Effect of plasma treatments on the interface chemistry and adhesion strength between Cu metallization and SiCN etch stop layer

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 4, 2007, Pages

  Chang, Shou Yi ^a,b   Lee, Yu Shuien ^a   Lu, Chia Ling ^a  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL COMPOSITIONS; INTERFACE CHEMISTRY; PLASMA TREATMENTS;

BOND STRENGTH (MATERIALS); COPPER COMPOUNDS; INTERFACES (MATERIALS); METALLIZING; NANOINDENTATION; PLASMAS;

SURFACE CHEMISTRY;

EID: 33947133856     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2437050     Document Type: Article

References (38)

1. P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Dukovic, J. Horkans, and H. Delogianni, IBM J. Res. Dev., 42, 567 (1998).
2. E. K. Broadbent, E. J. Mclnerney, L. A. Gochberg, and R. L. Jackson, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 2584 (1999).
3. J. C. Hu, T. C. Chang, C. W. Wu, L. J. Chen, C. S. Hsiung, W. Y. Hsieh, W. Lur, and T. R. Yew, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 1207 (2000).
4. S. Y. Chang, C. J. Hsu, R. H. Fang, and S. J. Lin, J. Electrochem. Soc., 150, C603 (2003).
5. S. Y. Chang, C. W. Lin, H. H. Hsu, J. H. Fang, and S. J. Lin, J. Electrochem. Soc., 151, C81 (2004).
6. R. F. Cook and E. G. Liniger, J. Electrochem. Soc., 146, 4439 (1999).
7. W. C. Chen, S. C. Lin, B. T. Dai, and M. S. Tsai, J. Electrochem. Soc., 146, 3004 (1999).
8. P. T. Liu, T. C. Chang, M. C. Huang, Y. L. Yang, Y. S. Mor, M. S. Tsai, H. Chung, J. Hou, and S. M. Sze, J. Electrochem. Soc., 147, 4313 (2000).
9. B. Li, T. D. Sullivan, T. C. Lee, and D. Badami, Microelectron. Reliab., 44, 365 (2004).
10. S. Y. Chang, H. L. Chang, Y. C. Lu, S. M. Jang, S. J. Lin, and M. S. Liang, Thin Solid Films, 460, 167 (2004).
11. A. A. Volinsky, N. R. Moody, and W. W. Gerberich, Acta Mater., 50, 441 (2002).
12. Q. Ma, J. Mater. Res., 12, 840 (1997).
13. R. H. Dauskardt, M. Lane, Q. Ma, and N. Krishna, Eng. Fract. Mech., 61, 141 (1998).
14. W. C. Oliver and G. M. Pharr, J. Mater. Res., 7, 1564 (1992).
15. A. C. Fischer-Cripps, Nanoindentation, Springer-Verlag, New York (2002).
16. A. Gouldstone, H. J. Koh, K. Y. Zeng, A. E. Giannakopoulos, and S. Suresh, Acta Mater., 48, 2277 (2000).
17. S. Y. Chang, T. Q. Chang, and Y. S. Lee, J. Electrochem. Soc., 152, C657 (2005).
18. S. Y. Chang and Y. C. Huang, Microelectron. Eng., 83, 1940 (2006).
19. A. A. Volinsky, J. B. Vella, and W. W. Gerberich, Thin Solid Films, 429, 201 (2003).
20. T. Dharma Raju, K. Nakasa, and M. Kato, Acta Mater., 51, 457 (2003).
21. S. J. Bull, J. Phys. D, 38, R393 (2005).
22. J. B. Vella, I. S. Adhihetty, K. Junker, and A. A. Volinsky, Int. J. Fract., 120, 487 (2003).
23. J. Malzbender, J. M. J. den Toonder, R. Balkenende, and G. de With, Mater. Sci. Eng., R., 36, 47 (2002).
24. S. J. Bull and D. S. Rickerby, Surf. Coat. Technol., 42, 151 (1990).
25. S. J. Bull, Surf. Coat. Technol., 50, 25 (1991).
26. S. Benayoun, L. Fouilland-Pailĺ, and J. J. Hantzpergue, Thin Solid Films, 352, 156 (1999).
27. J. H. Lee, W. M. Kim, T. S. Lee, M. K. Chung, B. K. Cheong, and S. G. Kim, Surf. Coat. Technol., 133, 220 (2000).
28. T. C. Wang, Y. L. Cheng, Y. L. Wang, T. E. Hsieh, G. J. Hwang and C. F. Chen, Thin Solid Films, 498, 36 (2006).
29. G. Lehmann, P. Hess, J.-J. Wu, C. T. Wu, T. S. Wong, K. H. Chen, L. C. Chen, H.-Y. Lee, M. Amkreutz, and Th. Frauenheim, Phys. Rev. B, 64, 165305 (2001).
30. P. Cova, S. Poulin, O. Grenier, and R. A. Masuta, J. Appl. Phys., 97, 073518 (2005).
31. L. N. Bui, M. Thompson, N. B. McKeown, A. D. Romaschin, and P. G. Kalman, Analyst (Cambridge, U.K.), 5, 463 (1993).
32. A. Avila, I. Montero, L. Galán, J. M. Ripalda, and R. Levy, J. Appl. Phys., 89, 212 (2001).
33. X. Junmin and J. Wang, Mater. Lett., 49, 318 (2001).
34. K. Yamamoto, Y. Koga, and S. Fujiwara, Organometallics, 10, 1921 (2001).
35. J. B. Vella, S. M. Smith, A. A. Volinsky, and I. S. Adhihetty, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 649, 41614 (2001).
36. S. Chhun, L. G. Gosset, N. Casanova, D. Ney, D. Delille, C. Trouiller, M. Hopstaken, P. Chausse, M. Gŕgoire, and B. Gautier, Microelectron. Eng., 82, 587 (2005).
37. J. Noguchi, N. Ohashi, T. Jimbo, H. Yamaguchi, K. Takeda, and K. Hinode, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1340 (2001).
38. Y. Akimune, T. Akiba, N. Hirosaki, and T. Izumi, J. Mater. Sci., 29, 3243 (1994).