Failure mechanism of amorphous and crystalline Ta-N films in the Cu/Ta-N/Ta/SiO2 structure

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 11, 2004, Pages

  Chang, Ching Chun ^c   Chen, J S ^a   Hsu, Wu Shiung ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; COPPER; CRYSTALLINE MATERIALS; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; NITROGEN; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY SPECTROMETERS;

SHEET RESISTANCE; SUBMICROMETERS; ULTRALARGE-SCALE INTEGRATED (ULSI) CIRCUITS; X-RAY SPECTROMETRY;

TANTALUM;

EID: 10944247263     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1803836     Document Type: Article

References (25)

1. C. W. Park and R. W. Vook, Appl. Phys. Lett., 59, 175 (1991).
2. P. J. Pan and C. H. Ting, IEEE Trans. Ind. Electron., IE-29, 154 (1982).
3. S. P. Murarka, Mater. Sci. Eng., R., 19, 87 (1997).
4. C. S. Liu and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 74, 5501 (1993).
5. A. Cros, M. O. Aboelfotoh, and K. N. Tu, J. Appl. Phys., 67, 3328 (1990).
6. S. Q. Wang, I. J. M. M. Raaijmakers, B. J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar, and K. B. Kim, J. Appl. Phys., 68, 5176 (1990).
7. K. C. Park, S. H. Kim, and K. B. Kim, J. Electrochem. Soc., 147, 2711 (2000).
8. E. Kolawa, J. S. Chen, J. S. Reid, P. J. Pokela, and M. A. Nicolet, J. Appl. Phys., 70, 1369 (1991).
9. K. Hollowly, P. M. Fryer, C. Cabral, Jr., J. M. E. Harper, P. J. Bailey, and K. H. Kelleber, J. Appl. Phys., 71, 5433 (1992).
10. K. H. Min, K. C. Chun, and K. B. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3263 (1996).
11. G. S. Chen and S. T. Chen, J. Appl. Phys., 87, 8473 (2000).
12. K. M. Latt, Y. K. Lee, S. Li, T. Osopowicz, and H. L. Seng, Mater. Sci. Eng., B, 84, 217 (2001).
13. K. M. Chang, T. H. Yen, I. C. Deng, and C. W. Shin, J. Appl. Phys., 82, 1469 (1997).
14. J. E. Kelsey, C. Goldberg, O. Nuesca, G. Peterson, A. E. Kaloyeros, and B. Arkles, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1101 (1999).
15. A. E. Kaloyeros and E. Eisenbraun, Annu. Rev. Mater. Sci., 30, 363 (2000).
16. B. M. Ekstrom, S. Lee, N. Magtoto, and J. A. Kelber, Appl. Surf. Sci., 171, 275 (2001).
17. M. H. Tsai, S. C. Sun, C. E. Tsai, S. H. Chuang, and H. T. Chiu, J. Appl. Phys., 79, 6932 (1996).
18. Y. K. Lee, K. M. Latt, J. H. Kim, T. Osipowicz, S. Y. Chaim, and K. S. Lee, Mater. Sci. Eng., B, 77, 282 (2000).
19. H. Wang, A. Tiwari, X. Zhang, A. Kvit, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett., 81, 1453 (2002).
20. C. C. Chang, J. S. Jeng, and J. S. Chen. Thin Solid Films, 413, 46 (2002).
21. K. Holloway and P. M. Fryer. Appl. Phys. Lett., 57, 1736 (1990).
22. B. D. Cullity and S. R. Stock, Elements of X-Ray Diffraction. 3rd ed., p. 170, Prentice Hall, New Jersey (2001).
23. P. Chaudhari, J. Vac. Sci. Technol., 9, 520 (1971).
24. J. C. Chuang and M. C. Chen, Thin Solid Films, 322, 213 (1998).
25. K. T. Miller, F. F. Lange, and D. B. Marshall, J. Mater. Res., 5, 151 (1990).