Ge/HfNx diffusion barrier for Cu metallization on Si

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 23, 2006, Pages

  Rawal, S ^a   Norton, D P ^a   Kim, KeeChan ^b   Anderson, T J ^b   McElwee White, L ^c  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c NONE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; GERMANIUM COMPOUNDS; SILICON; SPUTTERING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

BARRIER BILAYERS; REACTIVE SPUTTERING; SUPERIOR DIFFUSION BARRIER PROPERTIES;

METALLIZING;

EID: 33845418536     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2400071     Document Type: Article

References (28)

1. S. P. Murarka, Mater. Sci. Eng., R. 19, 87 (1997).
2. G. Beyer, A. Satta, J. Schuhmacher, K. Maex, W. Besling, O. Kilpela, H. Sprey, and G. Tempel, Microelectron. Eng. 64, 233 (2002).
3. J. C. Chiou, H. I. Wang, and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc. 143, 990 (1996).
4. T. Heiser, A. A. Istratov, C. Flink, and E. R. Weber, Mater. Sci. Eng., B 58, 149 (1999).
5. S. Knack, Mater. Sci. Semicond. Process. 7, 125 (2004).
6. S. Bystrova, A. A. I. Aarnink, J. Holleman, and R. A. M. Wolters, J. Electrochem. Soc. 152, G522 (2005).
7. J. S. Becker and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 82, 2239 (2003).
8. B. H. Lee and K. Yong, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2375 (2004).
9. H. Kim, C. Detavenier, O. van der Straten, S. M. Rossnagel, A. J. Kellock, and D. G. Park, J. Appl. Phys. 98, 014308 (2005).
10. J. P. Jacquemin, E. Labonne, C. Yalicheff, E. Royet, P. Vannier, R. Delsol, and P. Normandon, Microelectron. Eng. 82, 613 (2005).
11. K. Dittmar, H. J. Engelmann, M. Peikert, E. Wieser, and J. V. Borany, Appl. Surf. Sci. 252, 185 (2005).
12. D. J. Kim, Y. B. Jung, M. B. Lee, Y. H. Lee, J. H. Lee, and J. H. Lee, Thin Solid Films 372, 276 (2000).
13. M. Moriyama, T. Kawazoe, M. Tanaka, and M. Murakami, Thin Solid Films 416, 136 (2002).
14. J. S. Chen and K. Y. Lu, Thin Solid Films 396, 204 (2001).
15. G. S. Chen, J. J. Guo, C. K. Lin, C. S. Hsu, L. C. Yang, and J. S. Fang, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 479 (2002).
16. E. Blanquet, A. M. Dutron, V. Ghetta, C. Bernard, and R. Madar, Microelectron. Eng. 37-8, 189 (1997).
17. Y. C. Ee, Z. Chen, L. Chan, K. H. See, S. B. Law, S. Xu, Z. L. Tsakadze, P. P. Rutkevych, K. Y. Zeng, and L. Shen, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2444 (2005).
18. W. H. Lee, S. K. Park, B. J. Kang, P. J. Reucroft, and J. G. Lee, J. Electron. Mater. 30, 84 (2001).
19. C. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. 45, S744 (2004).
20. S. Rawal, D. P. Norton, T. J. Anderson, and L. McElwee-White, Appl. Phys. Lett. 87, 111902 (2005).
21. M. H. Lin and S. Y. Chiou, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 3340 (2004).
22. K. L. Ou, M. H. Tsai, H. M. Huang, S. Y. Chiou, C. T. Lin, and S. Y. Lee, Microelectron. Eng. 77, 184 (2005).
23. M. Wittmer, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 1797 (1985).
24. S. Rawal, E. Lambers, D. P. Norton, T. J. Anderson, and L. McElwee-White, J. Appl. Phys. 100, 063532 (2006).
25. M. O. Aboelfotoh, K. N. Tu, F. Nava, and M. Michelini, J. Appl. Phys. 75, 1616 (1994).
26. L. Krusinelbaum and M. O. Aboelfotoh, Appl. Phys. Lett. 58, 1341 (1991).
27. M. O. Aboelfotoh and L. Krusinelbaum, J. Appl. Phys. 70, 3382 (1991).
28. M. O. Aboelfotoh and B. G. Svensson, Phys. Rev. B 44, 12742 (1991).