Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 4, 2006, Pages 1-3

  Yang, Z ^a   Wang, R N ^a   Jia, S ^a   Wang, D ^a   Zhang, B S ^a   Lau, K M ^a   Chen, K J ^a  

^a HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARACTERIZATION; ELASTIC MODULI; GALLIUM NITRIDE; SEMICONDUCTING SILICON; STRESS CONCENTRATION;

MECHANICAL CHARACTERIZATION; MICROBEAMS; SILICON SUBSTRATES;

MICROSTRUCTURE;

EID: 31544448259     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2167813     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
2. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
3. R. P. Strittmatter, R. A. Beach, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 78, 3226 (2001).
4. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2838 (2001).
5. S. Davies, T. S. Huang, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chalker, Appl. Phys. Lett. 84, 2556 (2004).
6. S. J. Pearton, B. S. Kang, Suku Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, Jenshan Lin, and S. N. G. Chu, J. Phys.: Condens. Matter 16, R961 (2004).
7. B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, J. W. Johnson, R. J. Therrien, P. Rajagopal, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. J. Linthicum, S. N. G. Chu, K. Baik, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2962 (2004).
8. M. D. Drory, J. W. Ager III, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 4044 (1996).
9. G. Yu, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Soga, J. Watanabe, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Cryst. Growth 189/190, 701 (1998).
10. R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, and F. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 75, 2070 (1999).
11. S. O. Kucheyev, J. E. Bradby, J. S. Williams, C. Jagadish, M. Toth, M. R. Phillips, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 77, 3373 (2000).
12. V. T. Srikar and S. M. Spearing, Exp. Mech. 43, 238 (2003).
13. T. P. Weihs, S. Hong, J. C. Bravman, and W. D. Nix, J. Mater. Res. 3, 951 (1988).
14. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. S. Miguel, I. Grezgory, and A. Polian, Phys. Rev. B 45, 83 (1992).
15. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).
16. S. Tripathy, S. J. Chua, P. Chen, and M. L. Miao, J. Appl. Phys. 92, 3503 (2002).
17. J. M. Wagner and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 77, 346 (2000).
18. D. G. Zhao, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 83, 677 (2003).
19. Z. Yang, R. N. Wang, D. Wang, B. S. Zhang, K. J. Chen, and K. M. Lau, Sens. Actuators, A (to be published).
20. D. Wang, S. Jia, K. J. Chen, K. M. Lau, Y. Dikme, P. Van Gemmern, Y. C. Lin, H. Kalisch, R. H. Jansen, and M. Heuken, J. Appl. Phys. 97, 056103 (2005).
21. S. C. Jain, A. H. Harker, A. Atkinson, and K. Pinardi, J. Appl. Phys. 78, 1630 (1995).
22. M. Yamaguchi, T Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichibu, and S. Nakamura, J. Phys.: Condens. Matter 9, 241 (1997).
23. J. Kim, D. I. Cho, and R. S. Muller, Proceedings of the 11th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Munich, Germany, June 2001, p. 662.
24. J. -M Wagner and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 66, 115202 (2002).