Growth of ternary PbTi Ox films in a combination of binary oxide atomic layer depositions

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 1, 2007, Pages

  Watanabe, Takayuki ^a   Hoffmann Eifert, Susanne ^c   Mi, Shaobo ^c   Jia, Chunlin ^c   Waser, Rainer ^c   Hwang, Cheol Seong ^b  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COATING TECHNIQUES; DEPOSITION; LEAD COMPOUNDS; PARAFFINS; STOICHIOMETRY; TITANIUM COMPOUNDS;

BINARY OXIDE ATOMIC LAYER DEPOSITIONS; ETHYLCYCLOHEXANES; LIQUID INJECTION ATOMIC LAYER DEPOSITIONS; PBTI OX FILMS;

THIN FILMS;

EID: 33846298500     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2422777     Document Type: Article

References (26)

1. A. Nagai, J. Minamidate, G. Asano, C. J. Choi, C.-R. Cho, Y. Park, and H. Funakubo, Electrochem. Solid-State Lett. 9, C15 (2006).
2. A. Nagai, G. Asano, J. Minamidate, C. J. Choi, C.-R. Cho, Y. Park, and H. Funakubo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 830, D2.2 (2005).
3. C. S. Hwang, J. Park, D. S. Hwang, and C. Y. Yoo, J. Electrochem. Soc. 148, G636 (2001).
4. C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc. 149, G585 (2002).
5. L. Niinistö, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, and M. Nieminen, Phys. Status Solidi A 201, 1443 (2004).
6. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2231 (2003).
7. R. L. Puurunena, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005).
8. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 4129 (1996).
9. S. R. Summerfelt, et al., Appl. Phys. Lett. 79, 4004 (2001).
10. S. R. Gilbert, et al., J. Appl. Phys. 93, 1713 (2003).
11. T. Watanabe, S. Hoffmann-Eifert, C. S. Hwang, and R. Waser, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 902E, 0902-T04-07.1 (2006).
12. T. Watanabe, S. Hoffmann-Eifert, C. S. Hwang, and R. Waser, J. Electrochem. Soc. 153, F199 (2006).
13. H. Seim, H. Mölsä, M. Nieminen, H. Fjellvg, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 7, 449 (1997).
14. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, E. Rauhala, and J. Keinonen, Chem. Vap. Deposition 4, 227 (1998).
15. M. Vehkamäki, T. Hatanpää, T. Häanninen, M. Ritala, and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 504 (1999).
16. M. Schuisky, K. Kukli, M. Ritala, A. Hrsta, and M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 6, 139 (2000).
17. M. Nieminen, T. Sajavaara, E. Rauhala, M. Putkonen, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 11, 2340 (2001).
18. M. Nieminen, S. Lehto, and L. Niinistö, J. Mater. Chem. 11, 3148 (2001).
19. W. C. Shin, et al., Electrochem. Solid-State Lett. 7, F31 (2004).
20. O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, C. S. Hwang, and J. Jeong, J. Electrochem. Soc. 152, C229 (2005).
21. J. Harjuoja, A. Kosola, M. Putkonen, and L. Niinistö, Thin Solid Films 496, 346 (2006).
22. Y. Otani, S. Okamura, and T. Shiosaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 45, 1752 (2006).
23. J. S. Zhao, J. S. Sim, H. J. Lee, D.-Y. Park, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 153, F81 (2006).
24. W. D. Kim, et al. J. Electrochem. Soc. 152, C552 (2005).
25. S. K. Kim and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 96, 2323 (2004).
26. A. Furuya, K. Yoneda, E. Soda, T. Yoshie, H. Okamura, M. Shimada, N. Ohtsuka, and S. Ogawa, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2522 (2005).