First principles calculations of oxygen vacancy passivation by fluorine in hafnium oxide

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 15, 2006, Pages

  Chen, Wei ^a   Sun, Qing Qing ^a   Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a   Wang, Li Kang ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS; OXYGEN VACANCY; TRAP-ASSISTED TUNNELING;

ELECTRON TUNNELING; FLUORINE; PASSIVATION;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33749991125     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358121     Document Type: Article

References (24)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006).
3. E. P. Gusev, D. A. Buchanan, E. Cartier, A. Kumar, D. DiMaria, S. Guha, A. Callegari, S. Zafar, P. C. Jamison, D. Neumayer, M. Copel, M. A. Gribelyuk, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic, P. Kozlowski, K. Chan, N. Bojarczuk, L. Ragnarsson, P. Ronshein, K. Rim, R. J. Fleming, A. Mocuta, and A. Ajmera, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 451.
4. E. P. Gusev and C. P. D'Emic, Appl. Phys. Lett. 83, 5223 (2003).
5. S. Zafar, A. Callegari, E. P. Gusev, and M. V. Fischetti, J. Appl. Phys. 93, 9298 (2003).
6. L. Aguilera, A. Porti, M. Nafria, and X. Aymerich, IEEE Electron Device Lett. 27, 157 (2006).
7. A. S. Foster, F. L. Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 65, 174117 (2002).
8. K. Torii, A. Aoyama, S. Kamiyama, Y. Tamuara, S. Miyazaki, H. Kitajima, and T. Arikado, Technical Digest of the 2004 IEEE Symposium on VLSI Technology (IEEE, New York, 2004), p. 112.
9. K. Xiong and J. Robertson, Microelectron. Eng. 80, 408 (2005).
10. J. L. Gavartina, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. 97, 053704 (2005).
11. N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado, Appl. Phys. Lett. 86, 143507 (2005).
12. K. Xiong and J. Robertson, J. Appl. Phys. 99, 044105 (2006).
13. J. L. Gavartin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. 97, 053704 (2005).
14. C. Choi, C. S. Kang, C. Y. Kang, S. J. Rhee, M. S. Akbar, S. A. Krishnan, M. H. Zhang, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 26, 32 (2005).
15. Y. Lee, S. Kim, J. Koo, I. Kim, J. Choi, H. Jeon, and Y. Won, J. Electrochem. Soc. 153, G353 (2006).
16. H.-H. Tseng, P. J. Tobin, E. A. Hebert, S. Kalpat, M. E. Ramón, L. Fonseca, Z. X. Jiang, J. K. Schaeffer, R. I. Hegde, D. H. Triyoso, D. C. Gilmer, W. J. Taylor, C. C. Capasso, O. Adetutu, D. Sing, J. Conner, E. Luckowski, B. W. Chan, A. Haggag, S. Backer, R. Noble, M. Jahanbani, Y. H. Chiu, and B. E. White, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 695.
17. M. Inoue, S. Tsujikawa, M. Mizutani, K. Nomura, T. Hayashi, K. Shiga, J. Yugami, J. Tsuchimoto, Y. Ohno, and M. Yoneda, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 413.
18. K. Seo, R. Sreenivasan, P. C. McIntyre, and K. C. Saraswat, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 417.
19. D. M. Adams, S. Leonard, D. R. Russel, and R. J. Cernik, J. Phys. Chem. Solids 52, 1181 (1991).
20. J. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. A. Jackson, M. R. Pederson, D. J. Singh, and C. Fiolhais, Phys. Rev. B 46, 6671 (1992).
21. D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
22. M. D. Segall, P. L. D. Lindan, M. J. Probert, C. J. Pickard, P. J. Hasnip, S. J. Clark, and M. C. Payne, J. Phys.: Condens. Matter 14, 2717 (2002).
23. A. S. Foster, V. B. Sulimov, F. L. Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 64, 224108 (2001).
24. G. Shang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 84, 106 (2004).