Synthesis of taperlike Si nanowires with strong field emission

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 13, 2005, Pages 1-3

  Chueh, Y L ^a   Chou, L J ^a   Cheng, S L ^a   He, J H ^a   Wu, W W ^a   Chen, L J ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION; ANNEALING; ASPECT RATIO; COATINGS; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NITROGEN; PASSIVATION; SILICA; SYNTHESIS (CHEMICAL);

FIELD EMISSIONS; SILICON NANOWIRES; TAPERLIKE MORPHOLOGY; THRESHOLD FIELD;

SILICON;

EID: 17644368213     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1883316     Document Type: Article

References (28)

1. A. P. Alivisatos, Science 271, 933 (1996).
2. Q. H. Wang, M. Yan, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 78, 1294 (2001).
3. K. A. Dean and B. R. Chalamala, Appl. Phys. Lett. 75, 3017 (1999).
4. W. Zhu, G. P. Kochanski, S. Jin, L. Seibles, D. C. Jacobson, M. McCormack, and A. E. White, Appl. Phys. Lett. 67, 1157 (1995).
5. H. Kiyota, H. Araki, H. Kobayashi, T. Shiga, K. Kitaguchi, M. lida, H. Wang, T. Miyo, T. Takida, T. Kurosu, K. lnoue, I. Saito, M. Nishitan-Gamo, I. Sakaguchi, and T. Ando, Appl. Phys. Lett. 75, 2331 (1999).
6. R. P. Gao, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 1757 (2001).
7. F. C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1999).
8. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 2630 (2000).
9. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 5048 (2002).
10. Y. H. Lee, C. H. Choi, Y. T. Jang, E. K. Kim, B. K. Ju, N. K. Min, and J. H. Ahn, Appl. Phys. Lett. 81, 745 (2002).
11. Y. B. Li, Y. Bando, D. Golberg, and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
12. H. L. Lai, N. B. Wong, X. T. Zhou, H. Y. Peng, Frederick C. K. Au. N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, and X. F. Duan, Appl. Phys. Lett. 76, 294 (1999).
13. C. T. Hsieh, J. M. Chen, H. H. Lin, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 83, 3383 (2003).
14. Y. B. Li., Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 82, 1962 (2003).
15. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, X. S. Sun, Y. H. Tang, G. W. Zhou, Z. G. Bai, and S. Q. Feng, Solid State Commun. 105, 403 (1998).
16. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
17. Y. Y. Wu and P. D. Yang, J. Am. Soc. 123, 3165 (2001).
18. D. P. Yu, Y. J. Xing, Q. L. Hang, H. F. Yan, J. Xu, Z. H. Xi, and S. Q. Feng, Physical E 9, 305 (2001).
19. N. Wang, Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 73, 3902 (1998).
20. R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 637 (2003).
21. H. Y. Peng, Z. W. Pan, L. Xu, X. H. Fan, N. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 5, 317 (2001).
22. N. Grobert, M. Terrones, A. J. Osborne, H. Terrones, W.-K. Hsu, S. Trasobares, Y. Q. Zhu, J. P. Hare, H. W. Kroto, and D. R. M. Walton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 67, 595 (1998).
23. A. N. Goldstein, C. M. Echer, and A. P. Alivisatos, Science 256, 1425 (1992).
24. J. Zhou, S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Chen, and J. C. She, Appl. Phys. Lett. 83, 2653 (2003).
25. C. X. Xu and X. W. Sun, Appl. Phys. Lett. 83, 3806 (2003).
26. X. Xu and G. R. Brandes, Appl. Phys. Lett. 74, 2549 (1999).
27. Q. H. Wang, A. A. Setlur, J. M. Lauerhaas, J. Y. Dai, E. W. Seelig, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 2912 (1998).
28. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. London, Ser. A 119, 173 (1928).