Scalability and reliability characteristics of cvd hf o2 gate dielectrics with HfN electrodes for advanced CMOS applications

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 11, 2007, Pages

  Kang, J F ^a   Yu, H Y ^b   Ren, C ^c   Sa, N ^a   Yang, H ^a   Li, M F ^c   Chan, D S H ^c   Liu, X Y ^a   Han, R Q ^a   Kwong, D L ^d  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b IMEC   (Belgium)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^d The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; DIFFUSION; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; GATE DIELECTRICS; MOS CAPACITORS; MOSFET DEVICES; SCALABILITY;

BIAS TEMPERATURE INSTABILITY (BTI); EQUIVALENT OXIDE THICKNESS; GATE STACKS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 34848856167     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2775163     Document Type: Article

References (29)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2003, http//public.itrs.net
2. C. H. Choi, T. S. Jeon, R. Clark, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 215 (2003).
3. R. Choi, C. S. Kang, B. H. Lee, K. Onishi, R. Nieh, S. Gopalan, E. Dharmarajan, and J. C. Lee, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 15 (2001).
4. W. Tsai, L. Ragnarsson, P. J. Chen, B. Onsia, R. J. Carter, E. Cartier, E. Young, M. Green, M. Caymax, S. De Gendt, and M. Heyns, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 35 (2003).
5. S. J. Lee, S. J. Rhee, R. Clark, and D. L. Kwong, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 78 (2002).
6. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, S. Gopalan, S. Krishnan, and J. C. Lee, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 146 (2002).
7. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Niwa, M. Asai, S. Horii, and H. Miya, Appl. Phys. Lett., 83, 2229 (2003).
8. H. Y. Yu, J. F. Kang, J. D. Chen, C. Ren, Y. T. Hou, S. J. Whang, M.-F. Li, D. S. H. Chan, K. L. Bera, C. H. Tung, A. Du, and D.-L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 99.
9. W. Tsai, L.-A. Ragnarsson, L. Pantisano, P. J. Chen, B. Onsia, T. Schram, E. Cartier, A. Kerber, E. Young, M. Caymax, S. De Gendt, and M. Heyns, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 311.
10. J. F. Kang, H. Y. Yu, C. Ren, X. P. Wang, M.-F. Li, D. S. H. Chan, Y.-C. Yeo, X. Y. Liu, N. Sa, H. Yang, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 26, 237 (2005).
11. J. F. Kang, H. Y. Yu, C. Ren, M.-F. Li, D. S. H. Chan, X. Y. Liu, and D.-L. Kwong, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G311 (2005).
12. G. D. Wilk, M. L. Green, M.-Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorsch, F. P. Klemens, B. Brijs, R. B. van Dover, A. Kornblit, T. Gustafsson, E. Garfunkel, S. Hillenius, D. Monroe, P. Kalavade, and J. M. Hergenrother, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 88 (2002).
13. Y. Kim, C. Lim, C. D. Young, K. Matthews, J. Barnett, B. Foran, A. Agarwal, G. A. Brown, G. Bersuker, P. Zeitzoff, M. Gardner, R. W. Murto, L. Larson, C. Metzner, S. Kher, and H. R. Huff, Proc. Symp. VLSI Technol. Dig., p. 167 (2003).
14. W. Y. Loh, B. J. Cho, M. S. Joo, M. F. Li, Daniel S. H. Chan, S. Mathew, and D.-L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 927.
15. R. Degraeve, T. Kauerauf, A. Kerber, E. Cartier, B. Govoreanu, Ph. Roussel, L. Pantisano, P. Blomme, B. Kaczer, and G. Groeseneken, Proc. IRPS, p. 23 (2003).
16. R. Degraeve, B. Kaczer, M. Houssa, G. Groeseneken, M. Heyns, J. S. Jeon, and A. Halliyal, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 327.
17. K. Torii, K. Shiraishi, S. Miyazaki, K. Yamabe, M. Boero, T. Chikyow, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2004, 129.
18. T. Nigam, R. Degraeve, G. Groeseneken, M. M. Heyns, and H. E. Maes, Proc. IRPS, p. 62 (1998).
19. A. S. Oates, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 923.
20. K. Okada, W. Mizubayashi, N. Yasuda, H. Satake, H. Ota, M. Kadoshima, K. Tominaga, A. Ogawa, K. Iwamoto, T. Horikawa, T. Nabatame, and A. Toriumi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2004, 721.
21. S. Ogawa, M. Shimaya, and N. Shiono, J. Appl. Phys., 77, 1137 (1995).
22. S. Zafar, B. H. Lee, J. Stathis, A. Callegari, and T. Ning, Proc. Symp. VLSI Tech. Dig., p. 208 (2004).
23. M. Houssa, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, M. Aoulaiche, G. Groeseneken, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett., 90, 043505 (2007).
24. X. J. Zhou, L. Tsetseris, S. N. Rashkeev, D. M. Fleetwood, R. D. Schrimpf, S. T. Pantelides, J. A. Felix, E. P. Gusev, and C. D'Emic, Appl. Phys. Lett., 84, 4394 (2004).
25. S. Zafar, J. Appl. Phys., 97, 103709 (2005).
26. G. Chen, M. F. Li, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 23, 734 (2002).
27. M. Ershov, S. Saxena, H. Karbasi, S. Winters, S. Minehane, J. Babcock, R. Lindley, P. Clifton, M. Redford, and A. Shibkov, Appl. Phys. Lett., 83, 1647 (2003).
28. N. Sa, J. F. Kang, H. Yang, X. Y. Liu, Y. D. He, R. Q. Han, C. Ren, H. Y. Yu, D. S. H. Chan, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 26, 610 (2005).
29. A. A. Korkin, G. I. Bersuker, and H. R. Huff, Comput. Mater. Sci., 24, 223 (2002).