Comparison of the ferroelectricity for 70-80 nm thick Pb(Zr,Ti)O 3 films deposited on (111)Ir bottom electrodes at different temperatures by MOCVD

Integrated Ferroelectrics

Volumn 68, Issue , 2004, Pages 147-154

  Nagai, A ^a   Morioka, H ^a   Asano, G ^a   Saiki, A ^b   Funakubo, H ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOYAMA   (Japan)

Author keywords

Low deposition temperature; MOCVD; PZT; Thickness scaling

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC POTENTIAL; FERROELECTRICITY; IRIDIUM COMPOUNDS; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POLARIZATION; THICKNESS MEASUREMENT; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

COERCIVE FIELD; LOW DEPOSITION TEMPERATURE; POLARIZATION ELECTRIC FIELD (PE); REMANENT POLARIZATION;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 33751192704     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/10584580490895851     Document Type: Article

References (22)

1. J. Evans and R. Womack, IEEE J. Solid-State Circuits 23, 1171 (1988).
2. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
3. B. G. Jeon, M. K. Choi, Y. Song, S. K. Oh, Y. Chung, K. D. Suh, and K. Kim, IEEE J. Solid-State Circuits 35, 1690 (2000).
4. Y. Chung, B. G. Jeon, and K. D. Suh. IEEE J. Solid-State Circuits 35, 697 (2000).
5. R. Ogiwara, S. Tanaka, Y. Itoh, T. Miyakawa, Y. Takeuchi, S. M. Doumae, H. Takenaka, Y. Kunishima, S. Shuto, O. Hidaka, S. Ohtsuki, and S. Tanaka, IEEE J. Solid-State Circuit 35, 545 (2000).
6. A. Sheikholeslami and P. G. Gulak, Proc. IEEE 88, 667 (2000).
7. H. R. Kim, S. Jeong, C. B. Jeon, O. S. Kwon, C. S. Hwang, Y. K. Han, D. Y. Yang, and K. Y. Oh, J. Mater. Res. 16, 3583 (2001).
8. S. Jeong, J. S. Zhao, H. R. Kim, D.-Y. Park, C. S. Hwang, Y. K. Han, C. H. Yang, K. Y. Oh, S.-H. Kim, D.-S. Lee, and J. Hac, J. Electrochem. Soc. 150, C678 (2003).
9. J. S. Zhao, D.-Y. Park, M. J. Seo, C. S. Hwang, Y. K. Han, C. H. Yang, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc. 151, C283 (2004).
10. S. R. Gilbert, S. Hunter, D. Ritchey, C. Chi, D. V. Taylor, J. Amano, S. Aggarwal, T. S. Moise, T. Sakoda, S. R. Summerfelt, K. K. Singh, C. Kazemi, D. Carl, and B. Bierman, J. Appl. Phys. 93, 1713 (2003).
11. T. Oikawa, H. Funakubo, H. Morioka, and K. Saito, Integr. Ferroelectr. 59, 1421 (2003).
12. K. Kim and K. Yong, Electrochem. Solid-State Lett. 6, C106 (2003).
13. M. Kadoshima, T. Nabatame, M. Hiratani, Y. Nakamura, I. Asano, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L347 (2002).
14. J. M. Lee, J. C. Shin, C. S. Hwang, H. J. Kim, and C.-G. Suk, J. Vac. Sci. Technol. A16, 2768 (1998).
15. P.-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, K. Takemura, H. Yamaguchi, K. Tokashiki, Y. Miyasaka, M. Yoshida, and H. Ono, Integr. Ferroelectr. 11, 81 (1995).
16. C. S. Hwang, Mater. Res. Eng. B56, 178 (1998).
17. S. K. Dey, J. Goswami, A. Das, W. Cao, M. Floyd, and R. Carpenter, J. Appl. Phys. 94, 774 (2003).
18. C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc. 149, 0585 (2002).
19. K. Nagashima, M. Aratani, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L996 (2000).
20. M. Aratani, T. Oikawa, T. Ozeki, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 79, 1000 (2001).
21. K. Tokita, M. Aratani, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 82, 23 (2003).
22. K. Saito, T. Oikawa, T. Kurosawa, T. Akai, and H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6730 (2002).