Micro-Raman probing of residual stress in freestanding GaN-based micromechanical structures fabricated by a dry release technique

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 6, 2007, Pages

  Tripathy, S ^a   Lin, Vivian K X ^a   Vicknesh, S ^a   Chua, S J ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRY ETCHING; GALLIUM NITRIDE; PHONONS; RAMAN SCATTERING; SENSORS; SILICON COMPOUNDS;

DRY RELEASE TECHNIQUES; MICRO RAMAN PROBING; MICROMECHANICAL STRUCTURES; PEAK SHIFT;

MICROMECHANICS;

EID: 34047144382     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2713089     Document Type: Article

References (31)

1. S. Nakamura, G. Fasol, and S. J. Pearton, The Blue Laser Diode: The Complete Story, 2nd ed. (Springer, Berlin, 2000), and references therein.
2. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5735 (1999).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
4. C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L387 (2000).
5. R. Gaska, M. S. Shur, T. A. Fieldly, and A. D. Bykhovski, J. Appl. Phys. 85, 3009 (1999).
6. J. A. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J. B. Webb, S. J. Rolfe, and L. Lapointe, Electron. Lett. 39, 564 (2003).
7. S. Heikman, S. Keller, D. S. Green, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 94, 5321 (2003).
8. A. Jiménez, Z. Bougrioua, J. M. Tirado, A. F. Brana, E. Calleja, E. Munoz, and I. Moerman, Appl. Phys. Lett. 82, 4827 (2003).
9. R. P. Strittmatter, R. A. Beach, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 78, 3226 (2001).
10. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2838 (2001).
11. A. R. Stonas, P. Kozodoy, H. Marchand, P. Fini, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 77, 2610 (2000).
12. S. Davies, T. S. Huang, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chalker, Appl. Phys. Lett. 84, 2566 (2004).
13. S. Davies, T. S. Huang, R. T. Murray, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chalker, J. Mater. Sci. 15, 705 (2005).
14. S. J. Pearton, B. S. Kang, K. Suku, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, J. Lin, and S. N. G. Chu, J. Phys.: Condens. Matter 16, R961 (2004).
15. T. Zimmermann et al., IEEE Electron Device Lett. 27, 309 (2006).
16. B. S. Kang et al., Appl. Phys. Lett. 85, 2962 (2004).
17. Z. Yang, R. N. Wang, S. Jia, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 88, 041913 (2006).
18. Z. Yang, R. Wang, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Sens. Actuators, A 130-131, 371 (2006).
19. A. Dadgar et al., Appl. Phys. Lett. 85, 5400 (2004).
20. F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 88, 121114 (2006).
21. S. Joblot, F. Semond, and Y. Cordier, Pl. Lorenzini, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 87, 133505 (2005);
22. F. Semond et al., Appl. Phys. Lett. 87, 021102 (2005).
23. C.-J. Kim, J. Y. Kim, and B. Sridharan, Sens. Actuators, A 64, 17 (1998).
24. D. E. Ibbotson, D. L. Flamm, J. A. Mucha, and V. M. Donnelly, Appl. Phys. Lett. 44, 1129 (1984).
25. H. F. Winters and J. W. Coburn, Appl. Phys. Lett. 34, 70 (1979).
26. D. L. Flamm, D. E. Ibbotson, J. A. Mucha, and V. M. Donnelly, Solid State Technol. 26, 117 (1983).
27. V. T. Srikar, A. K. Swan, M. S. Ünlü, B. B. Goldberg, and S. M. Spearing, J. Microelectromech. Syst. 12, 779 (2003).
28. L. A. Starman, Ph.D. thesis, Wright-Patterson AFB School of Engineering and Management, 2002.
29. J. Arokiaraj, S. Tripathy, S. Vicknesh, and A. Ramam, Appl. Phys. Lett. 88, 221901 (2006).
30. M. A. Shah, S. Vicknesh, L. S. Wang, J. Arokiaraj, A. Ramam, S. J. Chua, and S. Tripathy, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G275 (2005).
31. L. S. Wang, K. Y. Zang, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 85, 5881 (2004).