Mechanism for anneal-induced interfacial charging in SiO2 thin films on Si

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 21, 1996, Pages 2993-2995

  Warren, W L ^a   Vanheusden, K ^a   Schwank, J R ^a   Fleetwood, D M ^a   Winokur, P S ^a   Devine, R A B ^b  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^b ORANGE LABS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000775116     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116674     Document Type: Article

References (25)

1. S. J. Pearton, J. W. Corbett, and T. S. Shi, Appl. Phys. A INS 43, 153 (1987).
2. R. C. Hughes, A. J. Ricco, M. A. Butler, and S. J. Martin, Science AIP 254, 74 (1991).
3. K. L. Brower, Phys. Rev. B AIP 42, 3444 (1990).
4. E. Cartier, J. H. Stathis, and D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 1510 (1993).
5. R.E. Stahlbush, A. H. Edwards, D. L. Griscom, and B. J. Mrstik, J. Appl. Phys. AIP 73, 658 (1993).
6. Z. Li, S. J. Fonash, E. H. Poindexter, M. Harmatz, F. Rong, and W. R. Buchwald, J. Non-Crystalline Solids INS 126, 173 (1990).
7. J. F. Conley and P. M. Lenahan, Appl. Phys. Lett. AIP 62, 40 (1993).
8. K. Vanheusden and A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2575 (1994).
9. K. Vanheusden, W. L. Warren, J. R. Schwank, D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, and R. A. B. Devine, Appl. Phys. Lett. 68, 2117 (1996).
10. B. E. Deal, M. Sklar, A. S. Grove, and E. H. Snow, J. Electrochem. Soc. INS 114, 266 (1967).
11. S. Cristoloveanu and S. Williams, IEEE Trans. Electron. Devices Lett. 13, 102 (1992).
12. D. Hervé, J. L. Leray, and R. A. B. Devine, J. Appl. Phys. AIP 72, 3634 (1992).
13. J. F. Conley, Jr., P. M. Lenahan, and P. Roitman, Appl. Phys. Lett. AIP 60, 2889 (1992).
14. K. Vanheusden and A. Stesmans, J. Appl. Phys. AIP 74, 275 (1993).
15. D. J. DiMaria, Z. A. Weinberg, and J. M. Aitken, J. Appl. Phys. AIP 48, 898 (1977).
16. K. Vanheusden, A. Stesmans, and V. V. Afanas'ev, J. Appl. Phys. AIP 77, 2419 (1995).
17. R. A. B. Devine, D. Mathiot, W. L. Warren, D. M. Fleetwood, and B. Aspar, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 2926 (1993).
18. R. A. B. Devine, W. L. Warren, J. B. Xu, I. H. Wilson, P. Paillet, and J.-L. Leray, J. Appl. Phys. AIP 77, 175 (1995).
19. T. Sakurai and T. Sugano, J. Appl. Phys. AIP 52, 2889 (1981).
20. K. C. Synder and W. B. Fowler, Phys. Rev. B AIP 48, 13238 (1993).
21. F. B. McLean, IEEE Trans. Nucl. Sci. INS NS-27, 1651 (1980).
22. 2 Interface (Plenum, New York, 1988), p. 287.
23. G. Lucovsky, Philos. Mag. B INS 39, 513 (1979).
24. D. R. Young (private communication).
25. E. H. Poindexter, J. Non-Cryst. Solids INS 187, 257 (1995).