Site-controlled growth of Ge nanostructures on Si(100) via pulsed laser deposition nanostenciling

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 11, 2007, Pages

  Cojocaru, C V ^a   Bernardi, A ^b   Reparaz, J S ^b   Alonso, M I ^b   MacLeod, J M ^a   Harnagea, C ^a   Rosei, F ^a  

^a INRS EMT   (Canada)

^b CSIC   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; GERMANIUM; NANOCRYSTALS; PULSED LASER DEPOSITION; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SURFACE MORPHOLOGY;

NANOSTENCILING; SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES; WETTING LAYERS;

NANOSTRUCTURES;

EID: 34548662908     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2783473     Document Type: Article

References (29)

1. J. Konle, H. Presting, H. Kibbel, K. Thonke, and R. Sauer, Solid-State Electron. 45, 1921 (2001).
2. D. L. Harame, S. J. Koester, G. Freeman, P. Cottrel, K. Rim, G. Dehlinger, D. Ahlgren, J. S. Dunn, D. Greenberg, A. Joseph, F. Anderson, J.-S. Rieh, S. A. S. T. Onge, D. Coolbaugh, V. Ramachandran, J. D. Cressler, and S. Subbanna, Appl. Surf. Sci. 224, 9 (2004).
3. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
4. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science 279, 353 (1998).
5. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
6. J. Stangl, V. Hol, and G. Bauer, Rev. Mod. Phys. 76, 725 (2004).
7. F. Ratto, G. Costantini, A. Rastelli, O. G. Schmidt, K. Kern, and F. Rosei, J. Exp. Nanosci. 1, 279 (2006).
8. J. M. Baribeau, X. Wu, N. L. Rowell, and D. J. Lockwood, J. Phys.: Condens. Matter 18, R139 (2006).
9. J. R. Heath, R. S. Williams, J. J. Shiang, S. J. Wind, J. Chu, C. D'Emic, W. Chen, C. L. Stanis, and J. J. Bucchignano, J. Phys. Chem. 100, 3144 (1996).
10. T. I. Kamins and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 71, 1201 (1997).
11. E. S. Kim, N. Usami, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 72, 1617 (1998).
12. G. Capellini, M. de Seta, C. Spinella, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 82, 1772 (2003).
13. A. Karmous, A. Cuenat, A. Ronda, I. Berbezier, S. Atha, and R. Hull, Appl. Phys. Lett. 85, 6401 (2004).
14. A. Bernardi, M. I. Alonso, A. R. Goi, J. O. Ossó, and M. Garriga, Appl. Phys. Lett. 89, 101921 (2006).
15. T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, R. S. Williams, W. Zhang, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 74, 1773 (1999).
16. L. Vescan, Mater. Sci. Eng., A 302, 6 (2001).
17. O. G. Schmidt, N. Y. Jin-Phillipp, C. Lange, U. Denker, K. Eberl, R. Schreiner, H. Grabeldinger, and H. Schweizer, Appl. Phys. Lett. 77, 4139 (2000).
18. G. Jin, J. L. Liu, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 76, 3591 (2000).
19. Z. Zhong, A. Halilovic, M. Muhlberger, F. Schäffler, and G. Bauer, J. Appl. Phys. 93, 6258 (2003).
20. B. Shin, J. P. Leonard, J. W. McCamy, and M. J. Aziz, Appl. Phys. Lett. 87, 181916 (2005).
21. M. S. Hegazy and H. E. Elsayed-Ali, J. Appl. Phys. 99, 054308 (2006).
22. X. Ma, Z. Yan, B. Yuan, and B. Li, Nanotechnology 16, 832 (2005).
23. D. B. Chrisey and G. K. Hubler, Pulsed Laser Deposition of Thin Films (Wiley, New York, 1994).
24. C. V. Cojocaru, C. Harnagea, A. Pignolet, and F. Rosei, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 470 (2006).
25. A. Bernardi, J. O. Ossó, M. I. Alonso, A. R. Goi, and M. Garriga, Nanotechnology 17, 2602 (2006).
26. Typically 0.4-0.6-nm -thick for Ge on Si(001); Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
27. Typically 0.4-0.6-nm -thick for Ge on Si(001); Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
28. L. Vescan, T. Stoica, B. Holländer, A. Nassiopoulou, A. Olzierski, I. Raptis, and E. Sutter, Appl. Phys. Lett. 82, 3517 (2003).
29. A. Rastelli, M. Stoffel, J. Tersoff, G. S. Kar, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 95, 026103 (2005).