Field emission from Ni-disilicide nanorods formed by using implantation of Ni in Si coupled with laser annealing

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 4, 2006, Pages 1-3

  Ok, Young Woo ^a   Seong, Tae Yeon ^a   Choi, Chel Jong ^b   Tu, K N ^c  

^a Korea University   (South Korea)

^b Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER ANNEALING; NANORODS;

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; ION IMPLANTATION; LASER APPLICATIONS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON;

NICKEL COMPOUNDS;

EID: 31544456136     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2167797     Document Type: Article

References (16)

1. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2001).
2. A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Haleen, Nature (London) 386, 377 (1997).
3. G. Che, B. B. Lakshimi, E. R. Fisher, and R. Martin, Nature (London) 393, 346 (1998).
4. J. T. Sander, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998).
5. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tomanek, P. Nordlander, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
6. F. C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1995).
7. S. H. Jo, J. Y. Lao, Z. F. Ren, R. A. Farrer, T. Baldacchini, and J. T. Fourkas, Appl. Phys. Lett. 83, 4821 (2003).
8. J. Zhou, N. S. Xu, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, and Z. L. Wang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1835 (2003).
9. S. Rey, J. Hommet, G. Schmerber, and F. Le. Normand, J. Cryst. Growth 216, 225 (2000).
10. R. C. Cammarata, C. V. Thompson, and K. N. Tu, Appl. Phys. Lett. 51, 1106 (1987).
11. S. H. Jo, Y. Tu, Z. P. Huang, D. L. Carnahan, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 82, 3520 (2003).
12. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).
13. J. I. Sohn, S. Lee, Y.-H. Song, S.-Y. Choi, K.-I. Cho, and K.-S. Nam, Appl. Phys. Lett. 78, 901 (2001).
14. J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, S. H. Wang, X. G. Wen, S. H. Yang, C. L. Yang, J. N. Wang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 80, 3620 (2002).
15. B. D. Wissman, D. W. Gidley, and W. E. Frieze, Phys. Rev. Lett. B 46, 16058 (1992).
16. R. C. Smith, J. D. Carey, C. H. P. Poa, D. C. Cox, and S. R. P. Silva, J. Appl. Phys. 95, 3153 (2004).