Electrical properties of liquid phase deposited SiO2 on photochemical treated GaN

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 11, Issue 1, 2008, Pages

  Lee, Ming Kwei ^a   Ho, Chen Lin ^a   Zeng, Jia Yi ^a  

^a NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); DEPOSITION; MERCURY VAPOR LAMPS; MOS DEVICES; OLIGOMERS; SUBSTRATES;

LIQUID PHASE DEPOSITION; MERCURY ARC LAMP; SILOXANE;

SILICA;

EID: 36148980875     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2803054     Document Type: Article

References (35)

1. C. H. Lin, C. F. Lai, T. S. Ko, H. W. Huang, H. C. Kuo, Y. Y. Hung, K. M. Leung, C. C. Yu, R. J. Tsai, C. K. Lee, T. C. Lu, and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett. 1041-1135 10.1109/LPT.2006.883330, 18, 2050 (2006).
2. D. You, Y. W. Tang, J. T. Xu, X. Li, X. Y. Li, and H. M. Gong, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2336624, 89, 062107 (2006).
3. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.843146, 21, 268 (2000).
4. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and Y. Sano, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1642276, 84, 613 (2004).
5. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1290269, 77, 1339 (2000).
6. K. Balachander, S. Arulkumaran, Y. Sano, T. Egawa, and K. Baskar, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/pssa.200410002, 202, R32 (2005).
7. Y. Niiyama, T. Shinagawa, S. Ootomo, H. Kambayashi, T. Nomura, and S. Yoshida, Phys. Status Solidi A 204, 2032 (2007).
8. C. H. Liu, K. T. Lam, S. J. Chang, C. K. Wang, and Y. S. Sun, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2405842, 154, H119 (2007).
9. C. Bae and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.1807396, 22, 2402 (2004).
10. S. Jang, F. Ren, S. J. Pearton, B. P. Gila, M. Hlad, C. R. Abernathy, H. Yang, C. J. Pan, J. I. Chyi, P. Bove, H. Lahreche, and J. Thuret, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/s11664-006-0121-1, 35, 685 (2006).
11. C. J. Huang, M. P. Houng, Y. H. Wang, N. F. Wang, and J. R. Chen, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.581395, 16, 2646 (1998).
12. M. C. Hsu, Y. M. Sun, I. C. Leu, and M. H. Hona, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2349279, 153, F260 (2006).
13. C. J. Huang, Z. S. Ya, J. H. Horng, M. P. Houng, and Y. H. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 5561 (2002). 0021-4922
14. H. Nagayama, H. Honda, and H. Kawahara, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2096198, 135, 2013 (1988).
15. J. S. Chou and S. C. Lee, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2059304, 141, 3214 (1994).
16. N. I. Vorobev, O. B. Dormeshkin, and V. V. Pechkovskil, J. Anal. Chem., 62, 1539 (1989). 1061-9348
17. T. Homma, T. Katoh, Y. Yamada, and Y. Murao, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2220834, 140, 2410 (1993).
18. H. R. Wu, K. W. Lee, T. B. Nian, D. W. Chou, J. J. Huang Wu, Y. H. Wang, M. P. Houng, P. W. Sze, Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Ho, C. I. Chiang, Y. T. Chern, F. S. Juang, T. C. Wen, W. I. Lee, and J. I. Chyi, Mater. Chem. Phys., 80, 329 (2003). 0254-0584
19. R. Khare and E. L. Hu, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2085818, 138, 1516 (1991).
20. M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.115689, 68, 1531 (1996).
21. J. A. Bardwell, I. G. Foulds, J. B. Webb, H. Tang, J. Fraser, S. Moisa, and S. J. Rolfe, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/s11664-999-0254-0, 28, L24 (1999).
22. M. K. Lee, S. Y. Lin, and J. M. Shyr, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1344552, 148, F1 (2001).
23. W. L. Warren, K. Vanheusden, J. R. Schwank, D. M. Fleetwood, P. S. Winokur, and R. A. B. Devine, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.116674, 68, 2993 (1996).
24. Y. Gao, M. D. Craven, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1719281, 84, 3322 (2004).
25. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, F. Ren, J. C. Zolper, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 0038-1101 10.1016/S0038-1101(97)00173-1, 41, 1947 (1997).
26. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. VanHove, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125559, 75, 4130 (1999).
27. K. N. Lee, S. M. Donovan, B. Gila, M. Overberg, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, and R. G. Wilson, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.1393860, 147, 3087 (2000).
28. X. Xu, M. Houssa, R. Carter, M. Naili, S. D. Gendt, and M. Heyns, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1471920, 91, 10127 (2002).
29. M. Otani, K. Shiraishi, and A. Oshiyam, Appl. Surf. Sci., 216, 490 (2003). 0169-4332
30. C. Bae and G. Lucovsky, Appl. Surf. Sci., 234, 475 (2004). 0169-4332
31. Y. Ishikawa, T. Fukui, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.589433, 15, 1163 (1997).
32. L. M. Terman, Solid-State Electron. 0038-1101 10.1016/0038-1101(62)90111- 9, 5, 285 (1962).
33. C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, and U. Mishra, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1772884, 96, 2674 (2004).
34. J. S. McCalmont, H. C. Casey, Jr., T. Y. Wang, and G. B. String, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.350396, 71, 1046 (1992).
35. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, p. 412, John Wiley & Sons, New York (2003).