TaSi2 nanowires: A potential field emitter and interconnect

Nano Letters

Volumn 6, Issue 8, 2006, Pages 1637-1644

  Chueh, Yu Lun ^a   Ko, Mong Tzong ^a   Chou, Li Jen ^a   Chen, Lih Juann ^a   Wu, Cen Shawn ^b,c   Chen, Chii Dong ^c  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c INSTITUTE OF PHYSICS   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CURRENT DENSITY; OPTOELECTRONIC DEVICES; SYNTHESIS (CHEMICAL);

FIELD ENHANCEMENT FACTORS; METAL SUICIDE MEDIATION LAYER; NANO-OPTOELECTRONICS; THRESHOLD FIELD;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

NANOTUBE; SILICON; TANTALUM;

ARTICLE; CHEMISTRY; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICITY; ELECTROMAGNETIC FIELD; EQUIPMENT; EQUIPMENT DESIGN; FEASIBILITY STUDY; INSTRUMENTATION; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE; ULTRASTRUCTURE;

CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC WIRING; ELECTROMAGNETIC FIELDS; EQUIPMENT DESIGN; EQUIPMENT FAILURE ANALYSIS; FEASIBILITY STUDIES; MATERIALS TESTING; NANOTECHNOLOGY; NANOTUBES; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTORS; SILICON; TANTALUM; TEMPERATURE;

EID: 33748309345     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl060614n     Document Type: Article

References (36)

1. Dean, K. A.; Chalamala, B. R. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3017.
2. Zhu, W.; Kochanski, G. P.; Jin, S.; Seibles, L.; Jacobson, D.; McCormack, C. M.; White A. E. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1157.
3. Chen, L. J. JOM 2005, 57 (9), 24.
4. Kiyota, H.; Araki, H.; Kobayashi, H.; Shiga, T.; Kitaguchi, K.; Lida, M. ; Wang, H.; Miyo, T.; Takida, T.; Kurosu, T.; Lnoue, K.; Saito, I.; Nishitan-Gamo, M.; Sakaguchi, I.; Ando, T. Appl. Phys. Lett. 1999. 75, 2331.
5. Decker, C. A.; Solanki, R.; Freeouf, J. L.; Carruthers, J. R.; Evans, D. R. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1389.
6. Lee, K. S.; Mo, Y. H.; Nahm, K. S.; Shim, H. W.; Suh, E. K.; Kim, J. R.; Kim, J. J. Chem. Phys. Lett. 2004, 384, 215.
7. Xiang, Q.: Wang, Q. X.; Wang, Z.; Zhang, X. Z.; Liu, L. Q.; Xu, J.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 243103.
8. Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Cheng, S. L.; Chen L. J.; Tsai C. J.; Hsu C. M.; Kung S. C. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 223113.
9. Wu, Y.; Xiang, J.; Yang, C.; Lu, W.; Lieber C. M. Science 2004, 430, 61.
10. Chen, L. J.; Tu, K. N. Mater. Sci. Rep. 1991, 6, 53.
11. Cheng, L. W.; Cheng, S. L.; Chen, L. J.; Chien, H. C.; Lee, H. L.; Pan, F. M. J. Vac. Sci. Technol., A 2000, 18, 1176.
12. Leapamn, R. D.; Grunes, L. A.; Fejes, P. L. Phys. Rev. B 1982, 26, 26.
13. Bonard, J. M.; Maier, F.; Stockli, T.; Heer, W. A. de; Salvetat, J. P.; Forro, L. Ultramicroscopy 1998, 73, 918.
14. Liu, C.; Tong, Y.; Cheng, H. M.; Golberg, D.; Bando, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 223114.
15. Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Cheng, S. L.; He, J. H.; We, W. W.; Chen, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 133112.
16. Li, S. Q.; Liang, Y. X.; Wang, T. H. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 143104.
17. Zhou, J.; Xu, N. S.; Deng, S. Z.; Chen, J.; She, J. C.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2003, 15, 1835
18. Lee, C. J.; Lee, T. J.; Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 5048.
19. Zhou, J.; Gong, L.; Deng, S. Z.; Chen, J.; She, J. C.; Xu, N. S.; Yang, R.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 223108
20. Hsieh, C. T.; Chen, J. M.; Lin, H. H.; Shih, H. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3383.
21. Tseng, Y. K.; Huang; C. J.; Cheng, H. M.; Kin, I. N.; Liu, K. S.; Chen, I. C. Adv. Funct. Mater. 2003, 57, 73109.
22. He, J. H.; Wu, T. H.; Hsin, C. L.; Li, K. M.; Chen, L. J.; Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Wang, Z. L. Small 2006, 2, 116
23. Xu, C. X.; Sun, X. W. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3806.
24. Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Hsu, C. M.; Kung, S. C. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 21831
25. Murarka, S. P. Silicide for VLSI Application; Academic: New York, 1983.
26. Ok, Y. W.; Seong, T. Y.; Choi, C. J.; Tu, K. N. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043106.
27. He, J. H.; Yang, R. S.; Chueh, Y. L.; Chou, L. J.; Chen, L. J.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2006, 18, 650.
28. Harbour, J. P.; Dolan, W. W.; Trolan, J. K.; Martin, E. E.; Dyke, W. P. Phys. Rev. 1953, 92, 45.
29. Filip, V.; Nicolaesu, D.; Tanemura, M.; Okuyama, F. Ultramicroscopy 2001, 89, 39.
30. Hsiou, Y. F.; Yang, Y. J.; Stobinski, L.; Kuo, W.; Chen, C. D. Appl. Phys. Lett. 2003, 84, 984.
31. Nava, F.; Tu, K. N.; Mazzega, E.; Michelini, M.; Queirolo, G. J. Appl. Phy. 1987, 61, 1085.
32. Maex, K.; Rossum, M. V. Properties of Metal Silicides; INSPEC: London, U.K., 1995.
33. Nava, F.; Bisi, O.; Tu, K. N. Phys. Rev. B 1986, 34, 6143.
34. Yao, Z.; Kane, C. L.; Dekker: C. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 2941.
35. Cheng, C.; Gonela, R. K.; Gu, Q.; Haynie, D. T. Nano Lett. 2004, 5, 175.
36. Goldstein, A. N.; Echer, C. M.; Alivisatos, A. P. Science 1992, 256, 1425.