 319 (2007).
26. S. Y. Chang and Y. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 46, 1955 (2007).
27. S. Y. Chang, Y. S. Lee, and C. L. Lu, J. Electrochem. Soc., 154, D241 (2007).
28. Z. Alizadeh, K. B. Sundaram, and S. Seal, Appl. Surf. Sci., 183, 270 (2001).
29. R. M. Todi, A. P. Warren, K. B. Sundaram, and K. R. Coffey, J. Electrochem. Soc., 153, G640 (2006).
30. G. Lehmann, P. Hess, J.-J. Wu, C. T. Wu, T. S. Wong, K. H. Chen, L. C. Chen, H.-Y. Lee, M. Amkreutz, and Th. Frauenheim, Phys. Rev. B, 64, 165305 (2001).
31. P. Cova, S. Poulin, O. Grenier, and R. A. Masuta, J. Appl. Phys., 97, 073518 (2005).
32. S. Y. Chang, H. C. Tsai, J. Y. Chang, S. J. Lin, and Y. S. Chang, Thin Solid Films, In press.