Galvanic corrosion between TaNx barriers and copper seed

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 4, 2007, Pages

  Hung, Chi Cheng ^a   Wang, Yu Sheng ^a   Lee, Wen Hsi ^a   Chang, Shih Chieh ^b   Wang, Ying Lang ^b,c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAYI UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF TAINAN   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CORROSION; DIELECTRIC MATERIALS; METALLIZING; REFRACTORY METALS; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

COPPER SEED; DIELECTRIC LAYERS; GALVANIC CORROSION;

TANTALUM COMPOUNDS;

EID: 33846969867     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2437671     Document Type: Article

References (26)

1. K. W. Chen, Y. L. Wang, L. Chang, S. C. Chang, F. Y. Li, and S. H. Lin, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G238 (2004).
2. A. Beverina, H. Bernard, J. Palleau, J. Torres, and F. Tardif, Electrochem. Solid-State Lett., 3, 156 (2000).
3. A. Jindal and S. V. Babu, J. Electrochem. Soc., 151, G709 (2004).
4. Y. Homma, S. Kondo, N. Sakuma, K. Hinode, J. Noguchi, N. Ohashi, H. Yamaguchi, and N. Owada, J. Electrochem. Soc., 147, 1193 (2000).
5. S. Tamilmani, W. Huang, and S. Raghavan, J. Electrochem. Soc., 153, F53 (2006).
6. S. Kondo, N. Sakuma, Y. Homma, and N. Ohashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 39, 6216 (2000).
7. D. Ernur, S. Kondo, D. Shamiryan, and K. Maex, Microelectron. Eng., 64, 117 (2002).
8. K. Tai, H. Ohtorii, S. Takahashi, N. Komai, H. Horikoshi, S. Sato, Y. Ohoka, Y. Segawa, M. Ishihara, Z. Yasuda, and T. Nogami, in Proceedings of IEEE 2002 International Interconnect Technology Conference, p. 194 (2002).
9. S. C. Chang, J. M. Shieh, J. Y. Fang, Y. L. Wang, B. T. Dai, and M. S. Feng, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 116 (2004).
10. W. T. Tseng, C. W. Liu, B. T. Dai, and C. F. Yeh, Thin Solid Films, 290, 458 (1996).
11. T. Hara, F. Togoh, T. Kurosu, K. Sakamoto, Y. Shioya, T. Ishimaru, and T. K. Doy, Electrochem. Solid-State Lett., 4, G65 (2001).
12. B. Du and I. I. Suni, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G283 (2005).
13. S. C. Kurity, S. Seal, W. Fei, J. Ramsdell, V. H. Desai, Y. Li, S. V. Babu, and B. Wood, J. Electrochem. Soc., 150, C36 (2003).
14. Y. L. Chin, B. S. Chiou, and W. F. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 3057 (2002).
15. W. F. Wu, C. C. Wu, K. L. Ou, and C. P. Chou, J. Electrochem. Soc., 150, G83 (2003).
16. C. C. Chang, J. S. Chen, and W. S. Hsu, J. Electrochem. Soc., 151, 746 (2004).
17. A. A. Istratov and E. R. Weber, J. Electrochem. Soc., 149, G21 (2002).
18. K. M. Latt, Y. K. Lee, S. Li, T. Osipowicz, and H. L. Seng, Mater. Sci. Eng., B, 84, 217 (2001).
19. E. Kolawa, J. S. Chen, J. S. Reid, P. J. Pokela, and M. A. Nicolet, J. Appl. Phys., 70, 1369 (1991).
20. W. F. Wu, K. L. Ou, C. P. Chou, and C. C. Wu, J. Electrochem. Soc., 150, G83 (2003).
21. M. Stavrev, C. Wenzel, A. Moller, and K. Drescher, Appl. Surf. Sci., 91, 257 (1995).
22. S. M. Rossnagel and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2550 (2003).
23. J. C. Lin and Chiapyng. Lee, J. Electrochem. Soc., 146, 3466 (1999).
24. A. E. Kaloyeros, X. Chen, T. Stark, S. C. Seo, G. G. Peterson, H. L. Frisch, B. Arkles, and J. Sullivan, J. Electrochem. Soc., 146, 170 (1999).
25. N. D. Cuong, D. J. Kim, B. D. Kang, C. S. Kim, K. M. Yu, and S. G. Yoon, J. Electrochem. Soc., 153, G164 (2006).
26. S. C. Chang, Y. L. Wang, and T. C. Wang, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 17, 384 (2004).