Spontaneous chemical vapor growth of NiSi nanowires and their metallic properties

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 21, 2007, Pages 3637-3642

  Kim, Cheol Joo ^a   Kang, Kibum ^a   Woo, Yun Sung ^a   Ryu, Kyung Guk ^a   Moon, Heesung ^b   Kim, Jae Myung ^b   Zang, Dong Sik ^b   Jo, Moon Ho ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Samsung SDI   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GROWTH (MATERIALS); NICKEL ALLOYS; SINGLE CRYSTALS; SPONTANEOUS EMISSION; THIN FILMS;

METALLIC NANOSTRUCTURES; METALLIC PROPERTIES; SINGLE-CRYSTALLINE NISI NANOWIRES;

NANOWIRES;

EID: 36248990211     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200700609     Document Type: Article

References (29)

1. J. Li, Q. Ye, A. Cassell, H. T. Ng, R. Stevens, J. Han, M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett. 2003, 52, 2491.
2. L. Gangloff, E. Minoux, K. B. K. Teo, P. Vincent, V. T. Semet, V. T. Binh, M. H. Yang, I. Y. Y. Bu, R. G. Lacerda, G. Pirio, J. P. Schnell, D. Pribat, D. G. Hasko, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, Nano Lett. 2004, 4, 1575.
3. Y. Wu, J. Xiang, C. Yang, W. Lu, C. M. Lieber, Nature 2004, 430, 61.
4. C. A. Decker, R. Solanki, J. L. Freeouf, J. R. Carruthers, D. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1389.
5. J. P. Gambino, E. G. Colgan, Mater. Chem. Phys. 1998, 52, 99.
6. Y. L. Chueh, M. T. Ko, L. J. Chou, L. J. Chen, C. S. Wu, C. D. Chen, Nano Lett. 2006, 6, 1637.
7. O. Y. Lian, E. S. Thrall, M. M. Deshmukh, H. Park, Adv. Mater. 2006, 18, 1437.
8. a) A. L. Schmitt, L. Zhu, D. Schmeisser, F. J. Himpsel, S. Jin, Z. Phys. Chem. B 2006. 110, 18142.
9. b) A. L. Schmitt, M. J. Bierman, D. Schmeisser, F. J. Himpsel, S. Jin, Nano Lett. 2006, 6, 1617.
10. E. A. Guliants, W. A. Anderson, L. P. Guo, V. V. Guliants. Thin Solid Films 2001, 385, 74.
11. C. Lavoie, F. M. d'Heurle, C. Detavernier, C. Cabral Jr., Microelectron. Eng. 2003, 70, 144.
12. J. Kim, W. A. Anderson, Y. J. Song, G. B. Kim. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 253101.
13. J. Kim, W. A. Anderson. Thin Solid Films 2005, 483, 60.
14. J. Kim, W. A. Anderson, Nano Lett. 2006, 6, 1356.
15. L. H. Dubois, R. G. Nuzzo, J. Vac. Sci. Technol., A 1984, 2, 441.
16. J. Ebcrhardt, E. Kasper, Semicond. Sci. Technol. 2001, 16, L47.
17. G. Ottaviani, J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 1112.
18. Y. L. Chueh, L. J. Chou, S. L. Cheng, J. H. He, W. W. We, L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 133112.
19. Y. W. Ok, T. Y. Seong, C. J. Choi, K. N. Tu, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043106.
20. Q. Xiang, Q. X. Wang, Z. Wang, X. Z. Zhang, L. Q. Liu, J. Xu, D. P. Yu. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 243103.
21. Y. K. Tseng, C. J. Huang, H. M. Cheng, I. N. Kin, K. S. Liu, I. C. Chen, Adv. Funct. Mater. 2003, 87, 73109.
22. J. H. He, T. H. Wu, C. L. Hsin, K. M. Li, L. J. Chen, Y. L. Chueh, L. L. J. Chou, Z. L. Wang, Small 2006, 2, 116.
23. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
24. B. S. Guiton, Q. Gu, A. L. Prieto, M. S. Gudiksen, H. Park, J. Am. Chem. Soc. 2004, 127, 498.
25. Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 291, 1947.
26. G. W. Sears, Acta Metall. 1955, 3, 367.
27. F. M. d'Heurle, P. Gas, J. Mater. Res. 1986, 1, 205.
28. S. S. Brener, G. W. Sears, Acta Metall. 1955, 4, 268.
29. Y. Song, A. L. Schimitt, S. Jin, Nano Lett. 2007, 7, 965.