Wet chemical etching survey of III-nitrides

Solid-State Electronics

Volumn 41, Issue 12, 1997, Pages 1947-1951

  Zolper, J C ^a   Shul, R J ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; INORGANIC ACIDS; POTASSIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

WET CHEMICAL ETCHING;

NITRIDES;

EID: 0031337914     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0038-1101(97)00173-1     Document Type: Article

References (41)

1. Nakamura, S., Senoh, M. and Mukai, T., Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, L1708.
2. Binari, S. C., Rowland, L. B., Kruppa, W., Kelner, G., Doverspike, K. and Gaskill, D. K., Electron. Lett., 1994, 30, 1248.
3. Khan, M. A., Shur, M. S. and Chen, Q., Electron. Lett., 1995, 31, 2130.
4. Khan, M. A., Kuznia, J. N., Bhattarai, A. R. and Olson, D. T., Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 1248.
5. Nakamura, S., Senoh, M. and Mukai, T., Appl. Phys. Lett., 1993, 66, 2390.
6. Akasaki, I., Amano, H., Kito, M. and Kiramatsu, K., J. Lumin., 1991, 48/49, 666.
7. Nakamura, S., Senoh, M., Iwasa, N. and Nagahama, S., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 1868.
8. Zolper, J. C., Baca, A. G., Shul, R. J., Wilson, R. G., Pearton, S. J. and Stall, R. A., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 166.
9. Nakamura, S., Senoh, M., Nagahama, S., Iwasa, N., Yamada, T., Matsushita, T., Kiyoku, H. and Sugimoto, Y., Jpn. J. Appl. Phys., 1996, 35, L74.
10. Adesida, I., Mahajan, A., Andideh, E., Asif Khan, M., Olsen, D. T. and Kuznia, J. N., Appl. Phys. Lett., 1993, 63, 2777.
11. Lin, M. E., Fan, Z. F., Ma, Z., Allen, L. H. and Morkoc, H., Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 887.
12. Ping, A. T., Adesida. I., Asif Khan, M. and Kuznia, J. N., Electron. Lett., 1994, 30, 1895.
13. Lee, H., Oberman, D. B. and Harris Jr., J. S., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 1754.
14. Pearton, S. J., Abernathy, C. R., Ren, F., Lothian, J. R., Wisk, P. W., Katz, A. and Constantine, C., Semicond. Sci. Technol., 1993, 8, 310.
15. Pearton, S. J., Abernathy, C. R. and Ren. F., Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 2294.
16. Zhang, L., Ramer, J., Zheng, K., Lester, L. F. and Hersee, S. D., MRS Fall Meet., Boston MA, 1995, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 763.
17. Zhang, L., Ramer, J., Zheng, K., Lester, L. F. and Hersee, S. D., MRS Fall Meet., Boston MA, 1995, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 763.
18. Shul, R. J., Kilcoyne, S. P., Hagerott-Crawford, M., Parmeter, J. E., Vartuli, C. B., Abernathy, C. R. and Pearton, S. J., Appl. Phys. Lett., 1995, 66, 1761.
19. Shul, R. J., Howard, A. J., Pearton, S. J., Abernathy, C. R. and Vartuli, C. B., J. Electrochem. Soc., 1996, 143, 3285.
20. Vartuli, C. B., Pearton, S. J., Lee, J. W., Hong, J., MacKenzie, J. D., Abernathy, C. R. and Shul, R. J., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 1426.
21. Taylor, K., M. and Lenie, C., J. Electrochem. Soc., 1960, 107, 308.
22. Long, G. and Foster, L. M., J. Am. Ceram. Soc., 1959, 42, 53.
23. Barrett, N. J., Grange, J. D., Sealy, B. J. and Stephens, K. G., J. Appl. Phys., 1985, 57, 5470.
24. Aita, C. R. and Gawlak, C. J., J. Vac. Sci. Technol. A., 1983, 1, 403.
25. Kline, G. R. and Lakin, K. M., Appl. Phys. Lett., 1983, 43, 750.
26. Pauleau, T., J. Electrochem. Soc., 1982, 129, 1045.
27. Sheng, T. Y., Yu, Z. Q. and Collins, G. J., Appl. Phys. Lett., 1988, 52, 576.
28. Mileham, J. R., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., MacKenzie, J. D., Shul, R. J. and Kilkoyne, S. P., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 1119.
29. Guo, Q. X., Kato, O. and Yoshida, Y., J. Electrochem. Soc., 1992, 139, 2008.
30. Zolper, J. C., Hagerott-Crawford, M., Howard, A. J., Rainer, J., Hersee, S. D., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 200.
31. Vartuli, C. B., Pearton, S. J., Lee, J. W., Abernathy, C. R., Mackenzie, J. D., Zolper, J. C., Shul, R. J. and Ren, F., J. Electrochem. Soc., 1996, 143, 3681.
32. Abernathy, C. R., J. Vac. Sci. Technol. A, 1993, 11, 869.
33. Abernathy, C. R., Mat. Sci. Eng. Rep., 1995, 14, 203.
34. Abernathy, C. R., MacKenzie, J. D., Bharatan, S. R., Jones, K. S. and Pearton, S. J., J. Vac. Sci. Technol. A, 1995, 13, 716.
35. Zolper, J. C., Reiger, D. J., Baca, A. G., Pearton, S. J., Lee, J. W. and Stall, R. S., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 5381.
36. Mileham, J. R., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., MacKenzie, J. D., Shul, R. J. and Kilcoyne, S. P., J. Vac. Sci. Technol. A, 1996, 14, 836.
37. Pearton, S. J., Abernathy, C. R., Ren, F., Lothian, J. R., Wisk, P. and Katz, A., J. Vac. Sci. Technol. A, 1993, 11, 1772.
38. Lee, J. W., Vartuli, C. B., Abernathy, C. R., MacKenzie, J. D., Mileham, J. R., Pearton, S. J., Shul, J. R., Zolper, J. C., Hagerott-Crawford, M., Zavada, J. M., Wilson, R. G. and Schwartz, R. N., J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, 14, 3637.
39. Abernathy, C. R., Pearton, S. J., MacKenzie, J. D., Mileham, J. R., Bharatan, S. P., Krishnamoorthy, V., Jones, K. S., Hagerott-Crawford, M., Shul, R. J., Kilcoyne, S. P., Zavada, J. M., Zhang, D. and Kolbas, R. M., Solid State Electron., 1996, 39, 313.
40. Minsky, M. S., White, M. and Hu, E. L., Appl. Phys. Lett., 1996, 65, 1531.
41. Youtsey, C., Adesida, I. and Bulman, G., Electron Lett., 1997, 33, 245.